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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第734页 > HGTP1N120BN
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN
数据表
2000年1月
网络文件编号
4649.2
5.3A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
该HGTD1N120BNS和HGTP1N120BN是
非穿
通过
（ NPT ） IGBT的设计。他们的新成员
MOS门控高压开关IGBT系列。 IGBT的
结合了MOSFET和双极性的最佳功能
晶体管。本装置具有一个高输入阻抗
MOSFET和双极性的低导通状态的导通损耗
晶体管。
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49316 。
特点
5.3A ， 1200V ，T
C
= 25
o
C
1200V开关SOA能力
典型ê
关闭
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120μJ在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
额定雪崩
温度补偿
SABER 模型
热阻抗
SPICE模型
www.intersil.com
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
HGTD1N120BNS
HGTP1N120BN
包
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
1N120B
1N120BN
包装
JEDEC TO- 220AB
E
C
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 252AA卷带式，即HGTD1N120BNS9A
集热器
（法兰）
符号
C
G
JEDEC TO- 252AA
集热器
（法兰）
E
G
E
Intersil公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
SABER 是类比公司的商标。
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
所有类型
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
正向电压雪崩能量（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AV
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
短路耐受时间（注3） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
短路耐受时间（注3） V
GE
= 13V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
1200
5.3
2.7
6
±20
±30
在6A 1200V
60
0.476
10
-55到150
300
260
8
13
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
s
s
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.单脉冲; VGE = 15V ;脉冲宽度有限的最高结温。
2. I
CE
= 7A ，L = 400μH ，V
GE
= 15V ，T
J
= 25
o
C.
3. V
CE （ PK ）
= 840V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 82.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 150
o
C
民
1200
15
-
-
-
-
-
6.0
-
6
-
-
-
典型值
-
-
-
20
-
2.5
3.8
7.1
-
-
9.2
14
15
最大
-
-
250
-
1.0
2.9
4.3
-
±250
-
-
20
21
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 1.0A
V
GE
= 15V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= 50μA ，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 82, V
GE
= 15V,
L = 2MH ，V
CE （ PK ）
= 1200V
I
C
= 1.0A ，V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= 1.0A
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
2
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注5 ）
开启能量（注5 ）
关断能量（注4 ）
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注5 ）
开启能量（注5 ）
关断能量（注4 ）
热阻结到外壳
注意事项：
4.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
5.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
is
的导通损耗，当一个典型的二极管被用在测试电路和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型被指定在图18中。
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
R
θJC
IGBT和二极管在T
J
= 150
o
C
I
CE
= 1.0 A
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 82
L = 4mH
测试电路（图18 ）
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= 1.0A
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 82
L = 4mH
测试电路（图18 ）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
15
11
67
226
70
172
90
13
11
75
258
145
385
120
-
最大
20
14
76
300
-
187
123
17
15
88
370
-
440
175
2.1
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
o
C / W
典型性能曲线
6
I
CE
， DC集电极电流（ A）
（除非另有规定编）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
7
6
5
4
3
2
1
0
V
GE
= 15V
5
4
3
2
1
0
T
J
= 150
o
C，R
G
= 82, V
GE
= 15V ，L = 2MH
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
T
C
，外壳温度（
o
C)
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图1. DC集电极电流与案例
温度
图2.最小开关安全工作区
3
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN
典型性能曲线
300
f
最大
，工作频率（千赫）
200
100
（除非另有规定编）
（续）
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
T
J
= 150
o
C，R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
T
C
= 75
o
C， VGE = 15V
理想二极管
T
C
75
o
C
75
o
C
110
o
C
110
o
C
V
GE
15V
13V
15V
13V
V
CE
= 840V ，R
G
= 82, T
J
= 125
o
C
t
SC
18
18
16
16
14
I
SC
14
10
5
0.5
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 2.1
o
C / W ，见注解
1.0
2.0
3.0
12
12
10
13
13.5
14
14.5
V
GE
，门到发射极电压（ V）
10
15
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
6
5
4
3
2
1
0
T
C
= 25
o
C
6
5
4
3
2
1
0
T
C
= -55
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -55
o
C
T
C
= 150
o
C
脉冲宽度= 250μs的
