AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
包
H11AA3-M
H11AA4-M
概要
1
6基地
2
5 COLL
3
4发射器
描述
该H11AAX -M系列包括两个砷化镓红外发光反向并联连接的二极管驱动单
硅光电晶体管输出。
特点
双极发射器输入
内置反极性输入保护
美国保险商实验室（ UL）的认可文件＃ E90700 ，第2卷
VDE认证文件＃ 102497 （订购选项' V' ）
应用
AC在线监测仪
未知极性直流传感器
电话线接口
2004仙童半导体公司
第1页9
1/9/04
AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗
线性降额从25℃
辐射源
连续正向电流
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
LED功耗
线性降额从25℃
探测器
连续集电极电流
探测器功耗
从25° C减免线性
I
C
P
D
所有
所有
50
150
1.76
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
P
D
所有
所有
所有
60
±1.0
120
1.41
mA
A
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
所有
所有
所有
所有
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
电容
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
*在T典型值
A
= 25°C
2004仙童半导体公司
测试条件
符号
设备
民
典型*
最大
单位
I
F
= -10毫安
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
C
J
所有
所有
1.17
80
1.5
V
pF
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 100 A ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
所有
所有
所有
所有
H11AA1,3,4(-M)
H11AA2-M
所有
所有
所有
30
70
5
7
100
120
10
10
1
1
10
80
15
50
200
V
V
V
V
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
I
首席执行官
nA
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
C
CE
C
CB
C
EB
pF
pF
pF
第2 9
1/9/04
H11AA1M ， H11AA2M ， H11AA3M ， H11AA4M - AC输入/光电晶体管光耦合器
2009年9月
H11AA1M ， H11AA2M ， H11AA3M ， H11AA4M
AC输入/光电晶体管光耦合器
特点
■
双极发射器输入
■
内置反极性输入保护
■
美国保险商实验室（ UL）认可的文件
描述
该H11AAXM系列由两个砷化镓
红外发光二极管反向并联连接
驱动单个硅光电晶体管输出。
＃ E90700 ，第2卷
■
VDE认证文件＃ 102497 （订购选项' V' ）
应用
■
AC在线监测
■
未知极性直流传感器
■
电话线接口
概要
包装纲要
1
6基地
2
5 COLL
3
4发射器
2006仙童半导体公司
H11AA1M ， H11AA2M ， H11AA3M ， H11AA4M版本1.0.3
www.fairchildsemi.com
H11AA1M ， H11AA2M ， H11AA3M ， H11AA4M - AC输入/光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
I
F
（ PK）
P
D
探测器
I
C
P
D
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗
线性降额从25℃
连续正向电流
正向电流 - 峰值（ 1μs的脉冲， 300 ，PPS）
LED功耗
线性降额从25℃
连续集电极电流
探测器功耗
从25° C减免线性
设备
所有
所有
所有
所有
价值
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
A
mW
毫瓦/°C的
mA
mW
毫瓦/°C的
所有
所有
所有
60
±1.0
120
1.41
所有
所有
50
150
1.76
2006仙童半导体公司
H11AA1M ， H11AA2M ， H11AA3M ， H11AA4M版本1.0.3
www.fairchildsemi.com
2
H11AA1M ， H11AA2M ， H11AA3M ， H11AA4M - AC输入/光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
C
J
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
I
首席执行官
输入正向电压
电容
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
I
F
= -10mA
V
F
= 0 V ， F = 1.0MHz的
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 100μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
所有
所有
所有
所有
所有
所有
H11AA1M
H11AA3M
H11AA4M
H11AA2M
C
CE
C
CB
C
EB
集电极电容
到发射器
收藏家基地
发射器基
V
CE
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0中，f = 1MHz的
所有
所有
所有
30
70
