【HI-201HS数据表1999年7月网络文件编号3123.2高速，四通道SPST CMOS模拟开关在】,IC型号HI1-0201HS-2,HI1-0201HS-2 PDF资料,HI1-0201HS-2经销商,ic,电子元器件-51电子网

HI-201HS

数据表

1999年7月

网络文件编号

3123.2

高速，四通道SPST CMOS模拟

开关

在HI - 201HS是一款单芯片CMOS模拟开关

具有非常快的开关速度和低导通电阻。

该集成电路包括四个独立

可选的单刀单掷开关，其引脚与兼容

行业标准的HI- 201开关。

使用硅栅技术和Intersil的制作

介质隔离工艺，这种TTL兼容的设备报价

在以前提供的CMOS模拟性能改进

开关。最大特色

切换为50ns的时间，升

开流

最大50Ω的电阻，以及一个较宽的模拟信号范围内，则

HI- 201HS是专为任何应用程序在提升

交换性能，特别是开关速度，是必需的。

上的设计与应用（更详细的讨论

HI- 201HS可在应用笔记AN543找到。）

特点

快速开关时间

- t

ON

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为30ns

- t

关闭

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为40ns

低“ON”电阻。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30Ω

引脚兼容标准的HI- 201

宽模拟电压范围（ ±15V电源）。。。。。。。

±15V

低电荷注入（ ±15V电源）。。。。。。。。。。 10PC

TTL兼容

对称模拟开关电流范围。。。。。 80毫安

应用

高速多路复用

高频模拟开关

订购信息

产品型号

HI1-0201HS-2

HI1-0201HS-4

HI1-0201HS-5

HI3-0201HS-5

HI4P0201HS-5

HI9P0201HS-5

HI9P0201HS-9

温度。

RANGE （

o

C)

-55至125

-25到85

0-75

-40到85

包

16 Ld的CERDIP

16 Ld的PDIP

20 Ld的PLCC

16 Ld的SOIC

PKG 。

号

F16.3

E16.3

N20.35

M16.3

采样和保持电路

数字滤波器

运算放大器连接器增益切换网络

积分器复位电路

引脚配置

（交换机如图所示为逻辑“1”输入）

HI- 201HS （ CERDIP ， PDIP ， SOIC ）

顶视图

HI201HS （ PLCC ）

顶视图

出1

A1

A2

1

20

输出2

19

A

1

OUT1

IN1

V-

GND

IN4

OUT4

A

4

1

2

3

4

5

6

7

8

16 A

2

15输出2

14 IN2

13 V+

12 NC

11 IN3

10 OUT3

9 A

3

IN 1 4

V- 5

6

7 GND

在4月8日

3

2

18年2

17 V+

16

15

14 3

9

出4

10

A4

11

12

A3

13

OUT 3

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

HI-201HS

工作原理图

V+

来源

TTL

逻辑

输入

水平

移

和

司机

开关

CELL

门

输入

真值表

逻辑

0

1

开关

ON

关闭

漏

产量

V-

原理图

TTL / CMOS基准电路

V+

P41

MP42

MP43

MP44

MP45

开关单元

V+

Q

QN41

QN43

QN42

D41

5V

R42

C48

QP44

QN44

R41

C49

D42

5.6V

QP41

QP42

V-

Q

QN45

V

R1

类似物

IN

MP32

MN33

MN31

MP33

MN32

类似物

OUT

MP31

MN42

V-

MN44

MN45

2

HI-201HS

原理图

（续）

数字输入缓冲器和电平转换器

M

N46

M

P51

M

P52

Q

N6

Q

N8

Q

N7

I

X1

V

R1

I

X2

Q

N9

M

P3

M

P5

M

P6

M

P4

M

P7

M

P9

M

P10

M

P11

M

P12

M

P8

I

Q

I

X3

I

X4

Q

N1

I

Q

C

1

VA

R

1

Q

N4

Q

P1

V

R1

Q

P5

Q

P4

R

3

R

2

Q

P2

C

FF

I

X1

I

X2

Q

P6

Q

P8

M

N51

重复每个

电平转换器

M

N52

Q

P7

Q

P9

M

N3

M

N5

M

N4

M

N6

M

N7

M

N9

M

N8

M

N10

M

N13

M

N14

Q

N5

M

N11

V

EE

Q

N2

V

CC

Q

C

2

M

P13

M

P14

M

N12

Q

I

X3

3

HI-201HS

绝对最大额定值

电源电压（V +至V-）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 36V

数字输入电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。（V +） + 4V至（ V-） -4V

模拟输入电压（单开关）。。。。。。。（V +） + 2.0V至（ V - ） -2.0V

峰值电流， S或D（脉冲为1ms ， 10 ％占空比最大）。。。。 50毫安

连续电流的任何终端（除S或D ）。。。。。。。。。 25毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

