【HV739高速± 100V 3.0A超声脉冲发生器特点HVCMOS技术用于高性能高密度集成的超声波发】,IC型号HV739,HV739 PDF资料,HV739经销商,ic,电子元器件-51电子网

HV739

高速± 100V 3.0A超声脉冲发生器

特点

HVCMOS技术用于高性能

高密度集成的超声波发射器

双极± 100V或单极0 200V输出电压

± 3A的源和汇的峰值电流

高达10MHz的操作频率

匹配的延迟时间

1.8V至5.0V CMOS逻辑接口

在温度传感

欠压保护

概述

Supertex公司HV739是一款单声道单片200V

3.0A高速脉冲发生器。它是专为无损检测和医学

超声波应用。这种高电压和高电流

集成电路也可用于其它压电

在超声换能器和声纳电容或MEMS传感器

游侠的应用程序。

HV739由控制器逻辑接口电路，电压

电平转换器， MOSFET栅极驱动器和大电流电源

P沟道和N沟道功率MOSFET作为输出

阶段。

HV739的输出级被设计成提供输出

峰值电流在3.3A高达200V摆动。的P-和N-

通道功率FET栅极驱动器由两个浮动供应

10 12VDC电源参考V

PP

和V

NN

。这

栅极驱动器直接耦合拓扑结构不仅节约了2

每个通道的高压电容器，也使得在PCB

布局更容易。

应用

无损检测超声设备

压电换能器驱动程序

声纳，游侠和溢流计量

典型应用电路

+1.8~5V

C1

V

LL

V

DD

+12V

C2

C3

V

子

+100V +88V

C4

V

PF

V

PP

+100V

C5

HV739

EN

针

EN_PWR

子

V

PP

1.8至5.0V

逻辑输入

水平

翻译者

P- DRIVER

TXP

D1

HV

OUT

1

NIN

OTP

水平

翻译者

N驱动器

V

NN

TXN

D2

X1

R1

温度过高。

GREF

V

SS

V

NF

C7

-88V

V

NN

C6

-100V

HV739

订购信息

封装选项

设备

32引脚QFN

的5x5mm体， 1.0毫米高度（最大），

0.5mm间距

HV739K6-G

HV739

-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）

绝对最大额定值

参数

V

SS

，电源参考

V

LL

，正逻辑电源

V

DD

，正逻辑和电平转换器供应

(V

PP

-V

PF

）正浮动栅极驱动电源

(V

NF

- V

NN

）负栅极浮动驱动电源

(V

PP

-V

NN

）差分高压电源

V

PP

高电压的正电源

V

NN

高电压的负电源

所有的逻辑输入引脚， NIN和EN引脚电压

开漏输出OPT引脚电压

(V

子

- V

PP

）基板V

PP

电压差

(V

PP

-TXP

X

) V

PP

到TXP

X

电压差

(V

子

- TXP

X

）基板TXP

X

电压差

（ TXN

X

-V

NN

） TXN

X

到V

NN

电压差

储存温度

热阻， θ

JA

（ 4层， 1盎司， 4x3in 。 9-经由PCB）的

价值

0V

-0.5V至+ 7V

引脚CON组fi guration

VSUB

VPP

VPF

NC

1

VDD

TXP

NC

TXN

VLL

GREF

EN

-0.5V至+ 14V

-0.5V到+ 220V

-220V至+ 0.5V

针

NIN

OTP

VSS

VNF

NC

VSUB

VNN

NC

-0.5V至+ 14V

+220V

-65 ℃150 ℃的

25°C/W

32引脚QFN

（ TOP VIEW ）

包装标志

HV739

LLLLLL

YYWW

AAACCC

L =批号

YY =年密封

WW =周密封

A =汇编ID

C =原产地

= “绿色”包装

绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏可能

发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续运行

该设备在绝对评价等级会影响器件的可靠性。所有的电压都是

参考器件接地。

32引脚QFN

上电顺序

1

2

3

4

5

6

V

子

V

LL

用逻辑信号为低

V

DD

V

PF

和V

NF

V

PP

和V

NN

逻辑控制信号

断电顺序

1

2

3

4

5

6

所有的逻辑信号到低

V

PP

和V

NN

V

PF

和V

NF

V

DD

V

LL

V

子

2

VSUB

-0.5V至+ 7V

HV739

工作电源电压和电流（ 4路有源）

（工作条件，除非另有规定ED ，V

SS

= 0V,V

LL

= +3.3V, V

DD

= +12V, V

PP

-V

PF

= +12V, V

NN

-V

NF

= -12V, V

PP

= +100V, V

NN

= -100V ，T

A

= 25°C)

符号

V

LL

V

DD

V

PF

V

NF

V

子

V

PP

V

NN

I

LL

I

DDQ

I

DDEN

I

PPQ

I

PPEN

I

NNQ

I

nNEN

I

PFQ

I

PFEN

I

NFQ

I

NFEN

参数

逻辑电压参考

内部电源

正栅极驱动电源

负栅极驱动电源

IC基板电压

正高压电源

负高压电源

V

LL

目前EN =低

V

DD

目前EN =低

V

DD

目前EN =高

V

DD

目前在5.0MHz

V

PP

目前EN =低

V

PP

目前在5.0MHz

V

NN

目前EN =低

V

NN

目前在5.0MHz

V

PF

目前EN =低

V

PF

目前在5.0MHz

V

NF

目前EN =低

V

NF

目前在5.0MHz

民

1.8

10

(V

PP

-12)

