【TMP OD ü （C T）OBSO LETEP OD ü （C T）ubstitute可能的S】,IC型号HA7-5222/883,HA7-5222/883 PDF资料,HA7-5222/883经销商,ic,电子元器件-51电子网

TM

P OD ü （C T）

OBSO LETE

P OD ü （C T）

ubstitute

可能的S

HA7-5142-2

HA7-51 02-2

2001年9月

HA-5222/883

双通道，低噪声，宽带，

精密运算放大器器

描述

在HA-八百八十三分之五千二百二十二是一款双通道，高性能，介电

孤立的，单片运算放大器，具有精密直流字符

开创性意义，同时提供卓越的AC性能。

专为音频，视频和其他要求苛刻的应用

系统蒸发散，噪声（ 3.3nV / √Hz的在1kHz典型值），总谐波失真

灰（ <0.005 ％典型值），和直流误差被保持在最低限度。

在精确的性能显示了低失调电压

（ 0.3mV典型值），低偏置电流（典型值为40nA ），低偏置电流

租金（ 15nA （典型值））和高开环增益（ 128分贝典型值）。该

与快速的这些优秀的直流特性组合

建立时间（ 0.4μs ，典型值）使HA-八百八十三分之五千二百二十二理想

适用于精密信号调理。

在HA- 883分之5222的独特设计使该设备输出

站在AC特性，包括高增益频带 -

宽（ 40MHz的典型值）和高压摆率（ 37V / μs的典型值），而不是

通常与精密运算放大器相关联。其它主要光谱

我科幻阳离子包括高共模抑制比（ 95分贝典型值）和高PSRR

（ 100分贝典型值）。这些特定网络阳离子的结合将

允许的HA-八百八十三分之五千二百二十二将射频信号调节用

以及视频放大器器。

特点

该电路耗时要按照MIL -STD-

883是完全符合根据的规定

第1.2.1 。

增益带宽积。。。。。。。。。。。。。 .100MHz （最小值）

单位增益带宽。。。。。。。。。。。。。。。。 .30MHz （最小值）

为40MHz （典型值）

高转换率。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .25V /微秒（最小值）

37V / μs（典型值）

低失调电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .0.75mV （最大）

0.30mV （典型值）

高开环增益。。。。。。。。。。。。。。。。。 106分贝（最小值）

128分贝（典型值）

声道分离度（在10kHz ）。。。。。。。。。。 110分贝（典型值）

低电压噪声（ 1kHz时）。。。。。。。。 .5.9nV / √Hz的（最大）

3.3nV / √Hz的（典型值）

低电流噪声（ 1kHz时）。。。。。。。。 2.7pA / √Hz的（最大）

1.3pA / √Hz的（典型值）

高输出电流。。。。。。。。。。。。。。。。。

±30mA

（分钟）

±56mA

（典型值）

低电源电流（每个运算放大器）。。。。。。 10毫安（最大）

8毫安（典型值）

书名

A-

22/

3)

b-

t

UAL ，

w

ISE ，

DE-

第二，

CI-

n

ERA

最终

pli-

r)

托尔

ey-

RDS

之三

rpo-

离子，

MI-

n-

构造函数，

LI-

y,

AL ，

w

ISE ，

DE-

第二，

CI-

n

ERA

产品编号信息

部分

数

HA7-5222/883

温度

范围

-55

o

C至+ 125

o

C

包

8引脚CERDIP

应用

精密测试系统

有源滤波

小信号视频

精确的信号处理

射频信号调理

引脚

HA-5222/883

（ CERDIP ）

顶视图

OUT1

-IN1

+IN1

V-

1

2

3

4

-

+

1

2

-

+

8

7

6

5

V+

OUT2

-IN2

+IN2

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

|

Intersil的设计是Intersil美洲公司的商标。

1

规格编号

511062-883

网络文件编号

3717.2

特定网络阳离子HA-八百八十三分之五千二百二十二

绝对最大额定值

在V +和V-端子电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 36V

差分输入电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 5V

电压在任一输入端。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V +至V-

峰值输出电流（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）。。。。。百毫安

连续输出电流。。。。。。。。。。。。。。短路保护功能

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 175

o

C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65

o

C至+150

o

C

ESD额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 <2000V

引线温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +300

o

C

热信息（典型值）

θ

JC

热阻

θ

JA

CERDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

96

o

C / W

16

o

C / W

封装功耗为75极限

o

C

CERDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1.04W

封装功耗降额因子以上75

o

C

CERDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10.4mW /

o

C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

工作条件

工作温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至+ 125

o

C

工作电源电压

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±5V

to

±15V

V

INCM

≤

1/2 (V+ - V-)

