HMC-ALH435
v03.1009
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器，5 - 20 GHz的
特点
噪声系数： 2.2分贝@ 12 GHz的
增益：13 dB的14 GHz的
的P1dB输出功率： +16 dBm的@ 12 GHz的
电源电压： + 5V @ 30毫安
模具尺寸： 1.48 ×0.9× 0.1毫米
1
低噪声放大器 - CHIP
典型应用
这HMC- ALH435是理想的：
宽带通信系统
监控系统
点至点收音机
点到多点收音机
军事&空间
测试仪表
- 甚小孔径终端
工作原理图
概述
该HMC- ALH435是GaAs HEMT MMIC低噪声
宽带放大器死这间5动作
和20 GHz 。该放大器提供的增益为13 dB时，
2.2分贝噪声系数在12 GHz和+16 dBm的输出
功率为1 dB增益压缩，而只需要
30毫安从+ 5V的电源电压。该HMC- ALH435
放大器非常适合集成到多芯片级
芯片模块（MCM ） ，由于其体积小。
电气电源规格
,
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V +
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出IP3
输出功率为1 dB压缩
电源电流（ IDD）
（ VDD = 5V ， VGG1 = -0.5V典型值， Vgg2 = 1.5V典型值）
*除另有说明外，所有的测量是从探测模
10
分钟。
典型值。
5 - 20
13
0.02
2.2
5
10
25
16
30
2.6
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
1 - 180
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH435
v03.1009
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器，5 - 20 GHz的
线性增益与频率
16
噪声系数与频率的关系
4
输出回波损耗（dB ）
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 181
12
增益（dB ）
3
8
2
4
1
0
2
6
10
14
18
22
26
30
频率（GHz ）
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
输入回波损耗与频率的关系
0
输出回波损耗与频率
0
-2
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
2
6
10
14
18
22
26
30
-4
-4
-8
-6
-12
-8
-16
-10
频率（GHz ）
-20
2
6
10
14
18
22
26
30
频率（GHz ）
的P1dB与频率的关系
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HMC-ALH435
v03.1009
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器，5 - 20 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
绝对最大额定值
漏偏置电压
RF输入功率
通道温度
连续功率PDISS （T = 85°C ）
减免4.7毫瓦/ ° C以上85°C
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+5.5伏
15 dBm的
180 °C
0.45 W
213.3 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 2 （胶装）
备用
[2]
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.典型焊接区0.004 “广场。
3.背面金属：金。
4.背面金属接地。
5.焊盘金属化：黄金。
6.连接不需要的未标记的焊垫。
7.总之DIE SIZE ± 0.002 “
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
1 - 182
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HMC-ALH435
v03.1009
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器，5 - 20 GHz的
PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
描述
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
门控制放大器。请遵守“ MMIC放大器偏压
ING程序“应用笔记。请参阅组装所需
的外部元件。
接口示意图
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 183
2
Vgg1
3
Vgg2
门控制放大器。请遵守“ MMIC放大器偏压
ING程序“应用笔记。请参阅组装所需
的外部元件。
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
4
RFOUT
5
VDD
电源电压放大器。看到组件
所需的外部元件。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
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HMC-ALH435
v03.1009
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器，5 - 20 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
装配图
注1 ：旁路电容应为100 pF的（约）陶瓷（单层）放在比从放大器30密耳无远。
注2： 0.5密耳缎带上的输入和输出采用<10密耳（长） 3获得最佳的性能。
1 - 184
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
典型应用
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
光纤调制器驱动偏置
CATV激光驱动器偏置
蜂窝基站
无线基础设备
特点
门自动电压调整（无需校准
必需）
电源电压： 4V至12V
数字电压： 3.3V至5V
同时控制增强型和耗尽型
器件
可调漏极电流高达200mA
吸入/源栅电流能力
可选的内部负电压产生的
可以禁止使用外部负电压轨
快速启用/禁用
触发-OUT输出为菊花链上电和
断电排序
13
偏置控制器 - SMT
工作原理图
概述
HMC981是一个有源偏置控制器可以自动
调整外部放大器的栅极电压
实现恒定的偏置电流。它可用于
偏向任何增强和耗尽型放大器
在经营A级与漏极电压政权
4V至12V和漏极电流高达200mA ，提供
完整的偏置方案。
