HM62W1400H系列
4M高速SRAM （ 4 Mword
×
1-bit)
ADE - 203-773E （ Z）
修订版2.0
1998年11月11日
描述
该HM62W1400H是4兆高速静态RAM举办4 Mword
×
1位。它实现了高
通过采用CMOS工艺（ 4-晶体管+2 - 聚电阻存储单元）和高速高速存取时间
电路设计技术。它最适合于需要高的速度和高的应用
密度存储器，如高速缓存和缓冲存储器中的系统。该HM62W1400H打包在400密耳
32引脚SOJ和400万的32引脚TSOP II高密度表面安装。
特点
3.3 V单电源： 3.3 V
±
0.3 V
访问时间12/15 NS （最大值）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接TTL兼容
所有输入和输出
工作电流：一百六十〇分之一百八十○毫安（最大）
TTL待机电流： 60/50毫安（最大）
CMOS待机电流5mA （最大）
为1mA （最大值） （L-版本）
数据重新拉紧电流： 0.6毫安（最大值） （L-版本）
数据重新拉紧电压： 2V（分钟） （L-版本）
中心V
CC
和V
SS
引出线类型
HM62W1400H系列
订购信息
型号
HM62W1400HJP-12
HM62W1400HJP-15
HM62W1400HLJP-12
HM62W1400HLJP-15
HM62W1400HTT-12
HM62W1400HTT-15
HM62W1400HLTT-12
HM62W1400HLTT-15
存取时间
12纳秒
15纳秒
12纳秒
15纳秒
12纳秒
15纳秒
12纳秒
15纳秒
400万的32引脚塑料TSOP II （ TTP - 32DC ）
包
400万的32引脚塑料SOJ （ CP- 32dB的）
管脚配置
HM62W1400HJP / HLJP系列
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS
V
CC
V
SS
DIN
WE
A6
A7
A8
A9
A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
（ TOP VIEW ）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A21
A20
A19
A18
A17
A16
OE
V
SS
V
CC
DOUT
A15
A14
A13
A12
A11
NC
HM62W1400HTT / HLTT系列
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS
V
CC
V
SS
DIN
WE
A6
A7
A8
A9
A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
（ TOP VIEW ）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A21
A20
A19
A18
A17
A16
OE
V
SS
V
CC
DOUT
A15
A14
A13
A12
A11
NC
2
HM62W1400H系列
引脚说明
引脚名称
A0到A21
DIN
DOUT
CS
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入
数据输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
无连接
框图
（ LSB ）
A2
A18
A8
A12
A17
A3
A7
A6
（MSB）
DIN
列I / O
列解码器
CS
DOUT
ROW
解码器
存储矩阵
256行
×
64列
×
256块
×
1位
（ 4,194,304位）
V
CC
V
SS
CS
A11 A9 A10A20 A21 A0 A13 A14 A15 A1 A19 A16 A4 A5
CS
WE
OE
CS
（ LSB ）
（MSB）
3
HM62W1400H系列
DC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
操作电源
电源电流
符号最小值
II
LI
I
II
LO
I
12 ns的周期我
CC
—
—
—
典型*
1
—
—
—
最大
2
2
180
单位
A
A
mA
测试条件
VIN = V
SS
到V
CC
VIN = V
SS
到V
CC
闵周期
CS
= V
IL
，糊涂人= 0毫安
其它输入= V
IH
/V
IL
闵周期，
CS
= V
IH
,
其它输入= V
IH
/V
IL
15 ns的周期我
CC
备用电源
当前
12 ns的周期我
SB
15 ns的周期我
SB
I
SB1
—
—
—
—
—
—
—
0.05
160
60
50
5
mA
F = 0兆赫
V
CC
≥
CS
≥
V
CC
- 0.2 V,
(1) 0 V
≤
VIN
≤
0.2 V或
(2) V
CC
≥
VIN
≥
V
CC
- 0.2 V
mA
—*
2
输出电压
V
OL
V
OH
—
2.4
0.05*
2
—
—
1*
2
0.4
—
V
V
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4毫安
注：1。典型值是在V
CC
= 3.3 V ，TA = + 25°C ，并不能保证。
2.该特征仅在L-版本保证。
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容*
1
符号
CIN
C
DIN
输入/输出电容*
1
注意：
C
DOUT
民
—
—
—
典型值
—
—
—
最大
6
8
8
单位
pF
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
V
DIN
= 0 V
V
DOUT
= 0 V
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5
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