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 13V
0
2
4
6
8
10
脉冲宽度= 250μs的
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 15V
0
2
4
6
8
10
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
1200
E
ON2
，开启能量损失（J ）
1000
800
600
400
200
0
0.5
E
关闭
，关断能量损失（J ）
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
250
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
200
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V或15V
150
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 13V或15V
100
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 13V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 15V
1
1.5
2
2.5
3
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
4
I
SC
峰值短路电流（ A）
3
20
20
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN
典型性能曲线
24
t
D（ ON ）I
，导通延迟时间（纳秒）
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
24
t
rI
，上升时间（ NS ）
20
20
16
12
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
8
4
0.5
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V
（除非另有规定编）
（续）
28
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
16
T
J
25
o
C
150
o
C
25
o
C
150
o
C
V
GE
13V
13V
15V
15V
12
8
0
1
1.5
2
2.5
3
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
1
1.5
2
2.5
3
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
84
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
80
76
72
68
64
60
56
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
t
fI
，下降时间（ NS ）
360
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
320
280
240
200
160
2
2.5
3
120
0.5
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 13V或15V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V或15V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 13V
0.5
1
1.5
1
1.5
2
2.5
3
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12.关断下降时间与收藏家
发射极电流
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
7
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 20V
脉冲宽度= 250μs的
T
C
= -55
o
C
V
GE
，门到发射极电压（ V）
18
15
V
CE
= 800V
12
V
CE
= 400V
9
V
CE
= 1200V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
6
3
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 600, T
C
= 25
o
C
0
0
4
8
12
16
20
8
9
10
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
图14.门充电波形
5
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN
数据表
2001年1月
5.3A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
该HGTD1N120BNS和HGTP1N120BN是
N
导通
P
UNCH
T
hrough （ NPT ） IGBT的设计。他们的新成员
MOS门控高压开关IGBT系列。 IGBT的
结合了MOSFET和双极性的最佳功能
晶体管。本装置具有一个高输入阻抗
MOSFET和双极性的低导通状态的导通损耗
晶体管。
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49316 。
特点
5.3A ， 1200V ，T
C
= 25
o
C
1200V开关SOA能力
典型ê
关闭
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
在T
J
= 150
o
C
短路额定值
低传导损耗
额定雪崩
温度补偿
SABER 模型
热阻抗
SPICE模型
www.fairchildsemi.com
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
HGTD1N120BNS
HGTP1N120BN
包
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
1N120B
1N120BN
包装
JEDEC TO- 220AB
E
C
G
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 252AA卷带式，即HGTD1N120BNS9A
集热器
（法兰）
符号
C
G
JEDEC TO- 252AA
集热器
（法兰）
E
G
E
飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权
4,364,073
4,598,461
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,417,385
4,605,948
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,430,792
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,443,931
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,466,176
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,516,143
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
4,532,534
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,587,713
4,644,637
4,801,986
4,883,767
2001仙童半导体公司
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN版本B
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
所有类型
1200
5.3
2.7
6
±
20
±
30
在6A 1200V
60
0.476
10
-55到150
300
260
8
13
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
正向电压雪崩能量（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AV
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
短路耐受时间（注3） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
短路耐受时间（注3） V
GE
= 13V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
s
s
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.单脉冲; VGE = 15V ;脉冲宽度有限的最高结温。
2. I
CE
= 7A中，L = 400
H，V
GE
= 15V ，T
J
= 25
o
C.
