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HCS164MS
1995年9月
抗辐射
8位串行输入/并行输出寄存器
引脚配置
14引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 - T14 ,铅涂层
顶视图
DS1 1
DS2 2
Q0 3
Q1 4
Q2 5
Q3 6
7 GND
14 VCC
13 Q7
12 Q6
11 Q5
10 Q4
9 MR
8 CP
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁,免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出 - 10输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = 0.3 VCC最大
- VIH = 0.7 VCC敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
14引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP3 - F14 ,铅涂层
顶视图
DS1
DS2
Q0
Q1
Q2
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
Q7
Q6
Q5
Q4
MR
CP
描述
Intersil的HCS164MS是一种抗辐射的8位
串行输入/并行输出移位寄存器具有完全同步的
理性的串行数据输入和一个异步主复位。
该HCS164MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS164MS是在一个14引脚陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
订购信息
产品型号
HCS164DMSR
HCS164KMSR
HCS164D/Sample
HCS164K/Sample
HCS164HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
14铅SBDIP
14引脚陶瓷扁平封装
14铅SBDIP
14引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
230
518756
2465.2
HCS164MS
工作原理图
9
MR
8
CP
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
1
D1
2
D2
3
Q0
Q1
4
Q2
5
6
Q3
Q4
10
Q5
11
12
Q6
13
Q7
真值表
输入
经营模式
复位(清)
MR
L
H
H
H
H
H=
h=
L=
l=
CP
X
DS1
X
l
l
h
h
DS2
X
l
h
l
h
Q0
L
L
L
L
H
输出
Q1-Q7
L-L
q0 -q6
q0 - q6
q0 - q6
q0 - q6
高电压电平
高电压电平1建立时间之前低到高时钟transistion
低VoltageLevel
低电压电平1设定时间之前,由低到高时钟转变。
=低到高的时钟跳变
Q =小写字母表示的参考输入(或输出)一个建立时间之前低到高时钟过渡状态
规格编号
231
518756
特定网络阳离子HCS164MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
74
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 116
o
C / W
30
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.43W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.5MW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.6mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..
工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间在4.5 VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 。 .500ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 % VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V ,
VIH = 0.70( VCC)的
VIL = 0.30 ( VCC ) (注2 )
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
232
518756
特定网络阳离子HCS164MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
9
10, 11
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
最大
32
37
32
37
单位
ns
ns
ns
ns
参数
CP到Qn
符号
TPLH
的TPH1
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
MR到Qn
的TPH1
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电容功率耗散
符号
CPD
(注1 )
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输出转换时间
TTHL
tTLH
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
-
-
-
-
-
-
最大
135
165
10
10
15
22
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.75
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
V
输入漏电流
IIN
+25
o
C
±5
A
规格编号
233
518756
特定网络阳离子HCS164MS
表4.直流POST辐射的电气性能特性(续)
200K RAD
范围
参数
噪声抗扰度
功能测试
CP到Qn
符号
FN
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) (注3)
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
-
最大
-
单位
-
的TPH1
TPLH
的TPH1
+25
o
C
2
37
ns
MR到Qn
注意事项:
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
37
ns
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
表6.适用子群
合规组
初步测试(预燃式)
临时测试
I
(烧伤后)个
临时测试
II
(烧伤后)个
PDA
临时测试
III
(烧伤后)个
PDA
最终测试
A组(注1 )
B组
B亚组-5-
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Sample/5005
Sample/5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11 ,变化量
子群1 ,2,3 ,9,10 ,11,
(注2 )
ICC , IOL / H
读取并记录
ICC , IOL / H
ICC , IOL / H
ICC , IOL / H
B亚组-6-
D组
注意事项:
Sample/5005
Sample/5005
1, 7, 9
1, 7, 9
按照MIL-STD- 883方法5005 1.备选A组的测试,可以行使。
只有2表5的参数。