R

L

≥

1k

表1. DC电性能等特点

测试设备在： V

供应

=

±15V,

R

负载

= 1kΩ的，V

OUT

= 0V ，除非另有说明。

A组

亚

1

2, 3

输入偏置电流

+I

B

V

CM

= 0V,

+R

S

= 100.1k,

-R

S

= 100

V

CM

= 0V ， + R

S

= 100,

-R

S

= 100.1k

V

CM

= 0V,

+R

S

= 100.1k,

-R

S

= 100.1k

V+ = +3V, V- = -27V

1

2, 3

1

2, 3

1

2, 3

1

2, 3

-CMR

V+ = +27V, V- = -3V

1

2, 3

大信号电压

收益

+A

VOL

V

OUT

= 0V至+ 10V

4

5, 6

-A

VOL

V

OUT

= 0V和-10V

4

5, 6

共模

抑制比

+ CMRR

V

CM

= +10V,

V+ = +5V, V- = -25V,

V

OUT

= -10V

V

CM

= -10V,

V+ = +25V, V- = -5V,

V

OUT

= +10V

R

L

= 1k

1

2, 3

1

2, 3

4

5, 6

-V

OUT

R

L

= 1k

4

5, 6

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

民

-0.75

-1.5

-80

-200

-80

-200

-50

-150

12

-

106

100

106

100

88

86

88

86

12.0

11.5

-

最大

0.75

1.5

80

200

80

200

50

150

-

-12

-

-12.0

-11.5

单位

mV

nA

V

dB

V

参数

输入失调电压

符号

V

IO

条件

V

CM

= 0V

-I

B

输入失调电流

I

IO

共模范围

+ CMR

-CMRR

输出电压摆幅

+V

OUT

规格编号

2

511062-883

特定网络阳离子HA-八百八十三分之五千二百二十二

表1.直流电气性能特性（续）

测试设备在： V

供应

=

±15V,

R

负载

= 1kΩ的，V

OUT

= 0V ，除非另有说明。

A组

亚

4

5, 6

-I

OUT

V

OUT

= -10V ，R

L

= 1k

4

5, 6

静态电源

当前

+I

CC

V

OUT

= 0V时，我

OUT

= 0毫安

1

2, 3

-I

CC

V

OUT

= 0V时，我

OUT

= 0毫安

1

2, 3

电源

抑制比

+ PSRR

V

SUP

= 10V,

V+ = +20V, V- = -15V,

V+ = +10V, V- = -15V

V

SUP

= 10V,

V+ = +15V, V- = -20V,

V+ = +15V, V- = -10V

1

2, 3

1

2, 3

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

民

30

-

-20

-22

90

86

90

86

最大

-

-30

20

22

-

单位

mA

dB

参数

输出电流

符号

+I

OUT

条件

V

OUT

= + 10V ，R

L

= 1k

-PSRR

表2. AC电性能等特点

表2空白。参见AC规范见表3 。

表3.电气性能特性

装置，其特征为： V

供应

=

±15V,

R

负载

= 1kΩ的，除非另有说明。

范围

参数

输入噪声电压

密度

符号

E

N

条件

R

S

= 0, f

O

= 10Hz的

R

S

= 0, f

O

= 100Hz的

R

S

= 0, f

O

= 1kHz时

输入噪声电流

密度

I

N

R

S

= 500kΩ的，女

O

= 10Hz的

R

S

= 500kΩ的，女

O

= 100Hz的

R

S

= 500kΩ的，女

O

= 1kHz时

增益带宽积

V

OUT

= 200mV的

P-P

,

f

O

=

100kHz

笔记

1, 5

1

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

-55

o

C至+ 125

o

C

1

+25

o

C

-55

o

C至+ 125

o

C

压摆率

ΔSr

V

OUT

=

±2.5V,

C

L

= 50pF的

V

PEAK

= 10V

1

-55

o

C至+ 125

o

C

民

-

100

88

30

25

最大

16.0

6.6

5.9

24.0

6.6

2.7

-

单位

纳伏/赫兹÷

PA / ÷赫兹

兆赫

V / μs的

单位增益带宽

UGBW

V

OUT

= 200mV的

全功率带宽

FPBW

1, 2

-55

o

C至+ 125

o

C

398

-

千赫

规格编号

3

511062-883

特定网络阳离子HA-八百八十三分之五千二百二十二

表3.电气性能特性（续）

装置，其特征为： V

供应

=

±15V,

R

负载

= 1kΩ的，除非另有说明。

范围

参数

最小闭环

稳定的增益

上升和下降时间

符号

CLSG

条件

R

L

= 1kΩ的，C

L

= 50pF的

V

OUT

=

±100mV

笔记

1

温度

-55

o

C至+ 125

o

C

民

1

最大

-

单位

V/V

t

R,

t

F

1, 4

+25

o

C

-55

o

C至+ 125

o

C

-

20

35

25

30

660

ns

%

mW

冲

-OS

V

OUT

=

±100mV

1

+25

o

C

-55

o

C至+ 125

o

C

耗电量

PC

V

OUT

= 0V时，我

OUT

=

0mA

1, 3

-55

o

C至+ 125

o

C

注意事项：

在表3中列出的参数1.通过设计或工艺参数控制的，并且不以网络连接纳尔生产直接测试。这些参

ETERS有实验室特征在初始设计发布，或根据设计变更。这些参数由特性保证

根据来自多个生产运行它重新FL ECT很多很多，很多变化中的数据。

2.根据使用FPBW =转换速率/压摆率测量全功率带宽保证（ 2πV

PEAK

).