(V

NN

+10)

V

DD

0

-220

-

0.1

-

典型值

3.3

12

-

V

PP

-

100

0.3

0.5

1.0

5.6

1.0

5.6

10

12.2

10

6.4

最大

5.0

12.5

(V

PP

-10)

(V

NN

+12)

+220

0

250

-

0.7

-

5.0

-

5.0

-

20

-

20

-

单位条件

V

μA

mA

μA

mA

μA

mA

μA

mA

μA

mA

---

浮动驱动电源电压。

必须连接到最积极

该集成电路的电势。

---

F = 0MHz处

F = 5.0MHz ，无负载

---

F = 5.0MHz ，无负载

---

F = 5.0MHz ，无负载

---

F = 5.0MHz ，无负载

---

F = 5.0MHz ，无负载

DC电气特性

（工作条件，除非另有规定ED ，V

SS

= 0V,V

LL

= +3.3V, V

DD

= +12V, V

PP

-V

PF

= +12V, V

NN

-V

NF

= -12V, V

PP

= +100V, V

NN

= -100V ，T

A

= 25°C)

输出P沟道MOSFET ， TXP

符号

I

OUT

R

ON

C

OSS

参数

输出饱和电流

通道电阻

输出电容

民

3.0

-

典型值

3.3

6.9

87

最大

-

单位条件

A

Ω

pF

1.0Ω负载到地，V

DS

= 12V

I

SD

= 500毫安

V

DS

= 25V ， F = 1.0MHz的

输出N沟道MOSFET ， TXN

符号

I

OUT

R

ON

C

OSS

参数

输出饱和电流

通道电阻

输出电容

民

3.0

-

典型值

3.3

7.0

87

最大

-

单位条件

A

Ω

pF

1.0Ω负载到地，V

DS

= 12V

I

SD

= 500毫安

V

DS

= 25V ， F = 1.0MHz的

逻辑输入

符号

V

IH

V

IL

I

IH

I

IL

C

IN

参数

输入逻辑高电压

输入逻辑低电压

输入逻辑高电流

输入逻辑低电流

输入逻辑电容

民

0.8V

LL

0

-

-10

-

典型值

-

3

最大

V

LL

0.2V

LL

10

-

5.0

单位条件

V

μA

pF

---

HV739

AC电气特性

（工作条件，除非另有规定ED ，V

SS

= 0V, V

LL

= +3.3V, V

DD

= +12V, V

PP

-V

PF

= +12V, V

NN

-V

NF

= -12V, V

PP

= +100V, V

NN

=-100V,T

A

= 25°C)

符号

f

OUT

HD2

t

EN

t

DIS

t

DRP

t

DFP广告管理系统

t

DRN

t

DFN

t

r

t

f

参数

输出频率范围

二次谐波失真

电源启动时间

电源关闭时间

延迟时间的上升时间P沟道

延迟时间下降时间P沟道

延迟时间的上升时间N沟道

延迟时间下降时间N沟道

输出上升时间

输出下降时间

民

-

典型值

-

-35

70

1.0

15

18

50

最大

35

-

250

10

35

65

单位条件

兆赫

dB

μs

ns

220PF // 1.0kΩ负载

100Ω电阻负载

切换时间图

NINx

50%

PINX

t

dr

90%

50%

t

df

V

PP

产量

10%

t

r

t

f

0

10%

V

NN

90%

真值表

逻辑输入

EN

1

0

针

0

1

0

1

X

NIN

0

1

X

TXP

关闭

ON

关闭

在*

关闭

产量

TXN

关闭

ON

在*

关闭

*注意：

不准，可能会损坏IC

4

HV739

+ 200V单极性脉冲发生器

+1.8~5V

C1

V

LL

V

DD

+12V

C2

C3

V

子

+200V +188V

C4

V

PF

V

PP

+200V

C5

HV739

子

EN

针

EN_PWR

V

PP

1.8至5.0V

逻辑输入

水平

翻译者

P- DRIVER

TXP

HV

OUT

1

NIN

OTP

水平

翻译者

N驱动器

V

NN

TXN

X1

温度过高。

GREF

V

SS

V

NF

C7

+12V

V

NN

-200V单极性脉冲发生器

+1.8~5.0V +12V

C1

V

LL

V

DD

C2

C3

V

子

+12V

-12V

C4

V

PF

V

PP

HV739

EN

针

EN_PWR

子

V

PP

1.8至5.0V

逻辑输入

水平

翻译者

P- DRIVER

TXP

HV

OUT

1

NIN

OTP

水平

翻译者

N驱动器

V

NN

TXN

X1

温度过高。

GREF

V

SS

V

NF

C7

-188V

V

NN

C6

-200V

5