HMC-ALH313
v02.0209
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 27 - 33 GHz的
特点
噪声系数： 3分贝
增益： 20分贝
的P1dB输出功率： +12 dBm的
电源电压： + 2.5V @ 52毫安
模具尺寸： 1.80 X 0.73 X 0.1毫米
1
低噪声放大器 - CHIP
典型应用
这HMC- ALH313是理想的：
点至点收音机
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
测试设备&传感器
军事&空间
工作原理图
概述
该HMC- ALH313是一个三阶段的GaAs MMIC
该工作bet- HEMT低噪声放大器芯片
吐温27和33 GHz的。该放大器提供20分贝
增益， 3 dB的噪声系数和+12 dBm的输出
功率为1 dB增益压缩，而只需要
52毫安从+ 2.5V的电源电压。该放大器芯片
非常适合用作低噪声放大器或驱动器放大器，并可
可以很容易地集成到多芯片芯片模块（MCM ）
由于其尺寸小（1.30平方毫米）。
电气电源规格
[1]
,
T
A
= + 25 ° C， VDD = 2.5V ，国际直拨电话= 52毫安
[2]
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1 dB压缩
电源电流
[1]除另有说明外，所有的测量是从探测模
[ 2 ]调整-1V之间VGG到+ 0.3V （典型值-0.3V ），以实现独立同
总
= 52毫安
10
18
分钟。
典型值。
27 - 33
20
0.03
3
12
14
12
52
3.5
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
mA
1 - 150
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH313
v02.0209
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 27 - 33 GHz的
线性增益与频率
25
噪声系数与频率的关系
5
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 151
20
噪声系数（dB ）
26
27
28
29
30
31
32
33
34
增益（dB ）
4
15
3
10
2
5
1
0
频率（GHz ）
0
26
27
28
29
30
31
32
33
34
频率（GHz ）
输入回波损耗与频率的关系
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
26
27
28
29
30
31
32
33
34
频率（GHz ）
输出回波损耗与频率
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
26
27
28
29
30
31
32
33
34
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH313
v02.0209
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 27 - 33 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
绝对最大额定值
漏偏置电压
栅极偏置电压
RF输入功率
通道温度
储存温度
工作温度
+5 VDC
-1至+0.3伏
-3 dBm的
180 °C
-65至+150°C
-55至+85°C
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP- 5 （胶装）
备用
[2]
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.典型焊接区0.004 “广场。
3.背面金属：金。
4.背面金属接地。
5.焊盘金属化：黄金。
6.连接不需要的未标记的焊垫。
7.总之DIE SIZE ± 0.002 “
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
1 - 152
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH313
v02.0209
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 27 - 33 GHz的
PAD说明
盘数
1
2
功能
RFIN
RFOUT
描述
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
电源电压放大器。看到组件
所需的外部元件。
接口示意图
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 153
3
VDD
4
VGG
门控制放大器。请遵守“ MMIC放大器偏压
ING程序“应用笔记。请参阅组装所需
的外部元件。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH313
v02.0209
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 27 - 33 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
装配图
注1 ：旁路电容应为100 pF的（约）陶瓷（单层）放在距离不超过30密耳从放大器
注2： 0.5密耳缎带上的输入和输出采用<10密耳（长） 3获得最佳的性能。
1 - 154
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
典型应用
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
光纤调制器驱动偏置
CATV激光驱动器偏置
蜂窝基站
无线基础设备
特点
门自动电压调整（无需校准
必需）
电源电压： 4V至12V
数字电压： 3.3V至5V
同时控制增强型和耗尽型
器件
可调漏极电流高达200mA
吸入/源栅电流能力
可选的内部负电压产生的
可以禁止使用外部负电压轨
快速启用/禁用
触发-OUT输出为菊花链上电和
断电排序
13
偏置控制器 - SMT
工作原理图
概述
HMC981是一个有源偏置控制器可以自动
调整外部放大器的栅极电压
实现恒定的偏置电流。它可用于
偏向任何增强和耗尽型放大器
在经营A级与漏极电压政权
4V至12V和漏极电流高达200mA ，提供
完整的偏置方案。
