HFA3127/883
1995年2月
超高频晶体管阵列
描述
该HFA3127 / 883是一种超高频三极管
阵列制造在Intersil公司的互补
双极UHF- 1的过程。该阵列由网络连接已经dielectri-
美云分离晶体管在一个共同的整体式载体上。
高F
T
这些（ 8GHz的）和低噪音音响gure （ 3.5分贝）
晶体管使它们非常适用于高频放大器ER和
混频器的应用程序。
该HFA3127 / 883是一个全NPN阵列。访问被提供给
每对马克西各个晶体管的端子的
妈妈的应用灵活性。的单片建设
阵列提供的紧密的电和热匹配
网络已经晶体管。
SMD 5962-9474901MEA版本也可以从接口
SIL公司。
特点
该电路耗时要按照MIL -STD-
883是完全符合根据的规定
第1.2.1 。
NPN晶体管（F
T
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .8GHz （典型值）
NPN电流增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 （分钟）
NPN早电压（ VA） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 （分钟）
噪声系数（ 50Ω ） ，在1.0GHz时。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5分贝（典型值）
收集到收集泄漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <1pA （典型值）
晶体管之间的完全隔离
引脚兼容行业标准3XXX系列
应用
VHF / UHF放大器器
VHF / UHF搅拌机
IF转换器
同步检波器
HFA3127MJ/883
订购信息
产品型号
温度
-55
o
C至+ 125
o
C
包
16引脚CERDIP
引脚
HFA3127/883
（ CERDIP ）
顶视图
1
2
3
4
NC 5
6
7
8
Q3
Q4
Q2
Q5
Q1
16
15
14
13
12
11
10
9
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
规格编号
1
3967
511120
特定网络阳离子HFA3127 / 883
绝对最大额定值
集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0V
集电极 - 基极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.0V
发射器基极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5V
集电极电流在100 ％占空比， 175
o
（C T）
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 11.3毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
结温（ DIE） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <2000V
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
24
o
C / W
在+75最大封装功耗
o
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.25W
降额因子以上75
o
C
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .12.5mW /
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
表1. DC电性能等特点
范围
参数
集电极 - 基
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
条件
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
A组
亚
1
2, 3
集电极 - 发射极
击穿电压
V
（ BR ） CEO
I
C
= 100μA ，我
B
= 0
1
2, 3
集电极 - 发射极
击穿电压
V
（ BR ） CES
I
C
= 100μA ，基地短路
TP发射
1
2, 3
发射极 - 基极击穿
电压
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
1
2, 3
集电极截止电流
I
首席执行官
V
CE
= 6V ，我
B
= 0
1
2, 3
集电极截止电流
I
CBO
V
CB
= 8V ，我
E
= 0
1
2, 3
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
1
2, 3
基极 - 发射极电压
V
BE
I
C
= 10毫安
1
2, 3
直流正向电流
传输比
h
FE
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
1
2, 3
早电压
V
A
I
C
= 10毫安，V
CE
= 3.5V
1
2, 3
温度
+25
o
C
+125
o
C至-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C至-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C至-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C至-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C至-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C至-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C至-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C至-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C至-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C至-55
o
C
民
12
12
8
8
10
10
5.5
5.5
-
-
-
-
-
-
-
-
40
20
20
20
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
10
10
0.5
0.5
0.95
1.05
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V
-
-
V
V
规格编号
2
511120
QQ：2880707522 复制
