【集成电路数据表对于一个完整的数据资料，也请下载：该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑系列规格】,IC型号HEF4724B,HEF4724B PDF资料,HEF4724B经销商,ic,电子元器件-51电子网

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4724B

微星

8位可寻址锁存器

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

8位可寻址锁存器

描述

该HEF4724B是一个8位可寻址锁存器具有三个

地址输入（A

0

到A

2

），数据输入（D）中，有源低

使能输入（ E）中，一个高电平有效清除输入（CL）和八

并行锁存器输出（O

0

与O

7

).

当E和CL都很高，所有输出（O

0

与O

7

）是低电压。

八通道多路分解或高电平有效-1- - 8

与输出解码使操作发生时， CL为

高和E为低。当CL和E均为低电平时，

HEF4724B

微星

所选的输出（O

0

与O

7

;由A确定

0

到A

2

）如下

D.当E变为高电平时，锁存器中的内容是

存储。当在可寻址锁存模式中操作

（ E = CL = LOW ），改变的不止一位

0

to

A

2

可以并处一过错误的地址。因此，

这应该只，而在存储器模式中进行

（ E = HIGH ， CL = LOW ）。

图2钢钉图。

HEF4724BP （ N）：

HEF4724BD （F ）：

HEF4724BT （D）：

16引脚DIL ;塑料

(SOT38-1)

16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT74)

16引脚SO ;塑料

(SOT109-1)

（）：封装标识北美

钉扎

A

0

到A

2

图1的功能框图。

A

E

CL

O

0

与O

7

地址输入

数据输入

使能输入（低电平有效）

清除输入（高电平有效）

并行锁存器输出

系列数据，我

DD

极限微星类

见家庭音响特定阳离子

1995年1月

2

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1995年1月

3

图3的逻辑图。

产品speci fi cation

图4逻辑图（ 1锁存器）。

飞利浦半导体

8位可寻址锁存器

HEF4724B

微星

飞利浦半导体

产品speci fi cation

8位可寻址锁存器

模式选择

E

L

H

L

H

CL

L

H

可寻址锁存器

内存

高电平8通道多路解复用器

明确

模式

HEF4724B

微星

功能表

CL

H

L

笔记

1. H =高电平状态（更多的正电压）

L =低电平状态（不积极的电压）

X =状态是无关紧要

O

n-1

= E的正跳变前的状态

D

1

=高电平或低电平

E

H

L

H

L

D

X

D

1

D

1

D

1

D

1

D

1

D

1

D

1

D

1

X

D

1

D

1

D

1

D

1

D

1

D

1

D

1

D

1

A

0

X

L

H

L

H

L

H

L

H

X

L

H

L

H

L

H

L

H

A

1

X

L

H

L

H

X

L

H

L

H

A

2

X

L

H

X

L

H

O

0

L

D

1

L

O

n-1

D

1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

1

L

D

1

L

O

n-1

O

n-1

D

1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

2

L

D

1

L

O

n-1

O

n-1

O

n-1

D

1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

3

L

D

1

L

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

D

1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

4

L

D

1

L

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

D

1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

5

L

D

1

L

O

6

L

D

1

L

O

7

L

D

1

解复用器;

未解决

锁存器

清除

模式

明确

O

n-1

O

n-1

O

n-1

内存

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

寻址

O

n-1

O

n-1

O

n-1

锁存器;

O

n-1

O

n-1

O

n-1

未解决

O

n-1

O

n-1

O

n-1

锁存器保持

D

1

O

n-1

O

n-1

前

状态

O

n-1

D

1

O

n-1

O

n-1

O

n-1

D

1

1995年1月

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

8位可寻址锁存器

AC特性

V

SS

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

输入转换时间

≤

20纳秒

V

DD

V

动态功耗

每消耗

包（P）的

5

10

15

典型公式P（ μW ）

700 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

3700 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

10 800 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

哪里

HEF4724B

微星

f

i

=输入频率。（兆赫）

f

o

=输出频率。（兆赫）

C

L

=负载电容（PF ）

∑

(f

o

C

L

） =产出的总和

V

DD

- 电源电压（ V）

AC特性

V

SS

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

C

L

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

V

DD

V

传播延迟

E

→

O

n

前高后低

5

10

15

5

从低到高

D

→

O

n

前高后低

10

15

5

10

15

5

从低到高

A

n

→

O

n

前高后低

10

15

5

10

15

5

从低到高

CL

→

O

n

前高后低

10

15

5

10

15

t

PHL

t

PLH

t

PHL

t

PLH

t

PHL

t

PLH

t

PHL

115

50

35

95

40

30

95

35

25

85

35

25

110

45

35

95

40

30

85

35

25

230

95

70

195

80

55

190

75

55

170

75

55

225

95

70

190

80

55

165

70

50

ns

88纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

39纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

27纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

68纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

29纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

22纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

68纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

24纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

17纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

58纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

24纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

17纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

83纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

34纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

27纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

68纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

29纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

22纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

58纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

24纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

17纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

典型的外推

公式

1995年1月

5