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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第812页 > HIRF830
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: MOS200407
发行日期: 2004年10月1日
修订日期: 2005年4月22日
页页次: 1/4
HIRF830 / HIRF830F
N沟道功率MOSFET
HIRF830系列引脚分配
TAB
3引脚塑封
TO-220AB
封装代码:电子
引脚1 :门
2脚&标签:排水
引脚3 :源
描述
这N - 沟道MOSFET为设计人员提供最好的
快速切换的组合,坚固耐用的设备设计,低导通
性和成本效益。
2
3
1
特点
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
1
3引脚塑封
TO-220FP
封装代码:F
引脚1 :门
引脚2 :排水
引脚3 :源
3
2
热特性
符号
JC
JA
参数
热阻
结到外壳最大。
热阻
结到环境最大。
价值
TO-220AB
TO-220FP
62
1.71
3.3
单位
° C / W
° C / W
HIRF830系列符号
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
漏源电压
漏电流(连续)
漏电流(脉冲) ( * 1 )
栅极 - 源极电压(继续)
总功耗
TO-220AB
TO-220FP
减免上述25℃
TO-220AB
TO-220FP
单脉冲雪崩能量( * 2 )
雪崩电流( * 1 )
重复性雪崩能量( * 1 )
峰值二极管恢复( * 3 )
工作温度范围
存储温度范围
从最大的铅焊接温度的目的, 1/8“
情况下,10秒
参数
价值
500
4.5
18
±20
74
38
0.59
0.3
250
9
7.4
5
-55到150
-55到150
300
单位
V
A
A
V
W
P
D
W / ℃,
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
°C
°C
E
AS
I
AR
E
AR
d
v
/d
t
T
j
T
英镑
T
L
* 1 :重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温
*2: V
DD
= 50V ,起始物为
j
= 25℃时,L = 24mH ,R
G
=25, I
AS
=4.5A
*3: I
SD
≤4.5A,
DI / dt≤75A / US ,V
DD
≤V
( BR ) DSS
, T
J
≤150°C
HIRF830 , HIRF830F
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
电气特性
(T
j
= 25 ℃,除非另有规定)
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
特征
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
=250uA)
漏极 - 源极漏电流(V
DS
=500V, V
GS
=0V)
漏极 - 源极漏电流(V
DS
=400V, V
GS
= 0V ,T
j
=125°C)
门源漏电流,正向(V
GSF
=20V, V
DS
=0V)
门源漏电流,反向(V
GSR
=-20V, V
DS
=0V)
栅极阈值电压(V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA)
静态漏源导通电阻(V
GS
= 10V ,我
D
=2.7A)(*4)
正向跨导(V
DS
= 50V ,我
D
=2.7A)(*4)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 400V ,我
D
= 3.1A ,V
GS
=10V)
(*4)
(V
DD
= 250V ,我
D
= 4.5A ,R
G
=50,
R
D
=79)(*4)
V
DS
=25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
-
-
2
-
规格。编号: MOS200407
发行日期: 2004年10月1日
修订日期: 2005年4月22日
页页次: 2/4
分钟。
500
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
800
100
50
8.2
46
90
45
-
-
-
4.5
7.5
马克斯。
-
1
50
100
-100
4
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
38
5
22
-
-
单位
V
uA
uA
nA
nA
V
S
pF
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
nC
内部排水电感(从漏测铅0.25 “,从
包到模具的中心)
内部源极电感(从漏测铅0.25 “,从
包源焊盘)
nH
nH
* 4 :脉冲测试:脉冲Width≤300us ,职务Cycle≤2 %
源极 - 漏极二极管
符号
Q
rr
t
on
t
rr
V
SD
反向恢复电荷
向前开启时间
反向恢复时间
二极管的正向电压
I
S
= 4.5A ,V
GS
= 0V ,T
j
=25°C (*4)
I
F
= 3.1A ,D
i
/d
t
= 100A / us的,T
j
=25°C
(*4)
特征
分钟。
-
-
-
-
典型值。
1
**
320
-
MAX 。单位
2
-
640
1.6
ns
V
uC
** :可忽略的,占主导地位的电路中电感
HIRF830 , HIRF830F
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
TO- 220AB尺寸
标记:
A
D
B
E
C
F
无铅标志
无铅: "
.