HMC981实现了出色的电源偏置稳定性，
温度和过程变化，并且消除
所需的校准程序通常使用
为了防止由于这样的RF性能下降
的变化。
这里所示的所有数据被取适当的探针。
13 - 1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 8V ， VDIG = 3.3V ，消耗硕士
除非另有说明
参数
电源电压
符号
VDD
VDD = 4V
VDD静态电流
国际直拨电话
VDD = 8V
VDIG静态电流
负电压输出
振荡器频率
参考电压
使能输入阈值
切换输入阈值
短路禁止输入阈值
VDRAIN特点
漏电流调节范围
漏极电流的变化在数字电压
漏电流变化过温
排水范围
VDRAIN更改过温
VNEG特点
负电压输出
VNEG灌电流
VGATE特点
栅电流供应
VGATE低水平
VGATE高层
VG2特点
VG2电流供应
VG2调整范围
VDIG特点
调整范围
VDIG静态电流
软件特性
内部开关电阻
RDS -ON
SW = GND
SW = VDIG
10
5
欧姆
欧姆
VDIG
IDIG
VDD = 8 V ，
VDIG = EN = 3.3 V
3.3
3
5
V
mA
IG2
VG2
VG2<1.5V
VG2>1.5V
-0.1
-1
1
0.1
1
VDD-1.3
mA
mA
V
IG
VG_Min
VG_MaX
-0.8
VNEG
VNEG+4.5
0.8
mA
V
V
VNEG
INEG
VDD = 4V
VDD = 8V
0
0
-2.5
8
15
V
mA
mA
IDRAIN
SW = GND
SW = VDIG
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
4
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
1.5
20
80
0.4
0.02
12
80
200
mA
mA
%/V
%/C
V
%/C
IDIG
VNEG
FOSC
VREF
enthrs
sWthrs
DSCTHRS
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
1.4
1.4
1
1.4
1
EN = VDIG
EN = GND
EN = VDIG
EN = GND
条件
分钟。
4
7
3
7.5
4
3
5
-2.5
300
1.42
1
典型值。
马克斯。
12
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
千赫
V
V
V
V
V
V
V
VDIG = 3.3 V
VDIG = 5 V
13
偏置控制器 - SMT
13 - 2
ΔiDrainV
VDRAIN
ΔVDrain
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
负载调节@ VDD = 6V ， VDIG = 3.3V ，
SW = GND
6.5
负载调节@ VDD = 8V ，
SW=VDIG=3.3V
8.5
6
8
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
5.5
7.5
5
7
4.5
20
30
40
50
IDRAIN （毫安）
60
70
80
6.5
80
100
120
140
IDRAIN （毫安）
160
180
200
13
偏置控制器 - SMT
55
54
IDRAIN与VDIG
[1][2]
VNEG线路调整与电源电压
-2.45
空载条件
+25C
+85C
-55C
-2.47
IDRAIN （毫安）
VNEG （ V）
+25C
+85C
-55C
53
-2.49
52
-2.51
51
-2.53
50
3.3
3.7
4.1
VDIG （ V）
4.5
4.9
-2.55
4
6
8
电源电压（ V）
10
12
VNEG负载调节@ VDD = 4V
-2.3
VNEG负载调节@ VDD = 12V
-2.3
-2.4
-2.4
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-2.5
-2.5
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.7
0
2
4
6
INEG （毫安）
8
10
-2.7
0
4
8
INEG （毫安）
12
16
[1] IDRAIN设为53毫安
[2] HMC465LP5用作外部放大器
13 - 3
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
ENABLE波形
8
6
4
禁用波形
8
6
4
电压（V）的
电压（V）的
2
0
-2
-4
-6
-8
0
2
4
6
时间（ms）
8
10
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
2
0
-2
-4
-6
-8
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
14
16
时间（ms）
18
20
13
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
电压（V）的
电压（V）的
4
2
0
-2
-4
0
10
4
2
0
-2
-4
20
30
时间（ms）
40
50
0
20
40
60
时间（ms）
80
100
VNEG负载瞬态VDD = 4V
-0.8
20
VNEG负载瞬态VDD = 6V
-2.4
-2.425
15
10
5
-1.3
10
-2.45
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-1.8
0
-2.475
-2.5
-2.525
0
-5
-2.3
-10
-10
-15
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-2.8
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-20
-2.55
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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13 - 4
偏置控制器 - SMT
上电波形
关断波形
INEG （毫安）
INEG （毫安）
HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
VGATE负载调节@ VDD = 6V
1
0.5
0
VG2负载调节@ VDD = 6V