θ

JC

(

o

C / W ）

CERDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。

80

30

PDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

90

不适用

PLCC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

80

不适用

SOIC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

100

不适用

最高结温

陶瓷封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 175

o

C

塑料包装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度。。。。。。。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC ， PLCC - 只会导致TIPS）

工作条件

温度范围

HI- 201HS -2。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至125

o

C

HI- 201HS -4。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -25

o

C至85

o

C

HI- 201HS -5。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0

o

C至75

o

C

HI- 201HS - 9 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40

o

C至85

o

C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

1.

θ

JA

测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。

电气连接特定的阳离子

耗材= + 15V ， -15V ; V

AH

（逻辑高电平） = 2.4V ，V

AL

（逻辑低电平） = + 0.8V ， GND = 0V ，

除非另有规定编

TEST

条件

温度

(

o

C)

-2

民

典型值

最大

民

-4, -5, -9

典型值

最大

单位

参数

动态特性

开关导通时间，T

ON

开关关断时间，T

OFF1

开关关断时间，T

OFF2

输出建立时间

电荷注入，Q

关断隔离

相声

输入开关电容，C

S（ OFF）

输出开关电容

C

D（关闭）

C

D（上）

数字输入电容，C

A

漏极 - 源极电容，C

DS （关闭）

数字输入特性

输入低阈值，V

AL

输入高阈值，V

AH

（注3）

到0.1％

（注6 ）

（注4 ）

（注5 ）

25

-

30

40

150

180

10

72

86

10

30

18

0.5

50

-

30

40

150

180

10

72

86

10

30

18

0.5

50

-

ns

pC

dB

pF

满

25

满

-

2.0

2.4

-

200

-

20

-

0.8

-

500

-

40

-

2.0

2.4

-

200

-

20

-

0.8

-

500

-

40

V

A

输入漏电流（低），我

AL

25

满

输入漏电流（高），我

AH

V

AH

= 4.0V

25

满

模拟开关特性

模拟信号范围，V

S

导通电阻，R

ON

（注2 ）

满

25

满

-15

-

30

-

+15

50

75

-15

-

30

-

+15

50

75

V

4

HI-201HS

电气连接特定的阳离子

耗材= + 15V ， -15V ; V

AH

（逻辑高电平） = 2.4V ，V

AL

（逻辑低电平） = + 0.8V ， GND = 0V ，

除非另有规定编

（续）

TEST

条件

温度

(

o

C)

25

满

关闭输出漏电流，I

D（关闭）

25

满

漏电电流，I

D（上）

25

满

电源特性

（注7 ）

功耗，P

D

25

满

电流I + （引脚13）

25

满

目前，I- （引脚4 ）

25

满

注意事项：

2. V

OUT

=

±10V,

I

OUT

=为1mA。

3. R

L

= 1kΩ的，C

L

= 35pF ，V

IN

= +10V, V

A

= + 3V 。（参见图1）。

4. V

A

= 3V ，R

L

= 1kΩ的，C

L

= 10pF的，V

IN

= 3V

RMS

中，f = 100kHz的。

5. V

A

= 3V ，R

L

= 1kΩ的，V

IN

= 3V

RMS

中，f = 100kHz的。

6. C

L

= 1nF的，V

IN

= 0V ，Q = C

L

x

V

O

.