& QUOT ;
(注)
普通:无
H
规格。编号: MOS200407
发行日期: 2004年10月1日
修订日期: 2005年4月22日
页页次: 3/4
我的RF
830
日期代码
控制代码
H
I
G
TAB
P
L
J
M
3
2
1
O
N
K
注:绿色标签用于无铅封装
插针形式: 1.Gate 2 & Tab.Drain 3.Source
材质:
铅焊料镀层:近共晶Sn60 / Pb40软(普通)
SN / 3.0Ag / 0.5Cu的或纯锡(无铅)
模具化合物:环氧树脂系列,
易燃固体燃烧等级: UL94V- 0
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
分钟。
5.58
8.38
4.40
1.15
0.35
2.03
9.66
-
-
3.00
0.75
2.54
1.14
-
12.70
14.48
马克斯。
7.49
8.90
4.70
1.39
0.60
2.92
10.28
*16.25
*3.83
4.00
0.95
3.42
1.40
*2.54
14.27
15.87
* :典型,单位:mm
3引脚TO- 220AB
塑料包装
HSMC包装代码:电子
TO- 220FP尺寸
标记:
A
α
1
D
α
4
ê
C
无铅标志
无铅: "
.
& QUOT ;
(注)
普通:无
H
我的RF
830F
日期代码
控制代码
α
2
α
3
α
5
I
N
3
G
J
注:绿色标签用于无铅封装
插针形式: 1.Gate 2.Drain 3.Source
材质:
铅焊料镀层:近共晶Sn60 / Pb40软(普通)
SN / 3.0Ag / 0.5Cu的或纯锡(无铅)
模具化合物:环氧树脂系列,
易燃固体燃烧等级: UL94V- 0
F
2
K
1
M
L
暗淡
分钟。
A
6.48
C
4.40
D
2.34
E
0.45
F
9.80
G
3.10
I
2.70
J
0.60
K
2.34
L
12.48
M
15.67
N
0.90
O
2.00
-
α1/2/4/5
-
α3
马克斯。
7.40
4.90
3.00
0.80
10.36
3.60
3.43
1.00
2.74
13.60
16.20
1.47
2.96
*5
o
*27
o
* :典型,单位:mm
3引脚TO- 220FP
塑料包装
HSMC包装代码:F
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不HSMC的事先书面批准。
HSMC保留随时修改其产品,恕不另行通知。
HSMC半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
HSMC自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
总公司
(高诚微电子公司) : 10F ,没有。 61 ,秒。 2 ,中山北路。台北台湾中华民国
联系电话: 886-2-25212056传真: 886-2-25632712 , 25368454
工厂1 :
38号,光复南路,福寇新竹工业园区新竹台。 R.O.C
电话: 886-3-5983621 5传真: 886-3-5982931
HIRF830 , HIRF830F
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
焊接方法HSMC的产品
1.存储环境:温度= 10
o
C~35
o
C湿度为65 % ± 15 %
表面贴装器件2.回流焊
图1 :温度曲线
t
P
T
P
斜升
T
L
Ts
最大
温度
t
L
规格。编号: MOS200407
发行日期: 2004年10月1日
修订日期: 2005年4月22日
页页次: 4/4
关键区域
T
L
给T
P
Ts
t
S
预热
减速
25
t 25
o
C到峰值
时间
廓特征
平均升温速率(T
L
给T
P
)
预热
- 最低温度( TS
)
- 温度最高( TS
最大
)
- 时间(min到最大) (TS)的
在Tsmax至T
L
- 升温速率
时间保持高于:
- 温度(T
L
)
- 时间(t
L
)
峰值温度(T
P
)
在5个时间
o
实际的峰值了C
温度(T
P
)
下降斜率
25时
o
C到峰值温度
3.流(波)焊接(焊接浸渍)
制品
铅设备。
无铅器件。
的Sn -Pb共晶组件
<3
o
C /秒
100
o
C
150
o
C
60 120秒
<3
o
C /秒
183
o
C
60-150秒
240
o
C +0/-5
o
C
10 30秒
<6
o
C /秒
<6分钟
无铅封装
<3
o
C /秒
150
o
C
200
o
C
60 180秒
<3
o
C /秒
217
o
C
60-150秒
260
o
C +0/-5
o
C
20 40秒
<6
o
C /秒
<8分钟
峰值温度
245
o
C
±5
o
C
260
o
C +0/-5
o
C
浸渍时间
5sec
±1sec
5sec
±1sec
HIRF830 , HIRF830F
HSMC产品规格
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HIRF830
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
HIRF830
VBSEMI
2443+
23000
TO-220
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
HIRF830
VB
25+23+
35500
TO-220
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
HIRF830
H
21+
15360
TO-220
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-15913992480
联系人:林
地址:深圳市福田区东方时代A2705
HIRF830
华晰
23+
3320
TO-220
火爆销售.全新原装.深圳市场最低价!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
HIRF830
华晰
21+
5010
TO-220
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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