【EO描述特点HM5118165系列16M的EDO DRAM （ 1 - Mword×16-bit)1】,IC型号HM5118165J-6,HM5118165J-6 PDF资料,HM5118165J-6经销商,ic,电子元器件-51电子网

EO

描述

特点

HM5118165系列

16M的EDO DRAM （ 1 - Mword

×

16-bit)

1千刷新

E0154H10 （版本1.0 ）

（上ADE - 203-636D （ Z））

2001年7月6日（ K）

该HM5118165是CMOS动态RAM组织为1,048,576字

×

16位。它采用了最

先进的0.5微米CMOS工艺的高性能和低功耗。该HM5118165提供扩展

数据输出（ EDO ）页面模式作为一种高速接入方式。它封装在42引脚塑料SOJ和50针

塑料TSOP II 。

采用5 V （ ± 10 ％）

访问时间： 50纳秒/ 60纳秒/ 70纳秒（最大）

功耗

主动模式： 1045毫瓦/ 935毫瓦/ 825毫瓦（最大）

待机模式： 11毫瓦（最大）

： 0.83毫瓦（最大）（L-版本）

EDO页面模式功能

刷新周期

1024刷新周期： 16毫秒

： 128毫秒（L-版本）

刷新4变化

RAS-只

刷新

CAS先于RAS

刷新

隐藏刷新

自刷新（L-版本）

2CAS字节控制

电池备份操作（ L-版）

尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司

LP

ro

du

ct

HM5118165系列

订购信息

型号

存取时间

50纳秒

60纳秒

70纳秒

50纳秒

60纳秒

70纳秒

50纳秒

60纳秒

70纳秒

50纳秒

60纳秒

70纳秒

400万50引脚塑料TSOP II （ TTP - 50 / 44DC ）

包

400万42引脚塑料SOJ （ CP- 42D ）

HM5118165J-5

HM5118165J-6

HM5118165J-7

EO

HM5118165LJ-5

HM5118165LJ-6

HM5118165LJ-7

HM5118165TT-5

HM5118165TT-6

HM5118165TT-7

HM5118165LTT-5

HM5118165LTT-6

HM5118165LTT-7

2

LP

数据表E0154H10

ro

du

ct

HM5118165系列

EO

V

CC

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

V

CC

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

NC

WE

RAS

NC

A0

A1

A2

A3

V

CC

管脚配置

HM5118165J / LJ系列

V

SS

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

V

SS

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

LCAS

UCAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

NC

WE

RAS

NC

A0

A1

A2

A3

V

CC

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

（ TOP VIEW ）

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

NC

LCAS

UCAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

V

SS

HM5118165TT / LTT系列

V

CC

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

V

CC

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

V

SS

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

V

SS

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

（ TOP VIEW ）

LP

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

ro

V

SS

du

ct

3

引脚说明

引脚名称

A0到A9

功能

地址输入

- 行/刷新地址A0到A9

- 列地址

A0到A9

数据输入/输出的数据

行地址选通

列地址选通

读/写使能

OUTPUT ENABLE

电源

地

无连接

I / O0至I / O15

RAS

UCAS ， LCAS

WE

OE

V

CC

V

SS

NC

数据表E0154H10

HM5118165系列

框图

行解码器

EO

A0

A1

to

A9

4

RAS

UCAS LCAS

WE

OE

定时和控制

COLUMN

缓冲器

地址

ROW

地址

缓冲器

LP

列解码器

1M阵列

I / O缓冲器

I/O0

to

I/O15

数据表E0154H10

ro

du

ct

HM5118165系列

EO

真值表

RAS

H

L

H到L

L

D

L

LCAS

D

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

UCAS

WE

D

H

L

*2

L*

2

L*

2

OE

D

L

D

H

产量

开放

有效

开放

未定义

有效

开放

手术

待机

低字节读周期

高字节

字

低字节早期的写周期

高字节

字

低字节延迟写入周期

高字节

字

低字节读 - 修改 - 写周期

高字节

字

读周期（禁止输出）

RAS-只

刷新周期

CAS先于RAS

刷新周期或

自刷新周期（L-版本）

注意事项： 1， H：高（无效） L：低（有效） D： H或L

2. t

WCS

≥

0 ns的早期写周期

t

WCS

< 0 ns的延迟写入周期

3.模式是通过的OR函数确定

UCAS

和

LCAS 。

（模式由最早的设定

UCAS

和

LCAS

由最新的主动力和复位

UCAS

和

LCAS

无效边沿）。然而

写操作和输出高阻控制独立地由每一个做

UCAS ， LCAS 。

恩。如果

RAS

= H到L ，

UCAS

= H,

LCAS

= L，则

CAS先于RAS

刷新周期被选择。

LP

L*

2

L*

2

L*

2

H到L

D

的LtoH

D

H

D

H

数据表E0154H10

5

ro

开放

du

ct

HM5118165系列

16M的EDO DRAM （ 1 - Mword

×

16-bit)