7. V

A

= 3V或V

A

= 0的所有交换机。

-

120

-

4.5

-

3.5

-

240

-

10.0

-

6

-

120

-

4.5

-

3.5

-

240

-

10.0

-

6

mW

mA

-2

民

-

典型值

3

0.3

-

0.3

-

0.1

-

最大

-

10

100

10

100

10

100

民

-

-4, -5, -9

典型值

3

0.3

-

0.3

-

0.1

-

最大

-

10

50

10

50

10

50

单位

%

nA

参数

r

ON

MATCH

关闭输入漏电流，I

S（ OFF）

测试电路和波形

V

= 3.0V

数字

AH

输入

50%

V

AL

= 0V

50%

t

OFF1

t

ON

90%

开关

产量

0V

90%

t

OFF2

10%

TOP ：逻辑输入（ 2V / DIV） BOTTOM ：输出（ 5V / DIV）

水平：为100ns /格。

图1A 。测量点

图1B 。波形

5

HI-201HS

数据表

2004年9月

FN3123.4

高速，四通道SPST CMOS模拟

开关

在HI - 201HS是一款单芯片CMOS模拟开关

具有非常快的开关速度和低导通电阻。

该集成电路包括四个独立

可选的单刀单掷开关，其引脚与兼容

行业标准的HI- 201开关。

使用硅栅技术和Intersil的制作

介质隔离工艺，这种TTL兼容的设备报价

在以前提供的CMOS模拟性能改进

开关。具有50ns的最大开关时间，低开

最大50Ω的电阻，以及一个较宽的模拟信号范围内，则

HI- 201HS是专为任何应用程序在提升

交换性能，特别是开关速度，是必需的。

上的设计与应用（更详细的讨论

HI- 201HS可在应用笔记AN543找到。）

特点

无铅可作为一种选择

快速开关时间

- t

ON

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为30ns

- t

关闭

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为40ns

低“ON”电阻。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30Ω

引脚兼容标准的HI- 201

宽模拟电压范围（ ±15V电源）。。。。。。。

±15V

低电荷注入（ ±15V电源）。。。。。。。。。。 10PC

TTL兼容

对称模拟开关电流范围。。。。。 80毫安

应用

高速多路复用

高频模拟开关

订购信息

产品型号

HI1-0201HS-2

HI1-0201HS-4

HI1-0201HS-5

HI3-0201HS-5

HI3-0201HS-5Z

（见注）

HI9P0201HS-5

HI9P0201HS-5Z

（见注）

HI9P0201HS-9

HI9P0201HS-9Z

（见注）

温度。

范围（° C）

-55至125

-25到85

0-75

包

16 Ld的CERDIP

16 Ld的PDIP

（无铅）

16 Ld的SOIC

（无铅）

16 Ld的SOIC

（无铅）

PKG 。

DWG 。＃

F16.3

采样和保持电路

数字滤波器

运算放大器增益切换网络

F16.3

E16.3

积分器复位电路

引脚

（交换机如图所示为逻辑“1”输入）

HI- 201HS （ CERDIP ， PDIP ， SOIC ）

顶视图

0-75

M16.3

A

1

OUT1

IN1

1

2

3

4

5

6

7

8

16 A

2

15输出2

14 IN2

13 V+

12 NC

11 IN3

10 OUT3

9 A

3

-40到85

M16.3

V-

GND

IN4

OUT4

A

4

注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料

套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡

板终止完成，这是既锡铅和兼容

无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL

分类，可达到或超过无铅峰值回流温度

IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求。

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

HI-201HS

工作原理图

V+

来源

TTL

逻辑

输入

水平

移

和

司机

开关

CELL

门

输入

真值表

逻辑

0

1

开关

ON

关闭

门

漏

产量

V-

原理图

TTL / CMOS基准电路

V+

P41

MP42

MP43

MP44

MP45

开关单元

V+

Q

QN41

QN43

QN42

D41

5V

R42

C48

QP44

QN44

R41

C49

D42

5.6V

QP41

QP42

V-

Q

QN45

V

R1

类似物

IN

MP32

MN33

MN31

MP33

MN32

类似物

OUT

MP31

MN42

V-

MN44

MN45

2

HI-201HS

原理图

（续）

数字输入缓冲器和电平转换器

M

N46

M

P51

M

P52

Q

N6

Q

N8

Q

N7

I

X1

V

R1

I

X2

Q

N9

M

P3

M

P5

M

P6

M

P4

M

P7

M

P9

M

P10

M

P11

M

P12

M

P8

I

Q

I

X3

I

X4

Q

N1

I

Q

C

1

VA

R

1

Q

N4

Q

P1

V

R1

Q

P5

Q

P4

R

3

R

2

Q

P2

C

FF

I

X1

I

X2

Q

P6

Q

P8

M

N51

重复每个

电平转换器

M

N52

Q

P7

Q

P9

M

N3

M

N5

M

N4

M

N6

M

N7

M

N9

M

N8

M

N10

M

N13

M

N14

Q

N5

M

N11

V

EE

Q

N2

V

CC

Q

C

2

M

P13

M

P14

M

N12

Q

I

X3

3

HI-201HS

绝对最大额定值

电源电压（V +至V-）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 36V

数字输入电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。（V +） + 4V至（ V-） -4V

模拟输入电压（单开关）。。。。。。。（V +） + 2.0V至（ V - ） -2.0V

峰值电流， S或D（脉冲为1ms ， 10 ％占空比最大）。。。。 50毫安

连续电流的任何终端（除S或D ）。。。。。。。。。 25毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

