【HM514170C系列HM51S4170C系列262,144-word×16位的动态随机存取存储器1】,IC型号HM514170CTT-8,HM514170CTT-8 PDF资料,HM514170CTT-8经销商,ic,电子元器件-51电子网

HM514170C系列

HM51S4170C系列

262,144-word

×

16位的动态随机存取存储器

1.0版

1995年7月21日

描述

日立HM51 （ S） 4170C是CMOS动态RAM组织为262,144字

×

16-bit.

HM51 （S） - 4170C通过采用0.8已经意识到更高密度，更高的性能和各种功能

m

CMOS工艺技术和一些新的CMOS电路设计技术。该HM51 （S） - 4170C

提供快速页面模式的高速接入方式。复用地址输入允许

HM51 （ S） 4170C在标准的400密耳的40引脚塑料SOJ和标准的400密耳的44引脚封装

塑料TSOPII 。内部刷新定时器使HM51S4170C自刷新操作。

特点

采用5 V （ ± 10 ％）

高速

- 存取时间： 70纳秒/ 80纳秒（最大）

低功耗

- 主动模式： 660毫瓦/ 578毫瓦（最大）

- 待机模式： 11毫瓦（最大）

1.1毫瓦（最大）（L-版本）

快页模式功能

1024刷新周期： 16毫秒

128毫秒（L-版本）

2

WE

- 字节控制

刷新2变化

—

RAS

- 仅刷新

—

CAS

-before-

RAS

刷新

电池备份操作（ L-版）

自刷新操作（ HM51S4170C ）

HM514170C ， HM51S4170C系列

订购信息

型号

HM514170CJ-7

HM514170CJ-8

HM514170CLJ-7

HM514170CLJ-8

HM51S4170CJ-7

HM51S4170CJ-8

HM51S4170CLJ-7

HM51S4170CLJ-8

HM514170CTT-7

HM514170CTT-8

HM514170CLTT-7

HM514170CLTT-8

HM51S4170CTT-7

HM51S4170CTT-8

HM51S4170CLTT-7

HM51S4170CLTT-8

存取时间

70纳秒

80纳秒

70纳秒

80纳秒

70纳秒

80纳秒

70纳秒

80纳秒

70纳秒

80纳秒

70纳秒

80纳秒

70纳秒

80纳秒

70纳秒

80纳秒

400万44引脚塑料TSOPII （ TTP - 44 / 40DB ）

包

400万40引脚塑料SOJ （ CP- 40DA ）

2

HM514170C ， HM51S4170C系列

管脚配置

HM514170CJ / CLJ系列

HM51S4170CJ / CLJ系列

V

CC

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

V

CC

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

NC

LWE

UWE

RAS

A9

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

V

SS

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

V

SS

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

CAS

OE

A8

A7

A6

A5

A4

V

SS

HM514170CTT / CLTT系列

HM51S4170CTT / CLTT系列

V

CC

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

V

CC

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

V

SS

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

V

SS

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

（ TOP VIEW ）

NC

LWE

UWE

RAS

A9

A0

A1

A2

A3

V

CC

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

（ TOP VIEW ）

NC

CAS

OE

A8

A7

A6

A5

A4

V

SS

引脚说明

引脚名称

A0

–

A9

功能

地址输入

–

行地址

A0

–

A9

–

列地址A0

–

A7

–

刷新地址A0

–

A9

数据输入/数据输出

行地址选通

列地址选通

读/写使能

OUTPUT ENABLE

电源（ + 5V）

地

无连接

I/O0

–

I/O15

RAS

CAS

UWE

/

LWE

OE

V

CC

V

SS

NC

3

HM514170C ， HM51S4170C系列

框图

I / O总线&列解码器

256 k存储阵列垫

ROW

解码器

ROW

解码器

ROW

解码器

ROW

解码器

ROW

解码器

ROW

解码器

选择器

I/O4

卜FF器

I/O5

卜FF器

I/O6

卜FF器

I/O7

卜FF器

256 k存储阵列垫

I/O11

卜FF器

外围电路

I/O3

卜FF器

I/O2

卜FF器

I/O1

卜FF器

I/O0

卜FF器

I/O15

卜FF器

I/O14

卜FF器

I/O13

卜FF器

I/O12

卜FF器

I/O11

I/O5

I/O10

卜FF器

I/O9

卜FF器

I/O8

卜FF器

I/O9

I/O6

I/O7

I/O8

LWE

UWE

RAS

地址A9

外围电路

CAS

OE

A0,A1,A2,A3

地址A4，A5

A6,A7,A8

选择器

ROW

解码器

选择器

ROW

解码器

选择器

ROW

解码器

选择器

ROW

解码器

ROW

解码器

ROW

解码器

I / O总线&列解码器

256 k存储阵列垫

操作模式

该HM51 （ S） 4170C系列有以下11个操作模式。

4

256 k存储阵列垫

外围电路

HM514170C ， HM51S4170C系列

1.读周期

2.早期写周期

3.延迟写入周期

4.读 - 修改 - 写周期

5.

6.

RAS

- 只刷新周期

CAS

-before-

RAS

刷新周期

7.自我更新周期（ HM51S4170C ）

8.快速页面模式读取周期

9.快速页面模式初期写入周期

10.快速页面模式延迟写入周期

11.快速页模式的读 - 修改 - 写周期

输入

RAS

H

L

H到L

L

CAS

H

L

H

L

H到L

UWE

D

H

L

*2

L

*2

H到L

D

H

L

*2

L

*2

H到L

LWE

D

H

L

*2

L

*2

H到L

D

H

L

*2

L

*2

H到L

产量

开放

有效

开放

未定义

有效

开放

有效

开放

未定义

有效

手术

待机

读周期

早期写周期

延迟写入周期

读 - 修改 - 写周期

RAS-只

刷新周期

CAS先于RAS

刷新周期

自刷新周期（ HM51S4170C ）

快速页面模式读取周期

快速页模式早期写周期

快速页模式延迟写入周期

快速页面模式读取修改 - 写周期

注意事项： 1， H：高（无效） L：低（有效） D： H或L

2. t

WCS

≥

0 ns的早期写周期

t

WCS

< 0 ns的延迟写周期

3.模式是通过的OR函数确定

UWE

和

LWE 。

（模式由最早的设定

UWE

和

LWE

由最新的主动力和复位

UWE

和

LWE

无效边沿）。然而

写操作和输出HIZ控制由每个独立完成

西英格兰大学， LWE 。

5