1千刷新

ADE - 203-636D （ Z）

修订版4.0

1997年11月

描述

日立HM5118165组织为1,048,576字的CMOS动态RAM

×

16位。它采用了

最先进的0.5

m

CMOS技术的高性能和低功耗。该HM5118165报价

扩展数据输出（ EDO ）页面模式作为一种高速接入方式。它封装在42引脚塑料SOJ

和50引脚塑料TSOP II 。

特点

采用5 V （ ± 10 ％）

访问时间： 50纳秒/ 60纳秒/ 70纳秒（最大）

功耗

主动模式： 1045毫瓦/ 935毫瓦/ 825毫瓦（最大）

待机模式： 11毫瓦（最大）

： 0.83毫瓦（最大）（L-版本）

EDO页面模式功能

刷新周期

1024刷新周期： 16毫秒

： 128毫秒（L-版本）

刷新4变化

RAS-只

刷新

CAS先于RAS

刷新

隐藏刷新

自刷新（L-版本）

2CAS字节控制

电池备份操作（ L-版）

HM5118165系列

订购信息

型号

HM5118165J-5

HM5118165J-6

HM5118165J-7

HM5118165LJ-5

HM5118165LJ-6

HM5118165LJ-7

HM5118165TT-5

HM5118165TT-6

HM5118165TT-7

HM5118165LTT-5

HM5118165LTT-6

HM5118165LTT-7

存取时间

50纳秒

60纳秒

70纳秒

50纳秒

60纳秒

70纳秒

50纳秒

60纳秒

70纳秒

50纳秒

60纳秒

70纳秒

400万50引脚塑料TSOP II （ TTP - 50 / 44DC ）

包

400万42引脚塑料SOJ （ CP- 42D ）

2

HM5118165系列

管脚配置

HM5118165J / LJ系列

V

SS

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

V

SS

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

LCAS

UCAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

V

SS

NC

WE

RAS

NC

A0

A1

A2

A3

V

CC

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

（ TOP VIEW ）

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

NC

LCAS

UCAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

V

SS

HM5118165TT / LTT系列

V

CC

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

V

CC

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

V

SS

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

V

SS

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

V

CC

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

V

CC

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

NC

WE

RAS

NC

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

（ TOP VIEW ）

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

引脚说明

引脚名称

A0到A9

功能

地址输入

- 行/刷新地址A0到A9

- 列地址

A0到A9

数据输入/输出的数据

行地址选通

列地址选通

读/写使能

OUTPUT ENABLE

电源

地

无连接

I / O0至I / O15

RAS

UCAS ， LCAS

WE

OE

V

CC

V

SS

NC

3

HM5118165系列

框图

RAS

UCAS LCAS

WE

OE

定时和控制

A0

A1

to

A9

行解码器

COLUMN

地址

缓冲器

列解码器

1M阵列

I / O缓冲器

ROW

地址

缓冲器

I/O0

to

I/O15

4

HM5118165系列

真值表

RAS

H

L

H到L

L

LCAS

D

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

UCAS

D

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

WE

D

H

L

*2

L*

2

L*

2

L*

2

L*

2

L*

2

H到L

D

H

OE

D

L

D

H

的LtoH

D

H

产量

开放

有效

开放

未定义

有效

开放

手术

待机

低字节读周期

高字节

字

低字节早期的写周期

高字节

字

低字节延迟写入周期

高字节

字

低字节读 - 修改 - 写周期

高字节

字

读周期（禁止输出）

RAS-只

刷新周期

CAS先于RAS

刷新周期或

自刷新周期（L-版本）

注意事项： 1， H：高（无效） L：低（有效） D： H或L

2. t

WCS

≥

0 ns的早期写周期

t

WCS

< 0 ns的延迟写入周期

3.模式是通过的OR函数确定

UCAS

和

LCAS 。

（模式由最早的设定

UCAS

和

LCAS

由最新的主动力和复位

UCAS

和

LCAS

无效边沿。）

但是写操作和输出高阻控制独立地由每一个做

UCAS ，

LCAS 。

恩。如果

RAS

= H到L ，

UCAS

= H,

LCAS

= L，则

CAS先于RAS

刷新周期被选择。

5