5
7
1.17
80
100
120
10
10
1
50
1.5
V
pF
V
V
V
V
nA
参数
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
探测器
1
10
80
15
200
pF
pF
pF
*在T典型值
A
= 25°C
传输特性
符号
CTR
CE
特征
电流传输比，
集电极到发射极
测试条件
I
F
= -10mA ，V
CE
= 10V
设备
H11AA4M
H11AA3M
H11AA1M
H11AA2M
分钟。
100
50
20
10
.33
TYP 。 *
马克斯。
单位
%
电流传输比，
对称
V
CE （ SAT ）
饱和电压，
集电极到发射极
I
F
= -10mA ，V
CE
= 10V
（图11）
I
F
= -10mA ，我
CE
- 0.5毫安
所有
所有
3.0
.40
V
隔离特性
符号
C
我-O
V
ISO
R
ISO
特征
封装电容
输入/输出
隔离电压
绝缘电阻
测试条件
V
我-O
= 0中，f = 1MHz的
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
分钟。
TYP 。 *
0.7
马克斯。
单位
pF
VAC （ PK）
7500
10
11
*在T典型值
A
= 25°C
2006仙童半导体公司
H11AA1M ， H11AA2M ， H11AA3M ， H11AA4M版本1.0.3
www.fairchildsemi.com
3
H11AA1M ， H11AA2M ， H11AA3M ， H11AA4M - AC输入/光电晶体管光耦合器
安全性和绝缘等级
按照IEC 60747-5-2 ，这是光电耦合器适用于仅在安全限制数据“安全的电气绝缘” 。
符合安全等级，由保护电路装置来保证。
符号
参数
根据DIN VDE 0110安装分类网络阳离子/ 1.89
表1
额定主电压< 150Vrms
额定电压主要< 300Vrms
气候分类科幻阳离子
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ⅰ-Ⅳ
Ⅰ-Ⅳ
55/100/21
2
175
1594
V
PEAK
CTI
V
PR
漏电起痕指数
输入到输出的测试电压，方法B ，
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产测试
用TM = 1秒，局部放电< 5PC
输入到输出的测试电压，方法a ，
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和样品测试
用TM = 60秒，局部放电< 5PC
1275
V
PEAK
V
IORM
V
IOTM
马克斯。工作绝缘电压
最高允许过电压
外部爬电距离
外部间隙
绝缘厚度
850
6000
7
7
0.5
10
9
V
PEAK
V
PEAK
mm
mm
mm
RIO
在TS ，V绝缘电阻
IO
= 500V
2006仙童半导体公司
H11AA1M ， H11AA2M ， H11AA3M ， H11AA4M版本1.0.3
www.fairchildsemi.com
4
H11AA1M ， H11AA2M ， H11AA3M ， H11AA4M - AC输入/光电晶体管光耦合器
典型性能特性
图。 1输入电压与输入电流
100
T
A
= 25°C
80
1.2
1.4
T
A
= 25°C
V
CE
= 5V
归到我
F
= 10毫安
图。 2归CTR与正向电流
I
F
- 输入电流（mA）
60
40
20
0
-20
-40
-60
0.2
1.0
归一化CTR
0.8
0.6
0.4
-80
-100
-2.0
0.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
5
10
15
20
V
F
=输入电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.4
V
CE
= 5V
归到我
F
= 10毫安，T
A
= 25°C
1.2
I
F
= 10毫安
图。 4 CTR与RBE （不饱和）
1.0
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
V
0.9
0.8
0.7
CE
= 5V
T
A
= 25°C
归一化CTR
1.0
I
F
= 5毫安
0.8
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 10毫安
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
0.4
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
=环境温度（℃）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图。 5 CTR与RBE （饱和）
1.0
图。 6集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
100
中T = 25℃
A
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
V
0.9
0.8
0.7
CE
= 0.3V
T
A
= 25°C
10
I
F
= 20mA下
0.6
I
F
= 10毫安
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
1
I
F
= 2.5毫安
I
F
= 5毫安
0.1
0.01
I
F
= 10毫安
I
F
= 20mA下
R
BE
- 基极电阻（K
)
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
2006仙童半导体公司
H11AA1M ， H11AA2M ， H11AA3M ， H11AA4M版本1.0.3
www.fairchildsemi.com
5
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