θ

JC

(

o

C / W ）

CERDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。

80

20

PDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

90

不适用

SOIC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

100

不适用

最高结温

陶瓷封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 175

o

C

塑料包装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度。。。。。。。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围

HI- 201HS -2。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至125

o

C

HI- 201HS -4。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -25

o

C至85

o

C

HI- 201HS -5。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0

o

C至75

o

C

HI- 201HS - 9 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40

o

C至85

o

C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

1.

θ

JA

测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。

电气规格

耗材= + 15V ， -15V ; V

AH

（逻辑高电平） = 2.4V ，V

AL

（逻辑低电平） = + 0.8V ， GND = 0V ，

除非另有说明

TEST

条件

温度

(

o

C)

-2

民

典型值

最大

民

-4, -5, -9

典型值

最大

单位

参数

动态特性

开关导通时间，T

ON

开关关断时间，T

OFF1

开关关断时间，T

OFF2

输出建立时间

电荷注入，Q

关断隔离

相声

输入开关电容，C

S（ OFF）

输出开关电容

C

D（关闭）

C

D（上）

数字输入电容，C

A

漏极 - 源极电容，C

DS （关闭）

数字输入特性

输入低阈值，V

AL

输入高阈值，V

AH

（注3）

到0.1％

（注6 ）

（注4 ）

（注5 ）

25

-

30

40

150

180

10

72

86

10

30

18

0.5

50

-

30

40

150

180

10

72

86

10

30

18

0.5

50

-

ns

pC

dB

pF

满

25

满

-

2.0

2.4

-

200

-

20

-

0.8

-

500

-

40

-

2.0

2.4

-

200

-

20

-

0.8

-

500

-

40

V

A

输入漏电流（低），我

AL

25

满

输入漏电流（高），我

AH

V

AH

= 4.0V

25

满

模拟开关特性

模拟信号范围，V

S

导通电阻，R

ON

（注2 ）

满

25

满

-15

-

30

-

+15

50

75

-15

-

30

-

+15

50

75

V

4

HI-201HS

电气规格

耗材= + 15V ， -15V ; V

AH

（逻辑高电平） = 2.4V ，V

AL

（逻辑低电平） = + 0.8V ， GND = 0V ，

除非另有说明

（续）

TEST

条件

温度

(

o

C)

25

满

关闭输出漏电流，I

D（关闭）

25

满

漏电电流，I

D（上）

25

满

电源特性

（注7 ）

功耗，P

D

25

满

电流I + （引脚13）

25

满

目前，I- （引脚4 ）

25

满

注意事项：

2. V

OUT

=

±10V,

I

OUT

=为1mA。

3. R

L

= 1kΩ的，C

L

= 35pF ，V

IN

= +10V, V

A

= + 3V 。（参见图1）。

4. V

A

= 3V ，R

L

= 1kΩ的，C

L

= 10pF的，V

IN

= 3V

RMS

中，f = 100kHz的。

5. V

A

= 3V ，R

L

= 1KΩ ，V

IN

= 3V

RMS

中，f = 100kHz的。

6. C

L

= 1nF的，V

IN

= 0V ，Q = C

L

x

V

O

.