基于静态电源电流测试3.最大功耗。（没有对输出负载）。

4.测量介于10％和90 ％的点。

5.输入噪声电压密度和输入噪声电流密度限值基于特性数据。

表4.电气试验要求

MIL -STD- 883测试要求

临时电气参数（预烧机）

最终电参数测试仪

A组的测试要求

C和D组端点

注意：

1. PDA仅适用于亚组1 。

亚组（见表1）

1

1 （注1），2 ，3，4 ，5，6

1, 2, 3, 4, 5, 6

1

规格编号

4

511062-883

HA-5222/883

模具特点

DIE尺寸：

78 X 185 X 19密耳

±

1密尔

1980 X 4690 X 483μm

±

25.4m

金属化：

牌号的Al ， 1 ％的Cu

厚度： 16K

±

2k

玻璃钝化：

类型：氮化物（氮化硅）在二氧化硅层（ SIO2 5 ％磷酸）。

二氧化硅层厚度： 12K

±

2k

氮化物厚度： 3.5K

±

1.5k

最坏情况下的电流密度：

4.2 x 10

4

A /厘米

2

衬底电位（电）：

V-

晶体管数量：

128

过程：

双极电介质隔离

金属掩模布局

HA-5222/883

OUT1

V+

-IN1

+IN1

V-

OUT2

-IN2

+IN2

规格编号

5

511062-883

HA-5222/883

1996年1月

双通道，低噪声，宽带，

精密运算放大器器

描述

在HA-八百八十三分之五千二百二十二是一款双通道，高性能，介电

孤立的，单片运算放大器，具有精密直流字符

开创性意义，同时提供卓越的AC性能。

专为音频，视频和其他要求苛刻的应用

系统蒸发散，噪声（ 3.3nV / √Hz的在1kHz典型值），总谐波失真

灰（ <0.005 ％典型值），和直流误差被保持在最低限度。

在精确的性能显示了低失调电压

（ 0.3mV典型值），低偏置电流（典型值为40nA ），低偏置电流

租金（ 15nA （典型值））和高开环增益（ 128分贝典型值）。该

与快速的这些优秀的直流特性组合

建立时间（ 0.4μs ，典型值）使HA-八百八十三分之五千二百二十二理想

适用于精密信号调理。

在HA- 883分之5222的独特设计使该设备输出

站在AC特性，包括高增益频带 -

宽（ 40MHz的典型值）和高压摆率（ 37V / μs的典型值），而不是

通常与精密运算放大器相关联。其它主要光谱

我科幻阳离子包括高共模抑制比（ 95分贝典型值）和高PSRR

（ 100分贝典型值）。这些特定网络阳离子的结合将

允许的HA-八百八十三分之五千二百二十二将射频信号调节用

以及视频放大器器。

特点

该电路耗时要按照MIL -STD-

883是完全符合根据的规定

第1.2.1 。

增益带宽积。。。。。。。。。。。。。 100MHz的（最小）

单位增益带宽。。。。。。。。。。。。。。。。在30MHz （最小值）

为40MHz （典型值）

高转换率。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 25V / μs的（最小）

37V / μs（典型值）

低失调电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.75mV （最大）

0.30mV （典型值）

高开环增益。。。。。。。。。。。。。。。。。 106分贝（最小值）

128分贝（典型值）

声道分离度（在10kHz ）。。。。。。。。。。 110分贝（典型值）

低电压噪声（ 1kHz时）。。。。。。。。 5.9nV / √Hz的（最大）

3.3nV / √Hz的（典型值）

低电流噪声（ 1kHz时）。。。。。。。。 2.7pA / √Hz的（最大）

1.3pA / √Hz的（典型值）

高输出电流。。。。。。。。。。。。。。。。。

±30mA

（分钟）

±56mA

（典型值）

低电源电流（每个运算放大器）。。。。。。 10毫安（最大）

8毫安（典型值）

订购信息

部分

数

HA7-5222/883

温度

范围

-55

o

C至+ 125

o

C

包

8引脚CERDIP

应用

精密测试系统

有源滤波

小信号视频

精确的信号处理

射频信号调理

引脚

HA-5222/883

（ CERDIP ）

顶视图

OUT1

-IN1

+IN1

V-

1

2

3

4

-

+

1

2

-

+

8

7

6

5

V+

OUT2

-IN2

+IN2

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

|

版权

Intersil公司1999

规格编号

3-169

511062-883

网络文件编号

3717.1

特定网络阳离子HA-八百八十三分之五千二百二十二

绝对最大额定值

在V +和V-端子电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 36V

差分输入电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 5V

电压在任一输入端。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V +至V-

峰值输出电流（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）。。。。。百毫安

连续输出电流。。。。。。。。。。。。。。短路保护功能

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 175

o

C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65

o

C至+150

o

C

ESD额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 <2000V

引线温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +300

o

C

热信息（典型值）

热阻

θ

JA

θ

JC

o

C / W

CERDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

96

16

o

C / W

封装功耗为75极限

o

C

CERDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1.04W

封装功耗降额因子以上75

o

C

CERDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10.4mW /

o

C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

工作条件

工作温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至+ 125

o

C

工作电源电压

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±5V

to

±15V

V

INCM

≤

1/2 (V+ - V-)

