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HM-6642/883

数据表

2004年3月

FN3013.2

512 ×8 CMOS PROM

在HM- 883分之6642是一个512 ×8的CMOS镍铬熔断线

可编程只读存储器中流行的24引脚

字节宽的引脚排列。同步电路设计技术

与CMOS工艺相结合，使该装置高

速性能具有非常低的功耗。

芯片上的地址锁存器提供，可方便

与使用最近的代微处理器接口

复用地址/数据总线结构，如8085 。

输出使能控制，无论是低电平有效和高电平有效，

进一步简化微处理器系统通过接口

允许独立的芯片的输出数据总线控制

使能控制。的数据输出锁存器允许使用的

HM- 6642高速流水线结构系统/ 883 ，

并且还同步逻辑的替代函数。

申请的HM -八百八十三分之六千六百四十二CMOS PROM包括低

功率手持基于微处理器的仪器和

通信系统中，远程数据采集和

处理系统中，处理器的控制存储器，和

同步逻辑的替代品。

所有位都制造存储逻辑“0” ，并且可以是

选择性地编程为逻辑“1 ”，在任何位位置。

特点

该电路耗时要按照MIL- STD- 883

并完全符合根据的规定

第1.2.1 。

低功耗待机和操作电源

- ICCSB 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .100μA

- ICCOP 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 20毫安在1MHz

快速存取时间。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 120 / 200纳秒

宽工作。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

=温度范围

工业标准引脚

5.0V单电源供电

CMOS / TTL兼容输入

现场可编程

同步操作

片地址锁存器

独立的输出使能

引脚说明

针

NC

无连接

地址输入

芯片使能

数据输出

电源（+ 5V）的

OUTPUT ENABLE

项目启用

P应连接至GND ，除了在编程过程中。

HM- 883分之6642 （ CLCC ）

顶视图

V

CC

NC

A5

A6

A7

G1

26

25

24

23

22

21

20

19

12

Q1

13

Q2

14

GND

15

NC

16

Q3

17

Q4

18

Q5

G2

G3

E

P

NC

Q7

Q6

A8

27

描述

订购信息

PKG 。

SBDIP

苗条

SBDIP

CLCC

温度。

范围（° C）

120ns

200ns

PKG 。

DWG 。＃

A0-A8

E

Q

V

CC

G1, G2, G3

-55到+125 HM1-6642B / 883 HM1-6642 / 883 D24.6

-55到+125 HM6-6642B / 883 HM6-6642 / 883 D24.3

-55到+125

-

HM4-6642 / 883 J28.A

ρ（注）

注意：

引脚配置

M-八百八十三分之六千六百四十二（ SBDIP ）

顶视图

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

Q0

Q1

Q2

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

24 V

CC

23 A8

22 G1

21 G2

20 G3

19 E

18 P

17 Q7

16 Q6

15 Q5

14 Q4

13 Q3

A4

A3

A2

A1

A0

NC

Q0

5

6

7

8

9

10

11

4

3

2

1

28

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

HM-6642/883

工作原理图

A8

A7

A6

A5

A4

A3

LATCHED

地址

注册

A

6

A

6

门控

ROW

解码器

64 x 64

矩阵

64

所有线路正逻辑 - ACTIVE HIGH

三态缓冲器：

高

输出活动

8

数据锁存器：

l高

Q ？d

Q锁存ê上升沿

地址锁存器和门解码器：

闩锁ê下降沿

GATE下降沿ê边

P应连接至GND除

在编程过程中

8

A2

A1

A0

A

LATCHED

地址

注册

3

A

3

D

E

8

门控COLUMN

解码器

8位数据锁存器

G1

G2

G3

Q0

Q1

Q2

Q3

Q4

Q5

Q6

Q7

2

HM-6642/883

绝对最大额定值

电源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 7.0V

输入，输出或I / O电压。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V至VCC + 0.3V

典型的降额因子。。。。。。。。。。。在ICCOP 5毫安/ MHz的增加

ESD分类科幻阳离子。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1级

热信息

热电阻（典型值）

θ

JA

（ ° C / W）

θ

JC

（ ° C / W）

SBDIP包。。。。。。。。。。。。。。。。。。

52

14

修身SBDIP 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

70

19

CLCC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。

58

14

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 - 65 ° C至+ 150°C

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 175℃

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。 + 300℃

工作条件

工作电压范围

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +4.5V

至+ 5.5V

工作温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。 - 55 ° C至+ 125°C

输入低电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V至+ 0.8V

输入高电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 2.4 VCC + 0.3V

模具特点

门数。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.1680盖茨

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

表1. HM- 883分之6642直流电气性能规格

设备保证100 ％测试

参数

高电平输出电压

低电平输出电压

高阻抗输出

漏电流

输入漏电流

待机电源电流

工作电源电流

符号

VOH

VOL

IIOZ

II

ICCSB

ICCOP

（注1,4）

条件

VCC = 4.5V ， IO = -1.0mA

VCC = 4.5V ， IO = + 3.2毫安

VCC = 5.5V ，G = 5.5V ，

VI / O = GND和VCC

VCC = 5.5V ， VI = GND和VCC ，

P未测试

VI = VCC或GND ， VCC = 5.5V ，

IO = 0毫安

VCC = 5.5V ，G = GND ，

G = VCC ，（注3 ）， F = 1MHz时，

IO = 0毫安， VI = VCC或GND

VCC = 4.5V （注5 ）

A组

亚

1, 2, 3

温度

(°C)

