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No
nt
CT
杜CEME
O
解放军公关
TE 回复
勒·E
SO结束
OB毫米
o
REC
HIP5062
1998年8月
网络文件编号
3208.2
电源控制IC单芯片双通道开关 -
ING电源
该HIP5062是一个完整的电源控制IC ,结合
两个高功率DMOS晶体管, CMOS逻辑电路和两个低
在相同的智能功率电平模拟控制电路
IC 。两个标准的“升压”和“ SEPIC ” (单
端初级电感转换器)电源
拓扑结构很容易与这种单一的控制IC来实现。
特殊的功率晶体管的电流检测电路是
掺入,由于监测最小化损失
电路。此外,过热和过电压
检测电路被并入在集成电路内以监视
芯片温度与实际的电源输出
电压。这些电路可以禁用驱动电源
晶体管来保护的晶体管,并且最
重要的是,来自过电压的负载。
作为功率DMOS晶体管的电流的结果,并
电压能力( 5A和60V ) ,多输出电源
电源总输出功率可达100W的
可能。
特点
两个电流模式控制稳压器
两个60V , 5A片DMOS晶体管
热保护
过电压保护
过电流保护
1MHz的操作或外部时钟
同步输出
片内基准电压 - 5.1V
输出上升和下降时间为3ns
专为26V至42V工作
应用
单芯片电源
电流模式PWM应用
分布式电源
多路输出转换器
订购信息
产品型号
HIP5062DY
HIP5062DW
温度
范围
0
o
C至+ 85
o
C
0
o
C至+ 85
o
C
40片垫
晶圆
芯片
(2) D2
(3) D2
(5) D2
(6) D2
(1) S2
(4) S2
(7) S2
(8) V
DDP2
(9) VCMP2
( 10 ) PSOK
(11) VREG2
(12) FLTN
( 13 ) PSEN
( 14 ) SHRT
( 15 ) SLRN
( 16 ) SFST
(17) V
DDD
(18) V
DDA
(19) VREG1
(20) V
DDP1
S1 (21)
V+ (40)
TMON (39)
IRFI2 (38)
IRFO2 (37)
VINP (36)
AGND (35)
DGND (34)
XCKS (33)
CKIN (32)
IRFI1 (31)
IRFO1 (30)
VCMP1 ( 29 )
VTCN ( 28 )
S1 (27)
D1 (26)
D1 (25)
S1 (24)
D1 (23)
175密耳X 175密耳( 4.44毫米X 4.44毫米)
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
D1 (22)
HIP5062
简化的框图
V
IN
4H
5H
0.66F
11H
0.1F
0.1F
V
DDD
4.7
H
4.0
H
1.0F
4H
12V
15
F
0.88
F
0.1
F
D2
V
DDP2
V+
国内
动力
供应
和REF
电压
V
DDP1
D1
V
DDP1
S1
0.1
F
1.0
F
33
F
5.1V
DRIVERS
S2
511
681
DGND
VREG2
IRFO2
IRFI2
VCMP2
器q
逻辑
DRIVERS
时钟
Q控制
逻辑
VREG1
IRFO1
IRFI1
VCMP1
VTCN
VINP
TMON
AGND
PSOK
XCKS
PSEN
SLRN
典型SEPIC配置
2
SHRT
V
DDD
V
DDA
FLTN
SFST
CKIN
HIP5062
绝对最大额定值
直流电源电压,V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至42V
DMOS漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至60V
DMOS漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10A
直流逻辑电源。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至16V
输出电压,逻辑输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至16V
输入电压,模拟与逻辑。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至16V