R

L

≥

1k

表1. DC电性能等特点

测试设备在： V

供应

=

±15V,

R

负载

= 1kΩ的，V

OUT

= 0V ，除非另有规定ED 。

A组

亚

1

2, 3

输入偏置电流

+I

B

V

CM

= 0V,

+R

S

= 100.1k,

-R

S

= 100

V

CM

= 0V ， + R

S

= 100,

-R

S

= 100.1k

V

CM

= 0V,

+R

S

= 100.1k,

-R

S

= 100.1k

V+ = +3V, V- = -27V

1

2, 3

1

2, 3

1

2, 3

1

2, 3

-CMR

V+ = +27V, V- = -3V

1

2, 3

大信号电压

收益

+A

VOL

V

OUT

= 0V至+ 10V

4

5, 6

-A

VOL

V

OUT

= 0V和-10V

4

5, 6

共模

抑制比

+ CMRR

V

CM

= +10V,

V+ = +5V, V- = -25V,

V

OUT

= -10V

V

CM

= -10V,

V+ = +25V, V- = -5V,

V

OUT

= +10V

R

L

= 1k

1

2, 3

1

2, 3

4

5, 6

-V

OUT

R

L

= 1k

4

5, 6

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

民

-0.75

-1.5

-80

-200

-80

-200

-50

-150

12

-

106

100

106

100

88

86

88

86

12.0

11.5

-

最大

0.75

1.5

80

200

80

200

50

150

-

-12

-

-12.0

-11.5

单位

mV

nA

V

dB

V

参数

输入失调电压

符号

V

IO

条件

V

CM

= 0V

-I

B

输入失调电流

I

IO

共模范围

+ CMR

-CMRR

输出电压摆幅

+V

OUT

规格编号

3-170

511062-883

特定网络阳离子HA-八百八十三分之五千二百二十二

表1.直流电气性能特性（续）

测试设备在： V

供应

=

±15V,

R

负载

= 1kΩ的，V

OUT

= 0V ，除非另有规定ED 。

A组

亚

4

5, 6

-I

OUT

V

OUT

= -10V ，R

L

= 1k

4

5, 6

静态电源

当前

+I

CC

V

OUT

= 0V时，我

OUT

= 0毫安

1

2, 3

-I

CC

V

OUT

= 0V时，我

OUT

= 0毫安

1

2, 3

电源

抑制比

+ PSRR

V

SUP

= 10V,

V+ = +20V, V- = -15V,

V+ = +10V, V- = -15V

V

SUP

= 10V,

V+ = +15V, V- = -20V,

V+ = +15V, V- = -10V

1

2, 3

1

2, 3

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

民

30

-

-20

-22

90

86

90

86

最大

-

-30

20

22

-

单位

mA

dB

参数

输出电流

符号

+I

OUT

条件

V

OUT

= + 10V ，R

L

= 1k

-PSRR

表2. AC电性能等特点

表2空白。看到AC特定网络阳离子表3 。

表3.电气性能特性

装置，其特征为： V

供应

=

±15V,

R

负载

= 1kΩ的，除非另有规定ED 。

范围

参数

输入噪声电压

密度

符号

E

N

条件

R

S

= 0, f

O

= 10Hz的

R

S

= 0, f

O

= 100Hz的

R

S

= 0, f

O

