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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第230页 > HLMP-0401-D0002
2.5毫米X 7.6毫米矩形
LED灯
技术参数
HLMP-R100
HLMP-0301
HLMP-0401
HLMP-0504
特点
矩形发光
表面
平高Sterance发光
表面
可堆叠的2.54毫米（ 0.100
英寸）中心
理想的嵌入式安装
面板指示灯
适用于背光
传奇
超长寿命：固态
可靠性
4个明亮的色彩选择
DH作为的AlGaAs红色
高英法fi效率红色
黄
高性能绿色
IC兼容/低电流
需求
该HLMP -R100使用双
异质结（ DH ）吸收
基片（AS）的铝镓
砷化物（ AlGaAs构成）红色LED芯片
在浅红色环氧树脂封装。这
结合产生
优秀的光输出在一
宽范围的驱动电流。
该HLMP- 0301具有高
上的GaP LED效率的GaAsP红色
芯片中的光的红色环氧树脂封装。
该HLMP - 0401提供了一个
上的GaP LED芯片黄色的GaAsP
黄色环氧树脂包。
该HLMP - 0504提供了一个绿色的
的GaP LED芯片在绿色环氧
封装。
包装尺寸
描述
该HLMP -R100 ， -0301 ， -0401 ，
-0504是固态灯
封装在一个径向引线
矩形环氧树脂封装。他们
利用有色，扩散到环氧树脂
提供高开关对比度和
平高亮度发光
表面。无边框包
设计允许创建
不间断的光发射区。
2
选购指南
发光强度
IV（ MCD ） @ 20毫安
分钟。
典型值。
2.1
–
5.4
2.1
1.3
2.1
1.3
3.6
1.4
3.6
2.2
3.6
2.6
1.6
4.2
2.6
2.6
17.2
–
–
6.8
4.2
–
–
–
7.2
11.4
–
–
13.4
8.4
–
颜色
DH的AlGaAs红色
红
产品型号
HLMP-R100
HLMP-R100-FG0xx
HLMP-0301
HLMP-0301-C00xx
HLMP-0301-DECxx
HLMP-0301-CD0xx
HLMP-0401
HLMP-0401-B00xx
HLMP-0401-D00xx
HLMP-0401-CD0xx
HLMP-0401-DEBxx
黄
绿色
HLMP-0504
HLMP-0504-B00xx
HLMP-0504-DECxx
HLMP-0504-CD0xx
HLMP-0504-C00xx
部分编号系统
HLMP - X X XX - X X X XX
机械选项
00 ：散装
01 ：磁带&卷轴，轧花信息
02 ：磁带&卷直脚
DD ：弹药盒，直导线
颜色选项斌
0 ：全彩滨分配
唯彩箱2 & 3 ： B
C：彩箱3 & 4只
最大㈣斌选项
0 ：开（NO最大限制）
其它：请参考㈣斌表
最低㈣斌选项
请参阅㈣斌表
颜色选项
1. AS的AlGaAs红色
3.高效率红色
4.黄
5.绿色
封装选项
的R， 0 ：矩形2.5毫米X 7.6毫米
3
在T绝对最大额定值
A
= 25
°
C
参数
最大正向电流
平均正向电流
[1]
直流电流
[2]
功耗
反向电压（I
R
= 100
A)
瞬时正向电流
[3]
(10
s
脉冲）
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（自体1.6毫米[ 0.063英寸] ）
HLMP-
R100
300
20
30
87
5
500
-20
+100
-55
+100
260 ℃下持续5秒
HLMP-
0301
90
25
30
135
5
500
-55
+100
HLMP-
0401
60
20
20
85
5
500
-55
+100
HLMP-
0504
90
25
30
135
5
500
-20
+100
-55
+100
单位
mA
mA
mA
mW
V
mA
°C
注意事项：
1.参见图5建立脉冲工作条件。
2.对的AlGaAs红色，红色，绿色系列从50℃线性降额0.5毫安/ ℃。黄色系列从50 °C减免线性的
0.2毫安/ ℃。
3.瞬时峰值电流是可以施加到器件的最高的非经常性峰值电流，而不会损坏发光二极管
模具和引线键合。我们不建议该设备在超越中列出的峰值正向电流峰值电流下工作
绝对最大额定值。
4
在T电气/光学特性
A
= 25
°
C
HLMP-R100
符号。
2θ
1/2
描述
夹角
半之间
发光的
强度
要点
PEAK
波长
优势
波长
谱线
半宽度
速度
响应
电容
热
阻力
前锋
电压
反向
击穿
电压
发光的
ê FFI cacy
5.0
HLMP-0301
HLMP-0401
HLMP-0504
TEST
条件
分钟。典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。单位
100
100
100
100
度。
注1所示。 6
λ
P
λ
d
λ
1/2
τ
s
C
Rθ
J- PIN
V
F
V
R
645
637
20
30
30
260
1.8
2.2
5.0
635
626
40
90
16
260
1.9
2.6
5.0
583
585
36
90
18
260
2.1
2.6
5.0
565
569
28
500
18
260
2.2
3.0
nm
nm
nm
ns
pF
° C / W
V
V
测量
在山顶
注2
V
F
= 0;
F = 1 MHz的
结到
阴极引线
I
F
= 20毫安
图2中。
I
R
= 100
A
η
v
80
145
500
595
流明/瓦
注3
注意事项：
1.
θ
1/2
是离轴角处的发光强度为一半的轴向发光强度。
2.主波长
λ
d
中，从CIE色度图，代表单一波长限定了
彩色设备。
3.辐射强度，我
e
在瓦特/球面度，可以发现由式我
e
= I
v
/η
v
，在那里我
v
是在坎德拉的发光强度和
η
v
是在流明/瓦的发光效率。
图1.相对强度与波长。
5
图2.正向电流与
正向电压。 V
F
（300 mA）的供
的AlGaAs红色= 2.6伏特的典型。
图3.相对发光强度
与正向电流。
图4.相对效率
（每单位电流发光强度）
与峰值电流。
η
v
（300 mA）的供
的AlGaAs红色= 0.7 。
图5.最大峰值耐受电流和峰值持续时间（我
PEAK
最大
从温度降容我确定
DC
最大值）。
图6.相对发光强度与角位移。
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