HAT2218R
硅N沟道功率MOS FET与肖特基二极管
高速电源开关
REJ03G0396-0300
Rev.3.00
Aug.23.2004
特点
低导通电阻
能够4.5 V门极驱动
高密度安装
内置肖特基二极管
概要
SOP-8
7 8
D1 D1
5 6
S1 / S1 D2 / D2
8
2
G1
4
G2
5
7 6
3
1 2
4
S1/D2(kelvin)
1
S2
3
MOS1
MOS2和
肖特基二极管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
评级
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
反向漏电流
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
MOS1
30
±20
7.5
60
7.5
MOS2 & SBD
30
±12
8.0
64
8.0
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
散热通道
PCH
Note2
1.5
1.5
通道温度
总胆固醇
150
150
储存温度
TSTG
-55到+150
-55到+150
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2. 1驾驶操作;当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW
≤
10 s
Rev.3.00 ， Aug.23.2004 ，页9 1
HAT2218R
电气特性
MOS1
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
—
—
1.0
—
—
9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
19
27
15
630
155
57
4.6
2.2
1.2
7
14
36
3.4
0.85
17
最大
—
±0.1
1
2.5
24
40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.11
—
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 3.75 ，V
GS
= 10 V
Note3
I
D
= 3.75 ，V
GS
= 4.5 V
Note3
I
D
= 3.75 ，V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 7.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.75 A
V
DD
≈
10 V
R
L
= 2.66
R
g
= 4.7
IF = 7.5 A，V
GS
= 0
Note3
IF = 7.5 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
MOS2 &肖特基二极管
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
肖特基势垒二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
F
t
rr
民
30
—
—
1.4
—
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
17
21
25
1330
230
92
11
3.8
3.2
10
16
43
3.9
0.5
15
最大
—
±0.1
1
2.5
22
29
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
A
mA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= ±12 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V
Note3
I
D
= 4 A，V
GS
= 4.5 V
Note3
I
D
= 4 A，V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 4 A
V
DD
≈
10 V
R
L
= 2.5
R
g
= 4.7
IF = 3.5 A，V
GS
= 0
Note3
IF = 8 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
Rev.3.00 ， Aug.23.2004 ， 9 2页
HAT2218R
主要特点
MOS1
功率与温度降额
4.0
P沟（W）的
1000
测试条件：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米） ， PW < 10秒
最高安全工作区
I
D
(A)
3.0
100
10
DC
Op
ERA
1 m
100
s
s
10
s
PW
散热通道
漏电流
2.0
=1
0m
1.0
ho
t)
n(
PW
操作
≤
1
记
这个区域是
0s
4
)
0.1
限于由R
DS （ ON）
1
s(
TIO
1s
TA = 25°C
0.01
1次脉冲
0
50
100
150
的Ta （℃）
200
0.1
1
10
100
环境温度
漏极至源极电压V
DS
(V)
注4 ：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
典型的输出特性
20
4.5 V
10 V
I
D
(A)
典型的传输特性
20
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
漏电流
3.6 V
漏电流
10
3.2 V
10
V
GS
= 2.8 V
脉冲测试
0
5
漏极至源极电压V
DS
10
(V)
0
TC = 75℃
25°C
25°C
2
4
6
栅极至源极电压
8
V
GS
10
(V)
漏极至源极电压V
DS （ ON）
（毫伏）
200
脉冲测试
150
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
V
GS
= 4.5 V
10 V
10
100
I
D
= 5 A
50
2A
1A
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
1
0.1
脉冲测试
1
漏电流
10
I
D
(A)
100
Rev.3.00 ， Aug.23.2004 ， 9 3页
HAT2218R
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
50
5A
脉冲测试
I
D
= 1 A, 2 A
40
V
GS
= 4.5 V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
正向转移导纳| YFS | （ S）
100
50
20
10
5
TC = -25°C
30
25°C
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1 0.2 0.5 1
2
V
DS
= 10 V
脉冲测试
5 10 20
I
D
(A)
50 100
75°C
20
10 V
10
0
-25
1 A, 2 A, 5 A
0
25 50 75 100 125 150
壳温度（ ° C）
漏电流
反向恢复时间trr （ NS ）
100
50
体漏二极管的反向
恢复时间
10000
5000
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
电容C （PF ）
2000
1000
500
200
100
50
20
10
20
10
5
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
反向漏电流I
DR
(A)
动态输入特性
西塞
科斯
CRSS
2
1
0.1
0
5
10
15
20
25
30
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关特性
V
DS
(V)
50
(V)
I
D
= 7.5 A
V
DD
= 25 V
10 V
5V
V
GS
V
DS
20
100
50
开关时间t（ NS ）
TD （关闭）
tr
漏源极电压
V
GS
40
16
30
12
栅极至源极电压
20
10
TD （上）
5
tf
2 V
GS
= 10 V, V
DD
= 10 V
RG = 4.7
,
税
≤
1 %
1
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10 20
漏电流I
D
(A)
20
8
10
V
DD
= 25 V
10 V
5V
4
8
12
16
栅极电荷
QG （ NC ）
4
0
20
0
50 100
Rev.3.00 ， Aug.23.2004 ， 9 4页
HAT2218R
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
反向漏电流I
DR
(A)
10 V
5V
10
V
GS
= 0V, –5 V
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
θch
- F（T） =
γs
（T ）×
θch
- f
θch
- F = 125°C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
0.01
1s
0.001
10
ho
LSE
pu
t
PDM
PW
T
D=
PW
T
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
Rev.3.00 ， Aug.23.2004 ， 9 5页
QQ：2880707522 复制