7. V

A

= 3V或V

A

= 0的所有交换机。

-

120

-

4.5

-

3.5

-

240

-

10.0

-

6

-

120

-

4.5

-

3.5

-

240

-

10.0

-

6

mW

mA

-2

民

-

典型值

3

0.3

-

0.3

-

0.1

-

最大

-

10

100

10

100

10

100

民

-

-4, -5, -9

典型值

3

0.3

-

0.3

-

0.1

-

最大

-

10

50

10

50

10

50

单位

%

nA

参数

r

ON

MATCH

关闭输入漏电流，I

S（ OFF）

测试电路和波形

= 3.0V

V

数字

AH

输入

50%

V

AL

= 0V

50%

t

OFF1

t

ON

90%

开关

产量

0V

90%

t

OFF2

10%

TOP ：逻辑输入（ 2V / DIV） BOTTOM ：输出（ 5V / DIV）

水平：为100ns /格。

图1A 。测量点

图1B 。波形

5

HI-201HS

数据表

1999年7月

网络文件编号

3123.2

高速，四通道SPST CMOS模拟

开关

在HI - 201HS是一款单芯片CMOS模拟开关

具有非常快的开关速度和低导通电阻。

该集成电路包括四个独立

可选的单刀单掷开关，其引脚与兼容

行业标准的HI- 201开关。

使用硅栅技术和Intersil的制作

介质隔离工艺，这种TTL兼容的设备报价

在以前提供的CMOS模拟性能改进

开关。最大特色

切换为50ns的时间，升

开流

最大50Ω的电阻，以及一个较宽的模拟信号范围内，则

HI- 201HS是专为任何应用程序在提升

交换性能，特别是开关速度，是必需的。

上的设计与应用（更详细的讨论

HI- 201HS可在应用笔记AN543找到。）

特点

快速开关时间

- t

ON

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为30ns

- t

关闭

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为40ns

低“ON”电阻。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30Ω

引脚兼容标准的HI- 201

宽模拟电压范围（ ±15V电源）。。。。。。。

±15V

低电荷注入（ ±15V电源）。。。。。。。。。。 10PC

TTL兼容

对称模拟开关电流范围。。。。。 80毫安

应用

高速多路复用

高频模拟开关

订购信息

产品型号

HI1-0201HS-2

HI1-0201HS-4

HI1-0201HS-5

HI3-0201HS-5

HI4P0201HS-5

HI9P0201HS-5

HI9P0201HS-9

温度。

RANGE （

o

C)

-55至125

-25到85

0-75

-40到85

包

16 Ld的CERDIP

16 Ld的PDIP

20 Ld的PLCC

16 Ld的SOIC

PKG 。

号

F16.3

E16.3

N20.35

M16.3

采样和保持电路

数字滤波器

运算放大器连接器增益切换网络

积分器复位电路

引脚配置

（交换机如图所示为逻辑“1”输入）

HI- 201HS （ CERDIP ， PDIP ， SOIC ）

顶视图

HI201HS （ PLCC ）

顶视图

出1

A1

A2

1

20

输出2

19

A

1

OUT1

IN1

V-

GND

IN4

OUT4

A

4

1

2

3

4

5

6

7

8

16 A

2

15输出2

14 IN2

13 V+

12 NC

11 IN3

10 OUT3

9 A

3

IN 1 4

V- 5

6

7 GND

在4月8日

3

2

18年2

17 V+

16

15

14 3

9

出4

10

A4

11

12

A3

13

OUT 3

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

HI-201HS

工作原理图

V+

来源

TTL

逻辑

输入

水平

移

和

司机

开关

CELL

门

输入

真值表

逻辑

0

1

开关

ON

关闭

漏

产量

V-

原理图

TTL / CMOS基准电路

V+

P41

MP42

MP43

MP44

MP45

开关单元

V+

Q

QN41

QN43

QN42

D41

5V

R42

C48

QP44

QN44

R41

C49

D42

5.6V

QP41

QP42

V-

Q

QN45

V

R1

类似物

IN

MP32

MN33

MN31

MP33

MN32

类似物

OUT

MP31

MN42

V-

MN44

MN45

2

HI-201HS

原理图

（续）

数字输入缓冲器和电平转换器

M

N46

M

P51

M

P52

Q

N6

Q

N8

Q

N7

I

X1

V

R1

I

X2

Q

N9

M

P3

M

P5

M

P6

M

P4

M

P7

M

P9

M

P10

M

P11

M

P12

M

P8

I

Q

I

X3

I

X4

Q

N1

I

Q

C

1

VA

R

1

Q

N4

Q

P1

V

R1

Q

P5

Q

P4

R

3

R

2

Q

P2

C

FF

I

X1

I

X2

Q

P6

Q

P8

M

N51

重复每个

电平转换器

M

N52

Q

P7

Q

P9

M

N3

M

N5

M

N4

M

N6

M

N7

M

N9

M

N8

M

N10

M

N13

M

N14

Q

N5

M

N11

V

EE

Q

N2

V

CC

Q

C

2

M

P13

M

P14

M

N12

Q

I

X3

3

HI-201HS

绝对最大额定值

电源电压（V +至V-）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 36V

数字输入电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。（V +） + 4V至（ V-） -4V

模拟输入电压（单开关）。。。。。。。（V +） + 2.0V至（ V - ） -2.0V

峰值电流， S或D（脉冲为1ms ， 10 ％占空比最大）。。。。 50毫安

连续电流的任何终端（除S或D ）。。。。。。。。。 25毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