= 1kHz时

输入噪声电流

密度

I

N

R

S

= 500kΩ的，女

O

= 10Hz的

R

S

= 500kΩ的，女

O

= 100Hz的

R

S

= 500kΩ的，女

O

= 1kHz时

增益带宽积

V

OUT

= 200mV的

P-P

,

f

O

=

100kHz

笔记

1, 5

1

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

-55

o

C至+ 125

o

C

1

+25

o

C

-55

o

C至+ 125

o

C

压摆率

ΔSr

V

OUT

=

±2.5V,

C

L

= 50pF的

V

PEAK

= 10V

1

-55

o

C至+ 125

o

C

民

-

100

88

30

25

最大

16.0

6.6

5.9

24.0

6.6

2.7

-

单位

纳伏/赫兹÷

PA / ÷赫兹

兆赫

V / μs的

单位增益带宽

UGBW

V

OUT

= 200mV的

全功率带宽

FPBW

1, 2

-55

o

C至+ 125

o

C

398

-

千赫

规格编号

3-171

511062-883

特定网络阳离子HA-八百八十三分之五千二百二十二

表3.电气性能特性（续）

装置，其特征为： V

供应

=

±15V,

R

负载

= 1kΩ的，除非另有规定ED 。

范围

参数

最小闭环

稳定的增益

上升和下降时间

符号

CLSG

条件

R

L

= 1kΩ的，C

L

= 50pF的

V

OUT

=

±100mV

笔记

1

温度

-55

o

C至+ 125

o

C

民

1

最大

-

单位

V/V

t

R,

t

F

1, 4

+25

o

C

-55

o

C至+ 125

o

C

-

20

35

25

30

660

ns

%

mW

冲

-OS

V

OUT

=

±100mV

1

+25

o

C

-55

o

C至+ 125

o

C

耗电量

注意事项：

PC

V

OUT

= 0V时，我

OUT

= 0毫安

1, 3

-55

o

C至+ 125

o

C

在表3中列出的参数1.通过设计或工艺参数控制的，并且不以网络连接纳尔生产直接测试。这些参

ETERS有实验室特征在初始设计发布，或根据设计变更。这些参数由特性保证

根据来自多个生产运行它重新FL ECT很多很多，很多变化中的数据。

2.根据使用FPBW =转换速率/压摆率测量全功率带宽保证（ 2πV

PEAK

).

基于静态电源电流测试3.最大功耗。（没有对输出负载）。

4.测量介于10％和90 ％的点。

5.输入噪声电压密度和输入噪声电流密度限值基于特性数据。

表4.电气试验要求

MIL -STD- 883测试要求

临时电气参数（预烧机）

最终电参数测试仪

A组的测试要求

C和D组端点

注意：

1. PDA仅适用于亚组1 。

亚组（见表1）

1

1 （注1），2 ，3，4 ，5，6

1, 2, 3, 4, 5, 6

1

规格编号

3-172

511062-883

HA-5222/883

模具特点

DIE尺寸：

78 X 185 X 19密耳

±

1密尔

1980 X 4690 X 483μm

±

25.4m

金属化：

牌号的Al ， 1 ％的Cu

厚度： 16K

±

2k

玻璃钝化：

类型：氮化物（氮化硅）在二氧化硅层（ SIO2 5 ％磷酸）。

二氧化硅层厚度： 12K

±

2k

氮化物厚度： 3.5K

±

1.5k

最坏情况下的电流密度：

4.2 x 10

4

A /厘米

2

衬底电位（电）：

V-

晶体管数量：

128

过程：

双极电介质隔离

金属掩模布局

HA-5222/883

OUT1

V+

-IN1

+IN1

V-

OUT2

-IN2

+IN2

规格编号

3-173

511062-883