3. V
CE （ PK ）
= 840V ，T
J
= 125
o
C，R
G
= 82
.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250
A，V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 150
o
C
民
1200
15
-
-
-
-
-
6.0
-
6
-
-
-
典型值
-
-
-
20
-
2.5
3.8
7.1
-
-
9.2
14
15
最大
-
-
250
-
1.0
2.9
4.3
-
±
250
-
-
20
21
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
nA
A
V
nC
nC
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 1.0A
V
GE
= 15V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
门到发射极阈值电压
门到发射极漏电流
开关SOA
门到发射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GE （日）
I
GES
SSOA
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= 50
A，V
CE
= V
GE
V
GE
=
±
20V
T
J
= 150
o
C，R
G
= 82
,
V
GE
= 15V,
L = 2MH ，V
CE （ PK ）
= 1200V
I
C
= 1.0A ，V
CE
= 600V
I
C
= 1.0A
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
2001仙童半导体公司
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN版本B
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注5 ）
开启能量（注5 ）
关断能量（注4 ）
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注5 ）
开启能量（注5 ）
关断能量（注4 ）
热阻结到外壳
注意事项：
4.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
5.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
is
的导通损耗，当一个典型的二极管被用在测试电路和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型被指定在图18中。
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
R
θJC
IGBT和二极管在T
J
= 150
o
C
I
CE
= 1.0 A
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 82
L = 4mH
测试电路（图18 ）
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 25
o
C
I
CE
= 1.0A
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 82
L = 4mH
测试电路（图18 ）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
15
11
67
226
70
172
90
13
11
75
258
145
385
120
-
最大
20
14
76
300
-
187
123
17
15
88
370
-
440
175
2.1
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
o
C / W
典型性能曲线
6
I
CE
， DC集电极电流（ A）
（除非另有规定编）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
7
6
5
4
3
2
1
0
V
GE
= 15V
5
4
3
2
1
0
T
J
= 150
o
C，R
G
= 82, V
GE
= 15V ，L = 2MH
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
T
C
，外壳温度（
o
C)
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图1. DC集电极电流与案例
温度
图2.最小开关安全工作区
2001仙童半导体公司
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN版本B
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN
典型性能曲线
300
f
最大
，工作频率（千赫）
200
100
（除非另有规定编）
（续）
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
T
J
= 150
o
C，R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
T
C
= 75
o
C， VGE = 15V
理想二极管
T
C
75
o
C
75
o
C
110
o
C
110
o
C
V
GE
15V
13V
15V
13V
V
CE
= 840V ，R
G
= 82, T
J
= 125
o
C
t
SC
18
18
16
16
14
I
SC
14
10
5
0.5
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 2.1
o
C / W ，见注解
1.0
2.0
3.0
12
12
10
13
13.5
14
14.5
V
GE
，门到发射极电压（ V）
10
15
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
6
5
4
3
2
1
0
T
C
= 25
o
C
6
5
4
3
2
1
0
T
C
= -55
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -55
o
C
T
C
= 150
o
C
脉冲宽度= 250μs的
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 13V
0
2
4
6
8
10
脉冲宽度= 250μs的
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 15V
0
2
4
6
8
10
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
1200
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
E
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
1000
800
600
400
200
0
0.5
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
250
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
200
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V或15V
150
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 13V或15V
100
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 13V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 15V
1
1.5
2
2.5
3
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
2001仙童半导体公司
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN版本B
I
SC
峰值短路电流（ A）
3
20
20
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN
典型性能曲线
24
t
D（ ON ）I
，导通延迟时间（纳秒）
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
24
t
rI
，上升时间（ NS ）
20
20
16
12
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
8
4
0.5
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V
（除非另有规定编）
（续）
28
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
16
T
J
25
o
C
150
o
C
25
o
C
150
o
C
V
GE
13V
13V
15V
15V
12
8
0
1
1.5
2
2.5
3
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
1
1.5
2
2.5
3
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
84
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
80
76
72
68
64
60
56
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
t
fI
，下降时间（ NS ）
360
R
G
= 82Ω ， L = 4mH ，V
CE
= 960V
320
280
240
200
160
2
2.5
3
120
0.5
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 13V或15V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V或15V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 13V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 13V
0.5
1
1.5
1
1.5
2
2.5
3
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12.关断下降时间与收藏家
发射极电流
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
7
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 20V
脉冲宽度= 250μs的
T
C
= -55
o
C
V
CE
= 800V
12
V
CE
= 400V
9
V
CE
= 1200V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
6
3
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 600, T
C
= 25
o
C
0
0
4
8
12
16
20
8
9
10
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
图14.门充电波形
2001仙童半导体公司
HGTD1N120BNS ， HGTP1N120BN版本B
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H2RD1626-260H
HD74LV05A
HY62WT08081E-DPE
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HGTP1N120BN
    -
    -
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    -
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更多配单专家
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联系人：陈泽强
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联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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22+
3500
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