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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第734页 > HC165
SL74HC165
8位串行或并行输入/
串行输出移位寄存器
高性能硅栅CMOS
该SL74HC165在引出线的LS / ALS165相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LS / ALSTTL输出兼容。
该装置是一个8位的移位寄存器具有互补的输出端
从最后阶段。数据可以被加载到在寄存器
并行或串行形式。当串行移位/并行加载输入
低时，数据被异步加载并联。当串行
移位/并行加载输入为高时，数据被串行地加载在上升
无论是时钟或时钟禁止的边缘（见功能表） 。
2
- 输入NOR时钟既可以通过组合两个用于
独立的时钟源，或通过指定的时钟输入中的一个，以
作为时钟禁止。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
订购信息
SL74HC165N塑料
SL74HC165D SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
功能表
输入
串行移位/
并行加载
L
H
H
H
H
H
H
H
L
L
X
H
L
H
X
L
时钟
H
时钟
抑制
X
L
L
S
A
X
L
H
L
H
X
X
X
A-H
一... H
X
X
X
X
X
X
X
没有变化
无时钟
内部阶段
Q
A
a
L
H
L
H
Q
B
-Q
G
B-G
Q
An
-Q
Fn
Q
An
-Q
Fn
Q
An
-Q
Fn
Q
An
-Q
Fn
没有变化
产量
Q
H
h
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
通过时钟串行移位
抑制
抑制时钟
异步并行加载
通过时钟串行移位
手术
X =无关
Q
An
-Q
Fn
=数据从前面级移位
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC165
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±25
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V） 。
CC
未使用的输出必须悬空。
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC165
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
参数
测试条件
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8.0
≤85
°C
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
80
≤125
°C
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1.0
160
A
A
V
单位
V
IH
最小高级别
输入电压
最大的低-Level
输入电压
最小高级别
输出电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
≤
20
A
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
≤
4.0毫安
I
OUT
≤
5.2毫安
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
V
V
IL
V
V
OH
V
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IL
或V
IH
I
OUT
≤
20
A
V
IN
= V
IL
或V
IH
I
OUT
≤
4.0毫安
I
OUT
≤
5.2毫安
I
IN
I
CC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
或GND
I
OUT
=0A
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC165
AC电气特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒）
V
CC
符号
f
最大
参数
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和8）的
最大传输延迟，时钟（或时钟
抑制），以Q
H
或Q
H
（图1和8）的
最大传输延迟， SerialShift ./ 。并行
负载Q
H
或Q
H
（图2和8）的
最大传输延迟，输入H键Q
H
或Q
H
（图3和8 ）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和8）的
最大输入电容
功率耗散电容（每包）
C
PD
用于确定空载动态功率
消费：
P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
-
保证限额
25
°C
to
-55°C
6.0
30
35
150
30
26
175
35
30
150
30
26
75
15
13
10
≤85°C
4.8
24
28
190
38
33
220
44
37
190
38
33
95
19
16
10
≤125°C
4.0
20
24
225
45
38
265
53
45
225
45
38
110
22
19
10
单位
兆赫
t
PLH
, t
PHL
ns
t
PLH
, t
PHL
ns
t
PLH
, t
PHL
ns
t
TLH
, t
THL
ns
C
IN
pF
典型的25°C ，V
CC
=5.0 V
85
pF
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC165
时序要求
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒）
V
CC
符号
t
SU
参数
最小建立时间，并行
数据输入到串行
移位/并行加载（图4 ）
最小建立时间，输入端S
A
时钟（或时钟禁止）
（图5）
最小建立时间，序列
移动/并行加载到时钟（或
时钟禁止） （图6）
最小建立时间，时钟到
时钟禁止（图7 ）
最小保持时间，串行
移动/并行加载到并行
数据输入（图4 ）
最小保持时间，时钟（或
时钟禁止）到输入端S
A
（图5）
最小保持时间，时钟（或
时钟禁止），以串行
移位/并行加载（图6）
Minimu米恢复时间，
时钟的时钟禁止
（图7）
最小脉冲宽度，时钟
（或时钟禁止） （图1）
最小脉冲宽度，串行
移位/并联负载（图2 ）
最大输入兴衰
倍（图1）
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
25
°C
to
-55°C
100
20
17
100
20
17
100
20
17
100
20
17
5
5
5
5
5
5
5
5
5
100
20
17
80
16
14
80
16
14
1000
500
400
保证限额
≤85°C
125
25
21
125
25
21
125
25
21
125
25
21
5
5
5
5
5
5
5
5
5
125
25
21
100
20
17
100
20
17
1000
500
400
≤125°C
150
30
26
150
30
26
150
30
26
150
30
26
5
5
5
5
5
5
5
5
5
150
30
26
120
24
20
120
24
20
1000
500
400
单位
ns
t
SU
ns
t
SU
ns
t
SU
ns
t
h
ns
t
h
ns
t
h
ns
t
REC
ns
t
w
ns
t
w
ns
t
r,
t
f
ns
SLS
系统逻辑
半导体
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H2RD1626-260H
HD74LV05A
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