HFA3134 ， HFA3135
数据表
2005年8月12日
FN4445.2
超高频匹配的一对
晶体管
该HFA3134和HFA3135是超高频
这是捏造与Intersil公司的晶体管对
互补双极UHF- 1X的过程。该NPN
晶体管表现出一个f
T
8.5GHz ，而PNP晶体管
有一个f
T
的7GHz的。这两种类型的显示出低噪音，使得
它们非常适用于高频放大器器和混频器
应用程序。
两个阵列相匹配的高频晶体管对。该
匹配简化网络上课直流偏置问题，并最大限度地减少
失衡差分放大器呃CON连接gurations 。其高
f
T
使超高频放大器器哪个展览设计
优异的稳定性。
特点
NPN晶体管（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.5GHz
NPN电流增益（H
FE
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
NPN噪声系数（ 50Ω ） ，在1.0GHz时。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.6分贝
PNP晶体管（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7GHz的
PNP电流增益（H
FE
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
PNP噪声系数（ 50Ω ），在900MHz 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.6分贝
小包装（ EIAJ - SC74标准） 。 。 。 。 。 。 。 .SOT23-6
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
VHF / UHF放大器
VHF / UHF搅拌机
订购信息
产品型号
温度。
（品牌）
范围（° C）
HFA3134IH96
(04/ )
HFA3134IHZ96
（4Z / ） （注）
HFA3135IH96
(05/ )
HFA3135IHZ96
（5Z / ） （注）
Z5
05
4Z
04
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
包
6 Ld的SOT23
磁带和卷轴
PKG 。
DWG 。 ＃
P6.064
IF转换器
同步检波器
引脚配置
P6.064
1
2
3
Q
2
6 Ld的SOT23
P6.064
磁带和卷轴（无铅）
6 Ld的SOT23
磁带和卷轴
HFA3134
(SOT23)
顶视图
6
5
4
6 Ld的SOT23
P6.064
磁带和卷轴（无铅）
Q
1
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
HFA3135
(SOT23)
顶视图
1
2
3
Q
2
6
5
4
Q
1
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2000年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HFA3134 ， HFA3135
绝对最大额定值
集电极到发射极电压（R
B
≤
10kΩ至GND） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11V
集电极基极电压（发射极输出） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .12V
发射器基极电压（反向偏置） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5V
集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14毫安在T
J
=150°C
26毫安在T
J
=125°C
基本电流（注2） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1.7mA
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .400V
（每MIL -STD- 883方法3015.7 ）
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
SOT23-6封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
350
最高结温（死亡）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175℃
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（焊接10秒，导线头只）
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
2.如果一个晶体管被用在二极管结构中，集电体必须连接到基座，以避免超过最大基极电流
特定连接的阳离子。
电气规格
T
A
= 25°C
（注3）
TEST
水平
参数
FOR HFA3134直流特性（ NPN ）
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CER
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 100μA ，我
B
= 0
I
C
= 100μA ，R
B
= 10k
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 6V ，我
B
= 0
V
CB
= 8V ，我
E
= 0
V
EB
= 1V ，我
C
= 0
A
A
A
B
A
A
B
C
12
4
11
-
-5
-5
-
-
-
-
-
-
-
-
48
48
48
48
48
48
-
20
21
9
17
6
-
-
1
1
95
780
1.2
1.0
0.7
-1.5
80
87
90
96
96
100
2
30
-
-
-
-
5
5
-
-
250
1000
6
6
6
-
200
200
200
200
200
200
8
-
V
V
V
V
nA
nA
pA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
毫伏/°C的
发射器基极击穿电压（注4 ）
集电极截止电流
集电极截止电流
射极截止电流（注5 ）
集热器集热器泄漏
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压（注5 ）
Q
1
以Q
2
基地发射极电压匹配
（注5 ）
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE
V
BE
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 2V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
= 2V
A
A
A
A
A
C
A
A
A
A
A
A
A
A
基地发射极电压漂移
直流正向电流传输比
（注5 ）
h
FE
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 2V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
= 5V
Q
1
以Q
2
电流传输比匹配
早电压
h
FE
V
A
1mA
≤
I
C
≤
10mA,
1V
≤
V
CE
≤
5V
I
C
= 1mA时，
V
CE
= 3V
%
V
2
FN4445.2
2005年8月12日
HFA3134 ， HFA3135
电气规格
T
A
= 25°C
（续）
（注3）
TEST
水平
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
FOR HFA3135动态特性（ PNP ）
噪声系数
NF
F = 900MHz的，我
C
= -10mA ，
-1V
≤
V
CE
≤
-5V ，Z
S
= 50
F = 900MHz的，我
C
= -1mA ，
-1V
≤
V
CE
≤
-5V ，Z
S
= 50
电流增益带宽积
功率增益带宽积
基地发射极电容
集电极基极电容
注意事项：
3.测试等级：A产品测试; B.典型或保证限额以表征; C.设计典型仅供参考。
4.测量V
EBO
会降低晶体管
FE
和H
FE
匹配。
5.了解更多信息，请参见典型性能曲线。
f
T
f
最大
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5V
V
BE
= 0.5V
V
CB
= -3V
B
B
B
B
B
B
-
-
-
-
-
-
5.2
4.6
7
待定
550
400
-
-
-
-
-
-
dB
dB
GHz的
GHz的
fF
fF
典型性能曲线
20
18
集电极电流（毫安）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
I
B
= 200A
集电极电流和基极电流（ A）
100m
10m
Q
1
1m
100
10
1
100n
10n
1n
100p
10p
0.4
0.5
0.7
0.9
0.6
0.8
基地发射极电压（ V）
I
B
I
C
Q
2
Q
1
Q
2
I
B
= 160A
I
B
= 120A
I
B
= 80A
Q
1
Q
2
I
B
= 40A
3.5
4.0
4.5
5.0
1.0
集电极到发射极电压（ V）
图1： NPN集电极电流VS收藏家
发射极电压
图2： NPN集电极和基极电流的VS
基地发射极电压
4
FN4445.2
2005年8月12日
HFA3134 ， HFA3135
典型性能曲线
130
120
110
100
直流电流增益
90
80
70
60
50
40
30
20
1n
1n
100n
1
10
100
1m
10m
100m
0.1
1
10
100
Q
2
V
CE
= 3V
V
CE
= 1V
Q
2
Q
1
Q
1
V
CE
= 5V
增益带宽（千兆赫）
10
9
8
7
6
5
4
V
CE
= 1V
3
2
1
V
CE
= 5V
V
CE
= 3V
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
（续）
集电极电流（ A）
集电极电流（毫安）
图3： NPN直流电流增益VS集电极电流
图4： NPN的增益带宽积VS
集电极电流
1n
集热= OPEN
射极漏泄电流（ A）
100p
10p
1p
0.1p
0
-0.3
-0.6
-0.9
-1.2
-1.5
-1.8
-2.1
-2.4
-2.7
-3.0
基地发射极电压（ V）
图5： NPN发射极截止电流与基地发射极电压
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
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通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
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5
FN4445.2
2005年8月12日
QQ：2881677436 复制