规格编号
234
518756
HCS164MS
1995年9月
抗辐射
8位串行输入/并行输出寄存器
引脚配置
14引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 - T14 ,铅涂层
顶视图
DS1 1
DS2 2
Q0 3
Q1 4
Q2 5
Q3 6
7 GND
14 VCC
13 Q7
12 Q6
11 Q5
10 Q4
9 MR
8 CP
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁,免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出 - 10输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = 0.3 VCC最大
- VIH = 0.7 VCC敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
14引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP3 - F14 ,铅涂层
顶视图
DS1
DS2
Q0
Q1
Q2
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
Q7
Q6
Q5
Q4
MR
CP
描述
Intersil的HCS164MS是一种抗辐射的8位
串行输入/并行输出移位寄存器具有完全同步的
理性的串行数据输入和一个异步主复位。
该HCS164MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS164MS是在一个14引脚陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
订购信息
产品型号
HCS164DMSR
HCS164KMSR
HCS164D/Sample
HCS164K/Sample
HCS164HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
14铅SBDIP
14引脚陶瓷扁平封装
14铅SBDIP
14引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
230
518756
2465.2
HCS164MS
工作原理图
9
MR
8
CP
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
1
D1
2
D2
3
Q0
Q1
4
Q2
5
6
Q3
Q4
10
Q5
11
12
Q6
13
Q7
真值表
输入
经营模式
复位(清)
MR
L
H
H
H
H
H=
h=
L=
l=
CP
X
DS1
X
l
l
h
h
DS2
X
l
h
l
h
Q0
L
L
L
L
H
输出
Q1-Q7
L-L
q0 -q6
q0 - q6
q0 - q6
q0 - q6
高电压电平
高电压电平1建立时间之前低到高时钟transistion
低VoltageLevel
低电压电平1设定时间之前,由低到高时钟转变。
=低到高的时钟跳变
Q =小写字母表示的参考输入(或输出)一个建立时间之前低到高时钟过渡状态
规格编号
231
518756
特定网络阳离子HCS164MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
74
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 116
o
C / W
30
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.43W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.5MW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.6mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..
工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间在4.5 VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 。 .500ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 % VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V ,
VIH = 0.70( VCC)的
VIL = 0.30 ( VCC ) (注2 )
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
232
518756
特定网络阳离子HCS164MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
9
10, 11
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
最大
32
37
32
37
单位
ns
ns
ns
ns
参数
CP到Qn
符号
TPLH
的TPH1
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
MR到Qn
的TPH1
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电容功率耗散
符号
CPD
(注1 )
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输出转换时间
TTHL
tTLH
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
-
-
-
-
-
-
最大
135
165
10
10
15
22
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.75
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
V
输入漏电流
IIN
+25
o
C
±5
A
规格编号
233
518756
特定网络阳离子HCS164MS
表4.直流POST辐射的电气性能特性(续)
200K RAD
范围
参数
噪声抗扰度
功能测试
CP到Qn
符号
FN
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) (注3)
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
-
最大
-
单位
-
的TPH1
TPLH
的TPH1
+25
o
C
2
37
ns
MR到Qn
注意事项:
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
37
ns
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
表6.适用子群
合规组
初步测试(预燃式)
临时测试
I
(烧伤后)个
临时测试
II
(烧伤后)个
PDA
临时测试
III
(烧伤后)个
PDA
最终测试
A组(注1 )
B组
B亚组-5-
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Sample/5005
Sample/5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11 ,变化量
子群1 ,2,3 ,9,10 ,11,
(注2 )
ICC , IOL / H
读取并记录
ICC , IOL / H
ICC , IOL / H
ICC , IOL / H
B亚组-6-
D组
注意事项:
Sample/5005
Sample/5005
1, 7, 9
1, 7, 9
按照MIL-STD- 883方法5005 1.备选A组的测试,可以行使。
只有2表5的参数。
规格编号
234
518756
HCS164MS
1995年9月
抗辐射
