H7P1002DL ， H7P1002DS
硅P沟道MOS场效应晶体管
高速电源开关
REJ03G1601-0100
Rev.1.00
二○○七年十一月一十六日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 85毫欧（典型值） 。
低驱动电流
4.5 V门极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -B
（包名称： DPAK （ L） - （ 2 ） ）
4
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C
（包名称： DPAK （ S） ）
4
D
1
2
3
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
H7P0601DS
1
2
3
S
H7P0601DL
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
等级
–100
±20
–15
–60
–15
–12
14.4
30
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
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H7P1002DL ， H7P1002DS
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
–100
±20
—
—
–1.0
—
—
7.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
85
105
12
2600
190
120
45
6.5
9.0
23
45
80
13
–0.91
50
最大
—
—
±10
–10
–2.5
105
150
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= –100 V, V
GS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
Note4
I
D
= -7.5 A，V
GS
= –10 V
Note4
I
D
= -7.5 A，V
GS
= –4.5 V
Note4
I
D
= -7.5 A，V
DS
= –10 V
Note4
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= –50 V
V
GS
= –10 V
I
D
= –15 A
V
GS
= -10 V，I
D
= –7.5 A
R
L
= 4.0
RG = 4.7
I
F
= -15 A，V
GS
= 0
I
F
= -15 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
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H7P1002DL ， H7P1002DS
主要特点
功率与温度降额
50
–100
10
最高安全工作区
P沟（W）的
–30
40
I
D
(A)
PW
DC
10
1
s
0
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
散热通道
30
20
10
10
O
m
pe
s(
ra
1
TIO
sh
n
ot
(T
)
c=
25
°C
)
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
s
=
s
m
漏电流
0
25
50
75
100
125
150
0
TA = 25°C
–0.01
–0.1 –0.3 –1 –3 –10 –30 –100 –300 –1000
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–20
–10 V
–8 V
–5 V
–4 V
–10
–3 V
脉冲测试
–3.5 V
–20
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
I
D
(A)
I
D
(A)
漏电流
–15
–15
漏电流
–10
–5
V
GS
= –2 V
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–5
TC = 75℃
25°C
–25°C
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
–1.2
脉冲测试
–1.0
–0.8
–0.6
–5 A
–0.4
–0.2
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
–2 A
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
1000
脉冲测试
500
I
D
= –10 A
200
V
GS
= –4 V
100
50
–10 V
20
10
–1
–2
–5
–10
–20
–50 –100
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
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静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
0.25
脉冲测试
0.20
–2 A, –5 A
I
D
= –10 A
0.15
V
GS
= –4.5 V
–2 A, –5 A
–10 A
0.05
–10 V
100
30
10
25°C
3
1
0.3
0.1
–0.1
75°C
正向转移导纳主场迎战
漏电流
TC = -25°C
0.10
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
–50
0
50
100
150
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
3000
1000
300
100
CRSS
30
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
–5
–10
–15
–20
–25
–30
西塞
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
脉冲测试
100
30
10
3
1
–0.1
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
–0.3
–1
–3
–10
–30
–100
电容C （PF ）
300
科斯
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
V
DD
= –25 V
–50 V
–100 V
I
D
= –15 A
开关特性
V
GS
(V)
0
1000
300
TD （关闭）
100
30
10
3
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
PW = 5
s,
税
≤
1 %
R
G
= 4.7
–1
–3
–10
–30
–100
tr
TD （上）
tf
0
–40
V
DS
–80
–4
漏源极电压
V
GS
–8
–120
V
DD
= –100 V
–50 V
–25 V
–12
–160
0
16
32
48
64
–16
80
栅极至源极电压
开关时间t（ NS ）
1
–0.1 –0.3
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
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H7P1002DL ， H7P1002DS
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–20
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
20
I
AP
= –12 A
V
DD
= –50 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
反向漏电流I
DR
(A)
–15
–10 V
–10
–5 V
V
GS
= 0, 5 V
–5
16
12
8
4
脉冲测试
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
2
0.0
1
0.0
e
ULS
tp
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 4.17 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
D=
PW
T
0.03
h
1s
o
0.01
10
100
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
L I
AP2
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D.U.T
VIN
–15 V
50
V
DD
0
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QQ：2880707522 复制
