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HM5117400B系列
4,194,304-word
4位动态随机存取存储器
ADE - 203-369A （ Z）
1.0版
1995年11月15日
描述
日立HM5117400B是CMOS动态RAM举办4,194,304字4位。它采用了最
先进的CMOS技术的高性能和低功耗。该HM5117400B提供快速页面模式
作为一个高速存取模式。
特点
采用5 V单（ 10 ％ ）
高速
访问时间： 60纳秒/ 70纳秒/ 80纳秒（最大）
低功耗
主动模式： 605毫瓦/ 550毫瓦/ 495毫瓦（最大）
待机模式： 11毫瓦（最大）
： 0.83毫瓦（最大） （L-版本）
快页模式功能
龙刷新周期
2048刷新周期： 32毫秒
： 128毫秒（L-版本）
刷新3变化
- 仅刷新
-before-
刷新
隐藏刷新
电池备份操作（ L-版）
测试功能
16位并行测试模式
该规范是与德州仪器的16兆位DRAM规格完全兼容。
HM5117400B系列
订购信息
型号
HM5117400BS-6
HM5117400BS-7
HM5117400BS-8
HM5117400BLS-6
HM5117400BLS-7
HM5117400BLS-8
HM5117400BTS-6
HM5117400BTS-7
HM5117400BTS-8
HM5117400BLTS-6
HM5117400BLTS-7
HM5117400BLTS-8
存取时间
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
300万26引脚塑料TSOP II （ TTP - 26 / 24DA ）
包
300万26引脚塑料SOJ （ CP- 26 / 24DB ）
管脚配置
HM5117400BS / BLS系列
HM5117400BTS / BLTS系列
V
CC
I/O1
I/O2
1
2
3
4
5
26
25
24
23
22
21
V
SS
I/O4
I/O3
V
CC
I/O1
I/O2
1
2
3
4
5
26
25
24
23
22
21
V
SS
I/O4
I/O3
NC
6
A9
NC
6
A9
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
8
9
10
11
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13
19
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17
16
15
14
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A6
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A1
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A7
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V
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（ TOP VIEW ）
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