θ

JC

(

o

C / W ）

CERDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。

80

30

PDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

90

不适用

PLCC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

80

不适用

SOIC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

100

不适用

最高结温

陶瓷封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 175

o

C

塑料包装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度。。。。。。。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC ， PLCC - 只会导致TIPS）

工作条件

温度范围

HI- 201HS -2。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至125

o

C

HI- 201HS -4。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -25

o

C至85

o

C

HI- 201HS -5。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0

o

C至75

o

C

HI- 201HS - 9 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40

o

C至85

o

C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

1.

θ

JA

测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。

电气连接特定的阳离子

耗材= + 15V ， -15V ; V

AH

（逻辑高电平） = 2.4V ，V

AL

（逻辑低电平） = + 0.8V ， GND = 0V ，

除非另有规定编

TEST

条件

温度

(

o

C)

-2

民

典型值

最大

民

-4, -5, -9

典型值

最大

单位

参数

动态特性

开关导通时间，T

ON

开关关断时间，T

OFF1

开关关断时间，T

OFF2

输出建立时间

电荷注入，Q

关断隔离

相声

输入开关电容，C

S（ OFF）

输出开关电容

C

D（关闭）

C

D（上）

数字输入电容，C

A

漏极 - 源极电容，C

DS （关闭）

数字输入特性

输入低阈值，V

AL

输入高阈值，V

AH

（注3）

到0.1％

（注6 ）

（注4 ）

（注5 ）

25

-

30

40

150

180

10

72

86

10

30

18

0.5

50

-

30

40

150

180

10

72

86

10

30

18

0.5

50

-

ns

pC

dB

pF

满

25

满

-

2.0

2.4

-

200

-

20

-

0.8

-

500

-

40

-

2.0

2.4

-

200

-

20

-

0.8

-

500

-

40

V

A

输入漏电流（低），我

AL

25

满

输入漏电流（高），我

AH

V

AH

= 4.0V

25

满

模拟开关特性

模拟信号范围，V

S

导通电阻，R

ON

（注2 ）

满

25

满

-15

-

30

-

+15

50

75

-15

-

30

-

+15

50

75

V

4

HI-201HS

电气连接特定的阳离子

耗材= + 15V ， -15V ; V

AH

（逻辑高电平） = 2.4V ，V

AL

（逻辑低电平） = + 0.8V ， GND = 0V ，

除非另有规定编

（续）

TEST

条件

温度

(

o

C)

25

满

关闭输出漏电流，I

D（关闭）

25

满

漏电电流，I

D（上）

25

满

电源特性

（注7 ）

功耗，P

D

25

满

电流I + （引脚13）

25

满

目前，I- （引脚4 ）

25

满

注意事项：

2. V

OUT

=

±10V,

I

OUT

=为1mA。

3. R

L

= 1kΩ的，C

L

= 35pF ，V

IN

= +10V, V

A

= + 3V 。（参见图1）。

4. V

A

= 3V ，R

L

= 1kΩ的，C

L

= 10pF的，V

IN

= 3V

RMS

中，f = 100kHz的。

5. V

A

= 3V ，R

L

= 1kΩ的，V

IN

= 3V

RMS

中，f = 100kHz的。

6. C

L

= 1nF的，V

IN

= 0V ，Q = C

L

x

V

O

.

