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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4720B
HEF4720V
LSI
256位，每字随机1位
存取存储器
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256位，每个字的1位的随机存取存储器
描述
该HEF4720B和HEF4720V是256位，每字1位
随机存取存储器具有三态输出。该
记忆是完全解码，完全静态的。
推荐的电源电压范围为HEF4720B是3到
15 V和HEF4720V是4.5到12.5 V ;最低限度
待机电压为两种类型是3V。
使用LOCMOS的给出的非常的额外优点
低待机功耗。该电路可以直接连接
与标准的双极型器件（TTL） ，而无需使用特殊的
HEF4720B
HEF4720V
接口电路。该存储器由一个单一操作
电源。单独的片选输入（CS）的允许
简单的内存扩展，当输出线-O
红色。当CS为高电平时，输出是浮动的，没有新的
信息可以被写入到存储器中。在信号
O具有相同极性的数据输入端D ，而
在输入输出信号是信号在O上写补
控制则W必须是高电平写入到存储器中。
图1的功能框图。
HEF4720BP ; HEF4720VP （ N） ： 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF4720BD ; HEF4720VD （ F）：在16引脚DIL ;陶瓷的
（ CERDIP ） （ SOT74 ）
HEF4720BT;
HEF4720VT （D）： 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
（ ） ：封装标识北美
图2钢钉图。
系列数据
见家庭规范。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256位，每个字的1位的随机存取存储器
I
DD
范围
见下文。
功能表
CS
L
L
H
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
X =状态是无关紧要
Z =高阻关断状态
W
H
L
X
O
数据写入
到内存
数据写入
到内存
Z
O
数据补
写入到存储器
数据补
写入到存储器
Z
抑制
读
模式
写
钉扎
CS
W
D
A
0
到A
7
O
O
HEF4720B
HEF4720V
片选输入（低电平有效）
写使能输入
数据输入
地址输入
三态输出（高电平有效）
三态输出（低电平有效）
电源电压
等级
HEF4720B
HEF4720V
0,5
18
0,5
18
推荐工作
3,0到15,0
4,5到12,5
STAND -BY MIN 。
3
3
V
V
在V给出的值
DD
= 15 V在以下的DC和
AC特性，是不适用的HEF4720V ，
由于其较低的电源电压范围。
DC特性
V
SS
= 0 V
T
AMB
(°C)
V
DD
V
输出电流
低
静态器件
当前
输入漏电流
HEF4720V
HEF4720B
10
15
±I
IN
0,3
0,3
0,3
0,3
1
A
1
A
4,75
10
15
5
10
15
I
DD
V
OL
V
0,4
0,5
1,5
I
OL
符号
40
分钟。
2,4
4,8
10,0
25
50
100
+25
+85
分钟。
1,6
3,2
7,5
25
50
100
马克斯。
mA
mA
mA
200
A
400
A
800
A
马克斯。分钟。马克斯。
2
4
10
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256位，每个字的1位的随机存取存储器
AC特性
V
DD
V
5
输出电容
10
15
C
O
符号
分钟。
典型值。
5
5
5
马克斯。
pF
pF
pF
HEF4720B
HEF4720V
交流特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
读周期
5
读取时间
片选
输出时间
10
15
5
10
15
5
地址保持时间
输出保持时间
关于
地址输入
输出保持时间
关于
片选输入
输出浮动时间
关于
片选输入
读周期时间
输出转换
时
从低到高
前高后低
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
THL
t
TLH
t
RC
t
COF
0
0
0
580
220
160
60
30
20
40
22
15
120
60
40
80
40
30
t
COH
t
VAL1
t
OA
0
0
0
60
20
15
170
50
40
130
70
60
t
CO
t
加
320
130
100
580
220
160
180
70
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,52 NS / PF ）C
L
11纳秒
+
（ 0.22纳秒/ PF ）C
L
7纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
142纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
38纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
32纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
292纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
118纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
92纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
典型的外推
公式
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256位，每个字的1位的随机存取存储器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
写周期
5
写周期时间
地址写
建立时间
10
15
5
10
15
5
把脉冲宽度
10
15
5
写恢复时间
10
15
5
数据建立时间
10
15
5
数据保持时间
片选建立
时间就
写脉冲
芯片选择保持
时间就
写脉冲
片选交货时间
在写脉冲
防止写入
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
CSL
t
CSH
t
CSW
t
DH
t
DW
t
WR
t
WP
t
AW
t
WC
580
220
160
110
50
50
370
130
80
100
40
30
250
100
80
100
30
20
370
130
80
0
0
0
0
0
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10 000纳秒
10 000纳秒
10 000纳秒
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
HEF4720B
HEF4720V
1995年1月
5
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HTD131N1000KOC
HDT200F400KSF
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