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HCS573MS
1995年9月
抗辐射
八路透明锁存器,三态
引脚配置
20引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T20 ,铅涂层
顶视图
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 VCC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 LE
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效的让任何冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/比特
日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率爆冷>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 公交驱动器输出 - 15输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = 0.3 VCC最大
- VIH = 0.7 VCC敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
GND 10
描述
Intersil的HCS573MS是一种抗辐射的八进制包括透明
耳鼻喉科三态锁存器与低电平有效输出使能。该
HCS573MS采用先进的CMOS / SOS技术。该
输出是透明的输入时,锁存使能( LE)的
为HIGH 。当锁存使能( LE )变为低电平时,数据是
锁存。输出使能( OE )控制的三态输出。
当输出使能(OE)为高电平时,输出在
高阻抗状态。闩锁操作是独立的
输出的状态下启用。
该HCS573MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS573MS是在一个20引脚的陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
GND
20引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 -F20 ,铅涂层
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
LE
订购信息
产品型号
HCS573DMSR
HCS573KMSR
HCS573D/Sample
HCS573K/Sample
HCS573HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
324
518771
网络文件编号
4056
HCS573MS
工作原理图
P
OE
LE
A
LE
LE
N
P
Qn
OE
P
P
N
LE
Dn
Qn
OE
N
LE
LE
P
N
OE
A
N
N
P
LE
真值表
OUTPUT ENABLE
L
L
L
L
H
H =高电平
L =低电平
X =非物质
Z =高阻抗
我=低电压等级前高到低锁存使能转变
H =高电压电平前的高到低的锁存使能转变
LATCH ENABLE
H
H
L
L
X
数据
H
L
I
h
X
产量
H
L
L
H
Z
规格编号
325
518771
特定网络阳离子HCS573MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
72
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 107
o
C / W 28
o
C / W
在125的最大封装功耗
o
C环境
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.69W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.47W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.9mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.3mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间VCC = 4.5V ( TR , TF ) 。 。 。 。 .500ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 % VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
7.2
6.0
-7.2
-6.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
±1.0
±50
-
A
A
A
A
-
输出漏
当前
IOZ
VCC = 5.5V , VIN = 0V或
VCC
1
2, 3
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V ,
VIH = 0.70( VCC)的
VIL = 0.30 ( VCC ) (注2 )
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
326
518771
特定网络阳离子HCS573MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
LE至Qn
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
使能到输出
tPZL
VCC = 4.5V
9
10, 11
tpZH
VCC = 4.5V
9
10, 11
禁用输出
tPLZ
VCC = 4.5V
9
10, 11
tPHZ
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
24
29
27
35
31
40
27
33
24
29
25
29
21
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
数据至Qn
符号
TPLH
的TPH1
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
输入电容
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
建立时间的数据,以
LE
数据保持时间为
LE
脉冲宽度LE
TTHL
tTLH
TSU
VCC = 4.5V
1
1
VCC = 4.5V
1
1
TH
VCC = 4.5V
1
1
TW
VCC = 4.5V
1
1
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
10
15
8
12
16
24
最大
30
60
10
10
12
18
-
-
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
规格编号
327
518771
特定网络阳离子HCS573MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V或5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOL = 50μA
VCC = 4.5V或5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
施加的电压= 0V或VCC , VCC = 5.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
6.0
最大
0.75
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-6.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
-
V
输入漏电流
三态输出
漏电流
噪声抗扰度
功能测试
数据至Qn
IIN
IOZ
+25
o
C
+25
o
C
±5
±50
A
A
FN
VCC = 4.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) (注3)
VCC = 4.5V
+25
o
C
-
-
-
的TPH1
TPLH
TPLH
的TPH1
+25
o
C
2
29
ns
LEN至Qn
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
2
2
2
2
2
2
35
40
33
29
29
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
使能到输出
tPZL
tpZH
禁用输出
tPLZ
tPHZ
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
IOZL / IOZH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
±200nA
规格编号
328
518771
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCS573MS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HCS573MS
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