7. V

A

= 3V或V

A

= 0的所有交换机。

-

120

-

4.5

-

3.5

-

240

-

10.0

-

6

-

120

-

4.5

-

3.5

-

240

-

10.0

-

6

mW

mA

-2

民

-

典型值

3

0.3

-

0.3

-

0.1

-

最大

-

10

100

10

100

10

100

民

-

-4, -5, -9

典型值

3

0.3

-

0.3

-

0.1

-

最大

-

10

50

10

50

10

50

单位

%

nA

参数

r

ON

MATCH

关闭输入漏电流，I

S（ OFF）

测试电路和波形

V

= 3.0V

数字

AH

输入

50%

V

AL

= 0V

50%

t

OFF1

t

ON

90%

开关

产量

0V

90%

t

OFF2

10%

TOP ：逻辑输入（ 2V / DIV） BOTTOM ：输出（ 5V / DIV）

水平：为100ns /格。

图1A 。测量点

图1B 。波形

5

HI-201HS

数据表

2004年9月

FN3123.4

高速，四通道SPST CMOS模拟

开关

在HI - 201HS是一款单芯片CMOS模拟开关

具有非常快的开关速度和低导通电阻。

该集成电路包括四个独立

可选的单刀单掷开关，其引脚与兼容

行业标准的HI- 201开关。

使用硅栅技术和Intersil的制作

介质隔离工艺，这种TTL兼容的设备报价

在以前提供的CMOS模拟性能改进

开关。具有50ns的最大开关时间，低开

最大50Ω的电阻，以及一个较宽的模拟信号范围内，则

HI- 201HS是专为任何应用程序在提升

交换性能，特别是开关速度，是必需的。

上的设计与应用（更详细的讨论

HI- 201HS可在应用笔记AN543找到。）

特点

无铅可作为一种选择

快速开关时间

- t

ON

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为30ns

- t

关闭

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为40ns

低“ON”电阻。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30Ω

引脚兼容标准的HI- 201

宽模拟电压范围（ ±15V电源）。。。。。。。

±15V

低电荷注入（ ±15V电源）。。。。。。。。。。 10PC

TTL兼容

对称模拟开关电流范围。。。。。 80毫安

应用

高速多路复用

高频模拟开关

订购信息

产品型号

HI1-0201HS-2

HI1-0201HS-4

HI1-0201HS-5

HI3-0201HS-5

HI3-0201HS-5Z

（见注）

HI9P0201HS-5

HI9P0201HS-5Z

（见注）

HI9P0201HS-9

HI9P0201HS-9Z

（见注）

温度。

范围（° C）

-55至125

-25到85

0-75

包

16 Ld的CERDIP

16 Ld的PDIP

（无铅）

16 Ld的SOIC

（无铅）

16 Ld的SOIC

（无铅）

PKG 。

DWG 。＃

F16.3

采样和保持电路

数字滤波器

运算放大器增益切换网络

F16.3

E16.3

积分器复位电路

引脚

（交换机如图所示为逻辑“1”输入）

HI- 201HS （ CERDIP ， PDIP ， SOIC ）

顶视图

0-75

M16.3

A

1

OUT1

IN1

1

2

3

4

5

6

7

8

16 A

2

15输出2

14 IN2

13 V+

12 NC

11 IN3

10 OUT3

9 A

3

-40到85

M16.3

V-

GND

IN4

OUT4

A

4

注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料

套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡

板终止完成，这是既锡铅和兼容

无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL

分类，可达到或超过无铅峰值回流温度

IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求。

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

HI-201HS

工作原理图

V+

来源

TTL

逻辑

输入

水平

移

和

司机

开关

CELL

门

输入

真值表

逻辑

0

1

开关

ON

关闭

门

漏

产量

V-

原理图

TTL / CMOS基准电路

V+

P41

MP42

MP43

MP44

MP45

开关单元

V+

Q

QN41

QN43

QN42

D41

5V

R42

C48

QP44

QN44

R41

C49

D42

5.6V

QP41

QP42

V-

Q

QN45

V

R1

类似物

IN

MP32

MN33

MN31

MP33

MN32

类似物

OUT

MP31

MN42

V-

MN44

MN45

2

HI-201HS

原理图

（续）

数字输入缓冲器和电平转换器

M

N46

M

P51

M

P52

Q

N6

Q

N8

Q

N7

I

X1

V

R1

I

X2

Q

N9

M

P3

M

P5

M

P6

M

P4

M

P7

M

P9

M

P10

M

P11

M

P12

M

P8

I

Q

I

X3

I

X4

Q

N1

I

Q

C

1

VA

R

1

Q

N4

Q

P1

V

R1

Q

P5

Q

P4

R

3

R

2

Q

P2

C

FF

I

X1

I

X2

Q

P6

Q

P8

M

N51

重复每个

电平转换器

M

N52

Q

P7

Q

P9

M

N3

M

N5

M

N4

M

N6

M

N7

M

N9

M

N8

M

N10

M

N13

M

N14

Q

N5

M

N11

V

EE

Q

N2

V

CC

Q

C

2

M

P13

M

P14

M

N12

Q

I

X3

3

HI-201HS

绝对最大额定值

电源电压（V +至V-）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 36V

数字输入电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。（V +） + 4V至（ V-） -4V

模拟输入电压（单开关）。。。。。。。（V +） + 2.0V至（ V - ） -2.0V

峰值电流， S或D（脉冲为1ms ， 10 ％占空比最大）。。。。 50毫安

连续电流的任何终端（除S或D ）。。。。。。。。。 25毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

