日立半导体技术更新
日期
主题
○○一年七月三十
说明使用SRAM器件
规格。变化
文件的补充
产品名称
参考
文件
所有的SRAM产品
日立IC存储器数据手册2001年3月
ADE-403-001Q
使用限制
产品线除了
LOT
所有批次
生效日期
永久
OTHERS
号
TN-M62-090A/E
分类
由于SRAM产品变得更快，各种设计裕量越来越难以保证。有增大的
可能性的正常操作中的输入信号或从电源中断由噪声。使用前
我们的SRAM产品，请注意以下几点，你会认识到通过阅读笔记日立
IC存储器数据手册上的说明进行使用的存储设备。这将帮助你防止异常
SRAM的操作。
1.注意事项
当操作一个半导体产品，输入信号中的噪声或电源噪声可能会妨碍正常
产品的操作并导致某种故障。输入信号的噪声包括超调，
下冲，并靠近所述阈值电压与输入波形的失真。确保任何值
过冲或下冲是用于产品的规定值范围内如在日立的数据手册中描述。
最大限度地减少了输入波形的近阈值电压失真。电源噪声的电平应
10％或峰 - 峰值的标准电源电压的小于10％ 。
2.对策
（ 1 ）尽量减少过冲，下冲和输入波形的失真
一。广场电阻（ 50
或者在每个输入以下）串联
B 。将终端电阻输入线路的两端
。做出正确的选择的图案布局和布线方法上
。抑制参考电压不稳定（ GND水平等）
（ 2 ）降低电源噪声
一。放置一个旁路电容器（0.1 0.01
F)
在从装置以最短的距离
B 。做出正确的选择的图案布局和布线方法上
（ 3 ）更换现有的产品，请准备适合的是现在市场上的产品电路板
术语附和产品操作的更高速度的降低运营利润率。
1
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
HM628511HCI系列
工作温度范围宽版
4M高速SRAM （ 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-1304A （ Z）
1.0版
二○○一年十一月三十〇日
描述
该HM628511HCI系列是4兆位高速静态RAM举办512 -K字
×
8位。它有
通过采用CMOS工艺（ 6晶体管存储单元）和高速实现高速存取时间
电路设计技术。它最适合于需要高速的应用中，高
密度存储器和宽位宽度配置，例如高速缓存和缓冲存储器中的系统。这是
打包400万36引脚塑料SOJ 。
特点
单5.0 V电源： 5.0 V
±
10 %
访问时间： 12纳秒（最大）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接TTL兼容
所有输入和输出
工作电流： 130毫安（最大值）
TTL待机电流： 40毫安（最大值）
CMOS待机电流5mA （最大）
中心V
CC
和V
SS
类型引脚出
温度范围： -40 + 85°C
订购信息
型号
HM628511HCJPI-12
存取时间
12纳秒
器件标识
HM628511CJPI12
包
400万36引脚塑料SOJ （ CP- 36D ）
HM628511HCI系列
框图
（ LSB ）
A14
A13
A12
A5
A6
A7
A11
A10
A3
A1
（MSB）
I/O1
.
.
.
I/O8
A8 A9 A18 A16 A17 A0 A2 A4 A15
国内
电压
发电机
ROW
解码器
1024-row
×
32-column
×
16-block
×
8-bit
（ 4,194,304位）
V
CC
V
SS
CS
列I / O
输入
数据
控制
列解码器
CS
WE
CS
OE
CS
（ LSB ）
（MSB）
第1版， 2001年11月，第3页3
QQ：2881677436 复制