工作结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0
o
C至+110
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
热信息
热阻
θ
JC
(焊接安装到。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
o
C / W最大
0.050 “厚铜散热器)
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +110
o
C
(受控热关断电路)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气规格
V + = 36V,通道1和2 ,T
J
= 0
o
C至+110
o
℃;除非另有规定编
符号
设备参数
I+
V
DDA
电源电流
内部稳压器输出
电压
V + = 42V , PSEN = 12V
V + = 30V至42V ,我
OUT
= 0毫安
V + = 30V至42V ,我
OUT
= 30毫安
SLRN = 12V,我
OUT
= 0毫安
VINP
R
VINP
参考电压
VINP电阻
VDDA = SLRN = 12V ,我
VINP
= 0毫安
VINP = 0
-
11.7
11.5
11.5
5.01
-
24.7
-
-
-
5.1
900
30
13.3
13.3
13.3
5.19
-
mA
V
V
V
V
参数
测试条件
典型值
最大
单位
误差放大器
| V
IO
|
R
IN
VREG
g
m
( VREG )
g
m
(马时亨)
I
VCMP
输入失调电压
( REG - VINP )
输入电阻到GND
VREG跨导
(I
VCMP
/ ( VREG - VINP )
马时亨跨导
I
VCMP
/ ( VREG - SFST )
最大电源电流
最大流入电流
OVTH
时钟
fq
V
TH
CKIN
内部时钟频率
外部时钟输入阈值
电压
XCKS = 12V ,V
DDD
= 12V
0.9
33
1.0
-
1.1
66
兆赫
%V
DDD
过压阈值
I
VCMP
= 0毫安
VREG = 5.1V
VCMP = 1V至8V ,马时亨= 11V
V
SFST
< 4.9V
VREG = 4.95V , VCMP = 8V
VREG = 5.25V , VCMP = 0.4V
电压VREG为FLTN是
LATCHED
-
39
15
0.8
-2.5
0.75
6.05
-
-
30
-
-
-
-
10
85
50
6
-0.75
2.5
6.5
mV
k
mS
mS
mA
mA
V
DMOS晶体管
r
DS ( ON)
I
DSS
漏极 - 源极导通状态
阻力
漏极 - 源极漏电流
我沥干= 2.5A ,V
DDD
= 11V,
T
J
= +25
o
C
漏源极电压= 60V
-
-
-
1
0.22
100
A
当前PLC控制的PWM
|V
IO
| VCMP
缓冲区偏移电压( VCOMP -
V
IFRO
)
IFRO = 0mA至-5mA ,
VTCN = 0.2V至7.6V ,
VCMP2 = 0.2V至7.6V
-
-
125
mV
3
HIP5062
电气规格
V + = 36V,通道1和2 ,T
J
= 0
o
C至+110
o
℃;除非另有规定编
(续)
符号
V
TH
IFRO
参数
电压IRFO禁用
PWM 。这是由于低负荷
当前
电压IRFO使SHRT
输出电流。这是由于
稳压器过电流有条件
系统蒸发散
SHRT输出电流,在
过电流
阈值电压的SHRT到
设置FLTN锁存
I
PEAK
( DMOS
)/I
IRFI
IRFI电阻到GND
电流比较器的响应
时间(注1 )
最小可控脉冲
宽度(注1 )
最小可控DMOS
峰值电流(注1 )
V
IRFO
= 7.7V
V
DDD
= 11V
I
( DMOS
) / ΔT= 1A / MS
I
IRFI
= 2毫安
I
( DMOS
) /ΔT > 1A / μs的
测试条件
116
典型值
-
最大
250
单位
mV
I
TH
IFRO
6.85
-
7.65
V
I
SHRT
V
TH
SHRT
I
收益
R
IRFI
t
RS
MCPW
MCPI
启动
V+
-75
-
2.0
150
