【HGTP2N120BND ， HGT1S2N120BNDS数据表2001年12月12A ， 1200】,IC型号HGT1S2N120BNDS9A,HGT1S2N120BNDS9A PDF资料,HGT1S2N120BNDS9A经销商,ic,电子元器件-51电子网

HGTP2N120BND ， HGT1S2N120BNDS

数据表

2001年12月

12A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT

与反并联二极管超高速

该HGTP2N120BND和HGT1S2N120BNDS是

N

导通

P

UNCH

T

hrough （ NPT ） IGBT的设计。他们是新的

在MOS门控高压开关IGBT的成员

家庭。 IGBT的结合MOSFET的最佳功能和

双极型晶体管。此装置具有高输入阻抗

一个MOSFET和一个低通状态的导通损耗的

双极型晶体管。所使用的IGBT是发展型

TA49312 。所使用的二极管是发展型

TA49056.

该IGBT适用于多种高压开关

在中等频率工作的应用中，低

导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机

控制，电源和驱动电磁阀，继电器

和接触。

以前发育类型TA49310 。

特点

12A ， 1200V ，T

C

= 25

o

C

1200V开关SOA能力

典型的下降时间。。。。。。。。。。。。。。。。值为160ns在T

J

= 150

o

C

短路额定值

低传导损耗

热阻抗

SPICE模型

www.fairchildsemi.com

相关文献

- TB334 “指南焊锡表面贴装

组件到PC板“

包装

JEDEC TO- 220AB （候选版本）

E

集热器

（法兰）

订购信息

产品型号

HGTP2N120BND

HGT1S2N120BNDS

包

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

2N120BND

C

G

注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A

获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，也就是说，

HGT1S2N120BNDS9A.

JEDEC TO- 263AB

符号

C

G

E

G

集热器

（法兰）

E

飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

2001仙童半导体公司

HGTP2N120BND ， HGT1S2N120BNDS版本B

HGTP2N120BND ， HGT1S2N120BNDS

绝对最大额定值

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

HGTP2N120BND

HGT1S2N120BNDS

集电极到发射极电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 BV

CES

连续集电极电流

在T

C

= 25

o

温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我

C25

在T

C

= 110

o

温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我

C110

集电极电流脉冲（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .I

CM

门到发射极电压连续。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

GES

门到发射极电压脉冲。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

创业板

开关安全工作区在T

J

= 150

o

C（图2）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 SSOA

功耗总在T

C

= 25

o

温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 P

D

功耗降额牛逼

C

＆ GT ; 25

o

C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

工作和存储结温范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

J

, T

英镑

最大无铅焊接温度的

信息的案件从10秒0.063in （ 1.6毫米）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

L

包体为10S ，见Techbrief 334 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

PKG

短路耐受时间（注2） V

GE

= 15V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。吨

SC

短路耐受时间（注2） V

GE

= 12V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。吨

SC

300

260

8

15

o

C

o

C

单位

V

A

V

W

W/

o

C

o

C

1200

12

5.6

20

±

20

±

30

在12A 1200V

104

0.83

-55到150

s

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

1.脉冲宽度有限的最高结温。

2. V

CE （ PK ）

= 840V ，T

J

= 125

o

C，R

G

= 51

.