-55

≤

T

A

≤

+125

-55

≤

T

A

≤

+125

-55

≤

T

A

≤

+125

-55

≤

T

A

≤

+125

-55

≤

T

A

≤

+125

-55

≤

T

A

≤

+125

民

2.4

-

-1.0

-

最大

-

0.4

1.0

100

20

单位

V

A

mA

功能测试

FT

7，图8A ，8B

-55

≤

T

A

≤

+125

-

表2. HM- 883分之6642交流电气性能规格

设备保证100 ％测试

（注：1 ，2，4 ）

条件

VCC = 4.5V和5.5V

A组

SUB -

群体

9, 10, 11

HM-6642B/883

温度

(°C)

-55

≤

T

A

≤

+125

-55

≤

T

A

≤

+125

-55

≤

T

A

≤

+125

-55

≤

T

A

≤

+125

-55

≤

T

A

≤

+125

-55

≤

T

A

≤

+125

-55

≤

T

A

≤

+125

-55

≤

T

A

≤

+125

民

-

20

25

120

40

160

最大

140

50

120

-

HM-6642/883

民

-

20

60

200

150

350

最大

220

150

200

-

单位

ns

参数

地址访问时间

输出启用访问时间

芯片使能存取时间

地址建立时间

地址保持时间

芯片使能低电平宽度

芯片使能高宽

读周期时间

注意事项：

符号

tAVQV

TGVQV

TELQV

塔维尔

tELAX

tELEH

tEHEL

TELEL

1.所有电压参考VSS 。

2. AC测量假设过渡时间<为5ns ;输入电平= 0.0V至3.0V ;时序参考水平= 1.5V ;输出负载= 1TTL等效负载

和CL

50pF.

3.典型的降额= 5毫安/ MHz的增加ICCOP 。

4，所有测试执行与P连接至GND 。

5.测试如下： F = 1MHz时， VIH = 2.4V ， VIL = 0.8V ， IOH = -1mA ， IOL = + 1mA时， VOH

≥

1.5V ， VOL

≤

1.5V.

3

HM-6642/883

表3.适用子群

合规组

初步测试

临时测试

PDA

最终测试

A组

C组&

法

100%/5004

Samples/5005

亚

-

1, 7, 9

1

2，第3 ，第7，图8A ，8B ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11

1, 7, 9

开关波形

tAVQV

塔维尔

A

tEHEL

E

TELQV

tELAX

ADD有效

TELEL

tELEH

tEHEL

塔维尔

接下来添加

Q

TGXQZ

TGVQX

TGVQV

数据有效

TGXQZ

G

（注）

时间

参考

-1

0

1

2

3

456

注： G具有除信号相同的定时G被反相。

图1.读周期

测试负载电路

DUT

CL

（注）

IOH

注意：

测试头

电容，

包括杂散

和夹具电容

±

1.5V

IOL

等效电路

图2.测试负载电路

4

HM-6642/883

老化的电路

HM- 883分之6642 （ 0.300英寸） SBDIP

VCC

C

F8

F7

F6

F5

F4

F3

F2

F1

2.4K

VCC/2

2.4K

1

2

3

4

5

6

7

8

9

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

Q0

VCC 24

A8 23

G1 22

G2 21

G3 20

E 19

P 18

Q7 17

Q6 16

Q5 15

Q4 14

Q3 13

F9

F10

F11

F12

F0

GND

2.4K

VCC/2

F10

F9

F8

F7

F6

F5

F4

F3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

VCC/2

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

Q0

VCC

A8

G1

G2

G3

E

P

Q7

Q6

Q5

Q4

Q3

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

VCC/2

VCC

F9

F10

F11

F12

F0

GND

HM- 883分之6642 （ 0.600英寸） SBDIP

C

10 Q1

11 Q2

12 GND

10 Q1

11 Q2

12 GND

HM- 883分之6642 CLCC

VCC

F10

25

24

23

22

21 NC

20

19

12 13 14 15 16 17 18

NC

VCC

1.5K

F6

F7

F8

F9

4

F5

F4

F3

F2

F1

5

6

7

8

9

NC 10

11

3

2

NC

28

C

1

27 26

F11

F12

F0

820

R2

注意事项：

1. F0 = 100kHz的

±

10%.

2.所有电阻= 47千欧姆。

3，除非另有说明。

4. VCC = 5.5V

±

0.5V.

5. VIL = 4.5V

±

10%.

6.

C = 0.01μF最小。

1.5K

R1

5