-
25
125
-
5
-
-
30
50
250
-33
-
3.2
360
-
100
500
A
V
A /毫安
ns
ns
mA
瑞星V +上电复位
电压
落V +关机设置
电压
V +上电滞后
23
-
9.5
V
DDD
= 11V
3.6
-
V
SFST
= 0V至11V
马时亨= 11V , PSOK = 12V
马时亨= 0V ,我
PSOK
= 1毫安
V
DDD
= 11V
-1.5
-1
-
8.1
-
15
-
-
12
-1.0
-
-
-
26.3
-
11.8
6.5
-
-0.65
1
0.4
9.9
V
V
V
V
K
A
A
V
V
V
TH
PSEN
r
PSEN
I
SFST
I
PSOK
V
PSOK
V
TH
SFST
电压PSEN启用
供应
内部上拉电阻,以
V
DDD
软启动充电电流
PSOK高态泄漏
当前
PSOK低通态电压
PSOK阈值,瑞星V
SFST
温度监控
温度
注意:
1.测定设计,而不是测量的参数。
衬底温度
温度监控器跳闸(注1 )
TMON = 0V
105
-
135
o
C
4
HIP5062
引脚说明
盘数
1, 4, 7
2, 3, 5, 6
8
称号
S2
D2
V
DDP2
描述
源焊盘用于信道2调节器。
漏极焊盘用于信道2调节器。
这种垫是在电源输入为信道2的DMOS栅极驱动器并且还用于解耦
高电流脉冲提供给输出驱动器晶体管。去耦电容应至少
一个0.1μF的贴片电容放置在靠近该垫和DMOS来源垫。
输出所述第二通道的跨导放大器。该节点是用于增益和
环路的频率补偿。
该焊盘提供时启用两个电源延时积极的迹象。
输入到误差放大器。其他常见的输入两个放大器是
VINP ,垫36 。
这是一个开漏输出保持低电平时, V +是太低,无法正常操作。这个节点
和PSEN在多个变频器的配置非常有用。此片将被锁定为低电平时,过
温,过压或过电流体验。 V +必须关机复位。
该端子被提供给激活的转换器。当输入为低电平时, DMOS驱动程序
禁用。有这个终端上的内部12K的上拉电阻。
50μA内部施加到这个节点时,有一个过电流情况。
控制输入到内部稳压器,在“启动”供给的使用。在正常操作
ATION该终端开始在0V和关闭内部稳压器约9V 。这
垫通常是连接到SFST ,垫16 。
同时控制输出电压的上升速率。时间是由一个内部1μA电流确定
源和一个外部电容。
电压输入芯片的数字电路。这种垫也让该电源的去耦。
这是模拟电源和内部12V稳压器的输出通常仅用于在启动
序列。内部调节器减小到标称9.2V时SLRN返回到12V 。输出
把电流能力为30mA ,在这两种电压。
输入通道1误差放大器。另一方面,通用输入两个扩增
fiers是VINP ,垫36 。
这种垫是在电源输入为信道1的DMOS栅极驱动器并且还用于解耦
高电流脉冲提供给输出驱动器晶体管。去耦电容应至少
一个0.1μF的贴片电容放置在靠近该垫和DMOS来源垫。
漏极焊盘用于信道1调节器。
源焊盘用于信道1调节器。
输入跨导的唯一通道1的缓冲放大器。通常连接到VCMP1 ,
垫29 。
输出所述第一信道的跨导放大器。该节点是用于增益和频
循环的昆西补偿。
一种电阻器,放置在该垫和IRFI1之间的VCMP1信号转换为电流的电流
租感觉比较。的最大电流被电阻器的值设定,根据
公式:我
PEAK
= 16 / R 。其中,R是在KΩ的外部电阻器的值和必须大于
超过1.5KΩ但小于10KΩ 。例如,如果所选择的电阻是1.8K ,峰值电流将
是8.8A 。这是假定VCMP1是7.3V 。最大输出电流应保持低于10A 。
见IRFO1 。
9
VCMP2
10
11
PSOK
VREG2
12
FLTN
13
PSEN
14
15
SHRT
SLRN
16
SFST
17
18
V
DDD
V
DDA
19
VREG1
20
V
DDP1
22, 23, 25, 26
21, 24, 27
28
D1
S1
VTCN
29
VCMP1
30
IRFO1
31
IRFI1
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HIP5062
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HIP5062
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