大电流电感器
单绕组， HC1
应用
下一代微处理器
高电流DC -DC转换器
计算机
环境数据
存储温度范围： -40 ° C至+ 125°C
SMD器件
描述：
125 °C的最高总工作温度
专为高电流，低电压应用
低DCR ，效率高
箔建设更高频率的电路设计
适用于红外和蒸汽回流焊
频率范围为1kHz至1MHz
铁氧体磁芯材料
工作温度范围： -40 ° C至+ 125°C （范围是
特定的应用程序） 。
回流焊接温度： + 260 ° C（最大值） 10
最高秒。
包装
在磁带和卷轴包装供应单位， 250份上
13 “直径卷筒。
产品规格
部分
数
HC1-R22-R
HC1-R30-R
HC1-R57-R
HC1-R87-R
HC1-1R0-R
HC1-1R7-R
HC1-2R3-R
HC1-3R6-R
HC1-5R1-R
HC1-7R8-R
HC1-100-R
评级
电感
μ
H
0.22
0.30
0.57
0.87
1.0
1.7
2.3
3.6
5.1
7.8
10
OCL
± 15%
μ
H
0.218
0.291
0.572
0.866
1.12
1.66
2.29
3.59
5.15
7.85
10.5
(1)
IRMS
(2)
安培（约）
51.42
51.42
37.83
28.01
28.01
22.30
22.30
16.76
12.79
12.79
12.79
ISAT
(3)
安培（约）
40.5
31.8
33.4
31.0
25.4
22.2
16.7
13.4
11.2
6.7
5.3
DCR （
Ω
)
最高20°C时
0.00036
0.00036
0.00068
0.00123
0.00123
0.0020
0.0020
0.0035
0.0057
0.0057
0.0057
电压
μ
美国证券交易委员会
(4)
(V
μ
S） - （参考文献）
1.83
1.83
3.66
5.49
5.49
7.33
7.33
9.16
10.99
10.99
10.99
1 ） OCL （开路电感）测试参数： 300kHz的， .25Vrms ， 0.0Adc &的Isat 。
2 ） IRMS安约
ΔT
为40℃ 。一个近似直流电流
ΔT
40℃无核心
损失。降级是必要的交流电流。因此建议该部分的温度
不超过在最终应用中验证了125°C下的最坏情况运行条件。
3 ）的Isat安培峰值约30％的衰减@ 20℃
4 ）应用电压 - 时间的产品（ V- μs）内电感两端。该值表示所施加的V- μS在
必要为200kHz ，以产生40 ℃的温度下的铁心损耗等于总损耗的10％的
上升。见磁芯损耗曲线。
5 ）零件号的定义 - HC1 - XXX -R ：
HC1 =产品代码和尺寸
-xxx =电感值
R =十进制点（如果没有“R”是目前
第三字符=零的个数）
-R后缀=符合RoHS标准
尺寸 - 毫米
顶视图
SIDE VIEW
前视图
推荐焊盘布局
（边组元）
4.5
4.5
概要
1
13.0
马克斯。
4.9典型。
1
2
10.0
马克斯。
10.0
2
13.0
马克斯。
2.2
典型值。
14.5
XXX =电感值
wwllyy =日期代码R =修订级别
0508
BU-SB08064
第1页3
数据表4328
电感特性
HC1电感（ R87 ）
HC1电感器（ R22 ， 7R8 ）
100
100
90
90
OCL （ ％ ）
80
OCL （ ％ ）
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
80
70
70
60
60
50
50
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
％我
SAT
％我
SAT
HC1电感（ 1R7 ）
HC1电感器（ R57 ， 2R3 ， 3R6 ， 5R1 ）
100
100
90
90
OCL （ ％ ）
70
OCL （ ％ ）
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
80
80
70
60
60
50
50
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
％我
SAT
％我
SAT
盐酸电感器（ R30， 100）
HC1电感（ 1R0 ）
100
100
90
90
OCL （ ％ ）
OCL （ ％ ）
80
80
70
70
60
60
50
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
50
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
％我
SAT
％我
SAT
北美
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套房F
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ST 。 LOUIS ， MO 63178
W W瓦特 O O P·E R B美国S，M，一个N N 。 C 0米
0508
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