HMC981实现了出色的电源偏置稳定性，
温度和过程变化，并且消除
所需的校准程序通常使用
为了防止由于这样的RF性能下降
的变化。
这里所示的所有数据被取适当的探针。
13 - 1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 8V ， VDIG = 3.3V ，消耗硕士
除非另有说明
参数
电源电压
符号
VDD
VDD = 4V
VDD静态电流
国际直拨电话
VDD = 8V
VDIG静态电流
负电压输出
振荡器频率
参考电压
使能输入阈值
切换输入阈值
短路禁止输入阈值
VDRAIN特点
漏电流调节范围
漏极电流的变化在数字电压
漏电流变化过温
排水范围
VDRAIN更改过温
VNEG特点
负电压输出
VNEG灌电流
VGATE特点
栅电流供应
VGATE低水平
VGATE高层
VG2特点
VG2电流供应
VG2调整范围
VDIG特点
调整范围
VDIG静态电流
软件特性
内部开关电阻
RDS -ON
SW = GND
SW = VDIG
10
5
欧姆
欧姆
VDIG
IDIG
VDD = 8 V ，
VDIG = EN = 3.3 V
3.3
3
5
V
mA
IG2
VG2
VG2<1.5V
VG2>1.5V
-0.1
-1
1
0.1
1
VDD-1.3
mA
mA
V
IG
VG_Min
VG_MaX
-0.8
VNEG
VNEG+4.5
0.8
mA
V
V
VNEG
INEG
VDD = 4V
VDD = 8V
0
0
-2.5
8
15
V
mA
mA
IDRAIN
SW = GND
SW = VDIG
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
4
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
1.5
20
80
0.4
0.02
12
80
200
mA
mA
%/V
%/C
V
%/C
IDIG
VNEG
FOSC
VREF
enthrs
sWthrs
DSCTHRS
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
1.4
1.4
1
1.4
1
EN = VDIG
EN = GND
EN = VDIG
EN = GND
条件
分钟。
4
7
3
7.5
4
3
5
-2.5
300
1.42
1
典型值。
马克斯。
12
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
千赫
V
V
V
V
V
V
V
VDIG = 3.3 V
VDIG = 5 V
13
偏置控制器 - SMT
13 - 2
ΔiDrainV
VDRAIN
ΔVDrain
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
负载调节@ VDD = 6V ， VDIG = 3.3V ，
SW = GND
6.5
负载调节@ VDD = 8V ，
SW=VDIG=3.3V
8.5
6
8
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
5.5
7.5
5
7
4.5
20
30
40
50
IDRAIN （毫安）
60
70
80
6.5
80
100
120
140
IDRAIN （毫安）
160
180
200
13
偏置控制器 - SMT
55
54
IDRAIN与VDIG
[1][2]
VNEG线路调整与电源电压
-2.45
空载条件
+25C
+85C
-55C
-2.47
IDRAIN （毫安）
VNEG （ V）
+25C
+85C
-55C
53
-2.49
52
-2.51
51
-2.53
50
3.3
3.7
4.1
VDIG （ V）
4.5
4.9
-2.55
4
6
8
电源电压（ V）
10
12
VNEG负载调节@ VDD = 4V
-2.3
VNEG负载调节@ VDD = 12V
-2.3
-2.4
-2.4
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-2.5
-2.5
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.7
0
2
4
6
INEG （毫安）
8
10
-2.7
0
4
8
INEG （毫安）
12
16
[1] IDRAIN设为53毫安
[2] HMC465LP5用作外部放大器
13 - 3
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
ENABLE波形
8
6
4
禁用波形
8
6
4
电压（V）的
电压（V）的
2
0
-2
-4
-6
-8
0
2
4
6
时间（ms）
8
10
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
2
0
-2
-4
-6
-8
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
14
16
时间（ms）
18
20
13
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
电压（V）的
电压（V）的
4
2
0
-2
-4
0
10
4
2
0
-2
-4
20
30
时间（ms）
40
50
0
20
40
60
时间（ms）
80
100
VNEG负载瞬态VDD = 4V
-0.8
20
VNEG负载瞬态VDD = 6V
-2.4
-2.425
15
10
5
-1.3
10
-2.45
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-1.8
0
-2.475
-2.5
-2.525
0
-5
-2.3
-10
-10
-15
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-2.8
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-20
-2.55
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13 - 4
偏置控制器 - SMT
上电波形
关断波形
INEG （毫安）
INEG （毫安）
HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
VGATE负载调节@ VDD = 6V
1
0.5
0
VG2负载调节@ VDD = 6V
5
4.5
4
3.5
VGATE （ V）
VG2 （ V）
+25C
+85C
-55C
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-1.25
-1
-0.75 -0.5 -0.25
0
0.25
0.5
0.75
3
2.5
2
1.5
1
0.5
VG2=0.9V
VG2=1.78V
VG2=2.74V
VG2=3.71V
1
1.25
0
-2
-1.5
-1
-0.5
0
IG2 （毫安）
0.5
1
1.5
2
13
偏置控制器 - SMT
IG （毫安）
13 - 5
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