5
4.5
4
3.5
VGATE （ V）
VG2 （ V）
+25C
+85C
-55C
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-1.25
-1
-0.75 -0.5 -0.25
0
0.25
0.5
0.75
3
2.5
2
1.5
1
0.5
VG2=0.9V
VG2=1.78V
VG2=2.74V
VG2=3.71V
1
1.25
0
-2
-1.5
-1
-0.5
0
IG2 （毫安）
0.5
1
1.5
2
13
偏置控制器 - SMT
IG （毫安）
13 - 5
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH313
v01.1207
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 27 - 33 GHz的
特点
噪声系数： 3分贝
增益： 20分贝
的P1dB输出功率： +12 dBm的
电源电压： + 2.5V @ 52毫安
模具尺寸： 1.80 X 0.73 X 0.1毫米
1
低噪声放大器 - CHIP
典型应用
这HMC- ALH313是理想的：
点至点收音机
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
测试设备&传感器
军事&空间
工作原理图
概述
该HMC- ALH313是一个三阶段的GaAs MMIC
该工作bet- HEMT低噪声放大器芯片
吐温27和33 GHz的。该放大器提供20分贝
增益， 3 dB的噪声系数和+12 dBm的输出
功率为1 dB增益压缩，而只需要
52毫安从+ 2.5V的电源电压。该放大器芯片
非常适合用作低噪声放大器或驱动器放大器，并可
可以很容易地集成到多芯片芯片模块（MCM ）
由于其尺寸小（1.30平方毫米）。
电气电源规格
[1]
,
T
A
= + 25 ° C， VDD = 2.5V ，国际直拨电话= 52毫安
[2]
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1 dB压缩
电源电流
[1]除另有说明外，所有的测量是从探测模
[ 2 ]调整-1V之间VGG到+ 0.3V （典型值-0.3V ），以实现独立同
总
= 52毫安
10
18
分钟。
典型值。
27 - 33
20
0.03
3
12
14
12
52
3.5
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
mA
1 - 150
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH313
v01.1207
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 27 - 33 GHz的
线性增益与频率
25
噪声系数与频率的关系
5
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 151
20
噪声系数（dB ）
26
27
28
29
30
31
32
33
34
增益（dB ）
4
15
3
10
2
5
1
0
频率（GHz ）
0
26
27
28
29
30
31
32
33
34
频率（GHz ）
输入回波损耗与频率的关系
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
26
27
28
29
30
31
32
33
34
频率（GHz ）
输出回波损耗与频率
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
26
27
28
29
30
31
32
33
34
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH313
v01.1207
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 27 - 33 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
绝对最大额定值
漏偏置电压
栅极偏置电压
RF输入功率
通道温度
储存温度
工作温度
+5 VDC
-1至+0.3伏
-3 dBm的
180 °C
-65至+150°C
-55至+85°C
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
WP - 17
备用
[2]
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.典型焊接区0.004 “广场。
3.背面金属：金。
4.背面金属接地。
5.焊盘金属化：黄金。
6.连接不需要的未标记的焊垫。
7.总之DIE SIZE ± 0.002 “
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
1 - 152
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC-ALH313
v01.1207
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 27 - 33 GHz的
PAD说明
盘数
1
2
功能
RFIN
RFOUT
描述
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
电源电压放大器。看到组件
所需的外部元件。
接口示意图
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 153
3
VDD
4
VGG
门控制放大器。请遵守“ MMIC放大器偏压
ING程序“应用笔记。请参阅组装所需
的外部元件。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC-ALH313
v01.1207
的GaAs HEMT MMIC低噪声
放大器， 27 - 33 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
装配图
注1 ：旁路电容应为100 pF的（约）陶瓷（单层）放在距离不超过30密耳从放大器
注2： 0.5密耳缎带上的输入和输出采用<10密耳（长） 3获得最佳的性能。
1 - 154
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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