电气连接特定的阳离子

参数

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

符号

BV

CES

I

CES

测试条件

I

C

= 250

A，V

GE

= 0V

V

CE

= 1200V

T

C

= 25

o

C

T

C

= 125

o

C

T

C

= 150

o

C

民

1200

-

6.0

-

12

-

典型值

-

50

-

2.45

3.6

6.8

-

10.2

24

32

21

11

185

100

370

195

最大

-

250

-

0.6

2.7

4.2

-

±

250

-

30

39

25

15

240

130

500

270

单位

V

A

mA

V

nA

A

V

nC

ns

J

集电极到发射极击穿电压

集电极到发射极漏电流

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

I

C

= 2.3A,

V

GE

= 15V

T

C

= 25

o

C

T

C

= 150

o

C

门到发射极阈值电压

门到发射极漏电流

开关SOA

门到发射极电压高原

导通状态的栅极电荷

V

GE （日）

I

GES

SSOA

V

GEP

Q

G（ ON）的

I

C

= 40

A，V

CE

= V

GE

V

GE

=

±

20V

T

J

= 150

o

C，R

G

= 51

,

V

GE

= 15V,

L = 400

H，V

CE （ PK ）

= 1200V

I

C

= 2.3A ，V

CE

= 600V

I

C

= 10A,

V

CE

= 600V

V

GE

= 15V

V

GE

= 20V

电流导通延迟时间

电流上升时间

电流关断延迟时间

电流下降时间

开启能量

关断能量（注3 ）

t

D（ ON ）I

t

rI

t

D（ OFF ）I

t

fI

E

ON

E

关闭

IGBT和二极管在T

J

= 25

o

C

I

CE

= 2.3A

V

CE

= 960V

V

GE

= 15V

R

G

= 51

L = 5mH

测试电路（图20）

2001仙童半导体公司

HGTP2N120BND ， HGT1S2N120BNDS版本B

HGTP2N120BND ， HGT1S2N120BNDS

电气连接特定的阳离子

参数

电流导通延迟时间

电流上升时间

电流关断延迟时间

电流下降时间

开启能量

关断能量（注3 ）

二极管的正向电压

二极管的反向恢复时间

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

（续）

符号

t

D（ ON ）I

t

rI

t

D（ OFF ）I

t

fI

E

ON

E

关闭

V

EC

t

rr

I

EC

= 2.3A

I

EC

= 2.3A ， DL

EC

/ DT = 200A / μs的

I

EC

= 1A ， DL

EC

/ DT = 200A / μs的

热阻结到外壳

R

θJC

IGBT

二极管

注意：

3.开启，关闭能源损耗（E

关闭

）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分

的点处的集电极电流等于零（我

CE

= 0A ）。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量

功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。

测试条件

IGBT和二极管在T

J

= 150

o

C

I

CE

= 2.3A

V

CE

= 960V

V

GE

= 15V

R

G

= 51

L = 5mH

测试电路（图20）

民

-

典型值

25

11

195

160

725

280

-

52

38

-

最大

30

15

260

200

1000

380

3.2

60

44

1.20

2.5

单位

ns

J

V

ns

o

C / W

o

C / W

典型性能曲线

12

I

CE

， DC集电极电流（ A）

除非另有规定编

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

14

12

10

8

6

4

2

0

T

J

= 150

o

C，R

G

= 51, V

GE

= 15V ，L = 1MH

V

GE

= 15V

10

8

6

4

2

0

25

50

75

100

125

T

C

，外壳温度（

o

C)

150

0

200

400

600

800

1000

1200

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

1400

图1. DC集电极电流与案例

温度

图2.最小开关安全工作区

2001仙童半导体公司

HGTP2N120BND ， HGT1S2N120BNDS版本B

HGTP2N120BND ， HGT1S2N120BNDS

典型性能曲线

f

最大

，工作频率（千赫）

除非另有规定编

（续）

t

SC

，短路耐受时间（μs ）

V

CE

= 840V ，R

G

= 51, T

J

= 125

o

C

I

SC

峰值短路电流（ A）

7

5

25

40

T

J

= 150

o

C，R

G

= 51Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

T

C

= 75

o

C，V

GE

= 15V ，理想二极管

100

T

C

75

o

C

75

o

C

V

GE

15V

12V

20

t

SC

I

SC

35

50

f

MAX1

= 0.05 / (t

D（ OFF ）I

+ t

D（ ON ）I

)

f

MAX2

= (P

D

- P

C

) / (E

ON

+ E

关闭

)

V

GE

P

C

=传导耗散T

C

o

15V

（占空比= 50％）

110

R

θJC

= 1.2

o

C / W ，见注解

110

o

12V

0.5

15

30

10

25

10

5

12

13

14

15

V

GE

，门到发射极电压（ V）

20

1.0

2.0

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

5.0

图3.工作频率与集电极

发射极电流

图4.短路耐受时间

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

10

T

C

= -55

o

C

8

T

C

= 25

o

C

8

T

C

= 25

o

C

6

T

C

= -55

o

C

6

T

C

= 150

o

C

4

T

C

= 150

o

C

2

占空比< 0.5 ％，V

GE

= 12V

脉冲宽度= 250μs的

0

1

2

3

4

5

6

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

7

2

占空比< 0.5 ％，V

GE

= 15V

脉冲宽度= 250μs的

0

1

2

3

4

5

6

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

图5.集电极到发射极导通电压

图6.集电极到发射极导通电压

2.0

E

ON

，开启能量损失（兆焦耳）

E

关闭

，关断能量损失（ μJ ）

R

G

= 51Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

1.5

400

R

G

= 51Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

350

300

250

200

150

100

50

0

1

2

3

4

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V或15V

T

J

= 150

o

C，V

GE

= 12V或15V

T

J

= 150

o

C，V

GE

= 12V, V

GE

= 15V

1.0

0.5

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V, V

GE

= 15V

0

1

2

3

4

5

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图7.开启能量损失VS收藏家

发射极电流

图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家

发射极电流

2001仙童半导体公司

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典型性能曲线

45

R

G

= 51Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

t

dI

，导通延迟时间（纳秒）

40

35

30

25

20

T

J

= 25

o

C，T

J

= 150

o

C，V

GE

= 15V

15

0

1

2

3

4

5

35

T

J

= 25

o

C，T

J

= 150

o

C，V

GE

= 12V

t

rI

，上升时间（ NS ）

30

25

20

15

10

5

0

1

3

4

2

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

5

T

J

= 25

o

C或T

J

= 150

o

C，V

GE

= 15V

T

J

= 25

o

C，T

J

= 150

o

C，V

GE

= 12V

除非另有规定编

（续）

40

R

G

= 51Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图9.导通延迟时间与收藏家

发射极电流

图10.导通上升时间与收藏家

发射极电流

450

t

D（ OFF ）I

，关断延迟时间（纳秒）

400

350

300

250

200

150

100

0

R

G

= 51Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

400

350

300

250

R

G

= 51Ω ， L = 5mH ，V

CE

= 960V

V

GE

= 12V, V

GE

= 15V ，T

J

= 150

o

C

t

fI

，下降时间（ NS ）

T

J

= 150

o

C，V

GE

= 12V或15V

200

150

100

50

V

GE

= 12V, V

GE

= 15V ，T

J

= 25

o

C

3

2

1

4

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

5

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V或15V

0

1

2

3

4

5

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图11.关断延迟时间与收藏家

发射极电流

图12. FALL时间与集电极到发射极

当前

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

30

25

20

15

10

5

0

7

8

9

10

11

12

13

14

15

V

GE

，门到发射极电压（ V）

V

GE

，门到发射极电压（ V）

占空比< 0.5 ％，V

CE

= 20V

脉冲宽度= 250μs的

20

I

G（ REF ）

= 1毫安，R

L

= 260, T

C

= 25

o

C

15

V

CE

= 1200V

10

V

CE

= 400V

5

V

CE

= 800V

T

C

= 25

o

C

T

C

= 150

o

C

T

C

= -55

o

C

0

5

10

20

25

15

Q

G

，栅极电荷（ NC）

30

35

图13.传输特性

图14.门充电波形

2001仙童半导体公司

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