8位串行输入/并行输出寄存器
引脚配置
14引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 - T14 ,铅涂层
顶视图
DS1 1
DS2 2
Q0 3
Q1 4
Q2 5
Q3 6
7 GND
14 VCC
13 Q7
12 Q6
11 Q5
10 Q4
9 MR
8 CP
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁,免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出 - 10输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = 0.3 VCC最大
- VIH = 0.7 VCC敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
14引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP3 - F14 ,铅涂层
顶视图
DS1
DS2
Q0
Q1
Q2
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
Q7
Q6
Q5
Q4
MR
CP
描述
Intersil的HCS164MS是一种抗辐射的8位
串行输入/并行输出移位寄存器具有完全同步的
理性的串行数据输入和一个异步主复位。
该HCS164MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS164MS是在一个14引脚陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
订购信息
产品型号
HCS164DMSR
HCS164KMSR
HCS164D/Sample
HCS164K/Sample
HCS164HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
14铅SBDIP
14引脚陶瓷扁平封装
14铅SBDIP
14引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
230
518756
2465.2
HCS164MS
工作原理图
9
MR
8
CP
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
CL
D
R
Q
1
D1
2
D2
3
Q0
Q1
4
Q2
5
6
Q3
Q4
10
Q5
11
12
Q6
13
Q7
真值表
输入
经营模式
复位(清)
MR
L
H
H
H
H
H=
h=
L=
l=
CP
X
DS1
X
l
l
h
h
DS2
X
l
h
l
h
Q0
L
L
L
L
H
输出
Q1-Q7
L-L
q0 -q6
q0 - q6
q0 - q6
q0 - q6
高电压电平
高电压电平1建立时间之前低到高时钟transistion
低VoltageLevel
低电压电平1设定时间之前,由低到高时钟转变。
=低到高的时钟跳变
Q =小写字母表示的参考输入(或输出)一个建立时间之前低到高时钟过渡状态
规格编号
231
518756
特定网络阳离子HCS164MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
74
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 116
o
C / W
30
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.43W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.5MW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.6mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..
工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间在4.5 VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 。 .500ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 % VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V ,
VIH = 0.70( VCC)的
VIL = 0.30 ( VCC ) (注2 )
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
232
518756
特定网络阳离子HCS164MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
9
10, 11
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
最大
32
37
32
37
单位
ns
ns
ns
ns
参数
CP到Qn
符号
TPLH
的TPH1
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
MR到Qn
的TPH1
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电容功率耗散
符号
CPD
(注1 )
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输出转换时间
TTHL
tTLH
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
-
-
-
-
-
-
最大
135
165
10
10
15
22
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.75
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
V
输入漏电流
IIN
+25
o
C
±5
A
规格编号
233
518756
特定网络阳离子HCS164MS
表4.直流POST辐射的电气性能特性(续)
200K RAD
范围
参数
噪声抗扰度
功能测试
CP到Qn
符号
FN
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) (注3)
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
-
最大
-
单位
-
的TPH1
TPLH
的TPH1
+25
o
C
2
37
ns
MR到Qn
注意事项:
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
37
ns
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
表6.适用子群
合规组
初步测试(预燃式)
临时测试
I
(烧伤后)个
临时测试
II
(烧伤后)个
PDA
临时测试
III
(烧伤后)个
PDA
最终测试
A组(注1 )
B组
B亚组-5-
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Sample/5005
Sample/5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11 ,变化量
子群1 ,2,3 ,9,10 ,11,
(注2 )
ICC , IOL / H
读取并记录
ICC , IOL / H
ICC , IOL / H
ICC , IOL / H
B亚组-6-
D组
注意事项:
Sample/5005
Sample/5005
1, 7, 9
1, 7, 9
按照MIL-STD- 883方法5005 1.备选A组的测试,可以行使。
只有2表5的参数。
规格编号
234
518756
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