HGTG30N60B3D
数据表
2004年4月
60A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT
与反并联二极管超高速
该HGTG30N60B3D是MOS门控高压开关
设备相结合的MOSFET和双极性的最佳功能
晶体管。本装置具有一个高输入阻抗
MOSFET和双极性的低导通状态的导通损耗
晶体管。在低得多的通态压降只有变化
适度的25
o
C和150
o
C.使用的IGBT是
开发类型TA49170 。在反并联使用的二极管
随着IGBT的开发类型TA49053 。
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49172 。
包装
JEDEC风格-247
E
C
G
符号
C
订购信息
产品型号
HGTG30N60B3D
包
TO-247
BRAND
G30N60B3D
G
E
注：订货时，使用整个零件编号。
特点
60A ， 600V ，T
C
= 25
o
C
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为90ns在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
超高速反并联二极管
飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2004仙童半导体公司
HGTG30N60B3D牧师B2
HGTG30N60B3D
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTG30N60B3D
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
二极管的平均正向电流为110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
EC （ AVG ）
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
短路耐受时间（注2） V
GE
= 12V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
短路耐受时间（注2） V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
60
30
25
220
±20
±30
60A电压为600V
208
1.67
-55到150
260
4
10
W
W/
o
C
o
C
o
C
单位
V
A
A
A
A
V
V
600
s
s
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PK ）
= 360V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 3.
电气规格
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
600
-
-
-
-
4.2
-
V
CE （ PK ）
= 480V
V
CE （ PK ）
= 600V
200
60
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.45
1.7
5
-
-
-
7.2
170
230
36
25
137
58
550
680
最大
-
250
3
1.9
2.1
6
±250
-
-
-
190
250
-
-
-
-
800
900
单位
V
A
mA
V
V
V
nA
A
A
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
J
集电极到发射极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3,
V
GE
= 15V ， L = 100μH
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
V
GE （日）
I
GES
SSOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= I
C110
, V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C,
I
CE
= I
C110
,
V
CE
= 0.8 BV
CES
,
V
GE
= 15V,
R
G
= 3,
L = 1MH ，
测试电路（图19）
2004仙童半导体公司
HGTG30N60B3D牧师B2
HGTG30N60B3D
电气规格
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
V
EC
t
rr
I
EC
= 30A
I
EC
= 1A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
I
EC
= 30A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
热阻结到外壳
R
θJC
IGBT
二极管
注意：
3.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）被定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿的积分和
在其中的集电极电流等于零（我的点结束
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试
功率器件的测量关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 150
o
C,
I
CE
= I
C110
,
V
CE
= 0.8 BV
CES
,
V
GE
= 15V,
R
G
= 3,
L = 1MH ，
测试电路（图19）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
32
24
275
90
1300
1600
1.95
32
45
-
-
最大
-
-
320
150
1550
1900
2.5
40
55
0.6
1.3
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
V
ns
ns
o
C / W
o
C / W
典型性能曲线
60
I
CE
， DC集电极电流（ A）
50
40
30
20
10
0
25
除非另有说明
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
100
200
300
400
500
600
700
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
= 15V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3, V
GE
= 15V ， L = 100μH
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1. DC集电极电流与案例
温度
图2.最小开关安全工作区
2004仙童半导体公司
HGTG30N60B3D牧师B2
QQ：2881677436 复制