θ

JC

(

o

C / W ）

CERDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。

80

20

PDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

90

不适用

SOIC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

100

不适用

最高结温

陶瓷封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 175

o

C

塑料包装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度。。。。。。。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围

HI- 201HS -2。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至125

o

C

HI- 201HS -4。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -25

o

C至85

o

C

HI- 201HS -5。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0

o

C至75

o

C

HI- 201HS - 9 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40

o

C至85

o

C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

1.

θ

JA

测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。

电气规格

耗材= + 15V ， -15V ; V

AH

（逻辑高电平） = 2.4V ，V

AL

（逻辑低电平） = + 0.8V ， GND = 0V ，

除非另有说明

TEST

条件

温度

(

o

C)

-2

民

典型值

最大

民

-4, -5, -9

典型值

最大

单位

参数

动态特性

开关导通时间，T

ON

开关关断时间，T

OFF1

开关关断时间，T

OFF2

输出建立时间

电荷注入，Q

关断隔离

相声

输入开关电容，C

S（ OFF）

输出开关电容

C

D（关闭）

C

D（上）

数字输入电容，C

A

漏极 - 源极电容，C

DS （关闭）

数字输入特性

输入低阈值，V

AL

输入高阈值，V

AH

（注3）

到0.1％

（注6 ）

（注4 ）

（注5 ）

25

-

30

40

150

180

10

72

86

10

30

18

0.5

50

-

30

40

150

180

10

72

86

10

30

18

0.5

50

-

ns

pC

dB

pF

满

25

满

-

2.0

2.4

-

200

-

20

-

0.8

-

500

-

40

-

2.0

2.4

-

200

-

20

-

0.8

-

500

-

40

V

A

输入漏电流（低），我

AL

25

满

输入漏电流（高），我

AH

V

AH

= 4.0V

25

满

模拟开关特性

模拟信号范围，V

S

导通电阻，R

ON

（注2 ）

满

25

满

-15

-

30

-

+15

50

75

-15

-

30

-

+15

50

75

V

4

HI-201HS

电气规格

耗材= + 15V ， -15V ; V

AH

（逻辑高电平） = 2.4V ，V

AL

（逻辑低电平） = + 0.8V ， GND = 0V ，

除非另有说明

（续）

TEST

条件

温度

(

o

C)

25

满

关闭输出漏电流，I

D（关闭）

25

满

漏电电流，I

D（上）

25

满

电源特性

（注7 ）

功耗，P

D

25

满

电流I + （引脚13）

25

满

目前，I- （引脚4 ）

25

满

注意事项：

2. V

OUT

=

±10V,

I

OUT

=为1mA。

3. R

L

= 1kΩ的，C

L

= 35pF ，V

IN

= +10V, V

A

= + 3V 。（参见图1）。

4. V

A

= 3V ，R

L

= 1kΩ的，C

L

= 10pF的，V

IN

= 3V

RMS

中，f = 100kHz的。

5. V

A

= 3V ，R

L

= 1KΩ ，V

IN

= 3V

RMS

中，f = 100kHz的。

6. C

L

= 1nF的，V

IN

= 0V ，Q = C

L

x

V

O

.

7. V

A

= 3V或V

A

= 0的所有交换机。

-

120

-

4.5

-

3.5

-

240

-

10.0

-

6

-

120

-

4.5

-

3.5

-

240

-

10.0

-

6

mW

mA

-2

民

-

典型值

3

0.3

-

0.3

-

0.1

-

最大

-

10

100

10

100

10

100

民

-

-4, -5, -9

典型值

3

0.3

-

0.3

-

0.1

-

最大

-

10

50

10

50

10

50

单位

%

nA

参数

r

ON

MATCH

关闭输入漏电流，I

S（ OFF）

测试电路和波形

= 3.0V

V

数字

AH

输入

50%

V

AL

= 0V

50%

t

OFF1

t

ON

90%

开关

产量

0V

90%

t

OFF2

10%

TOP ：逻辑输入（ 2V / DIV） BOTTOM ：输出（ 5V / DIV）

水平：为100ns /格。

图1A 。测量点

图1B 。波形

5