产品公告HCT7000M

1996年1月

N沟道增强型MOS晶体管

类型HCT7000M ， HCT7000MTX ， HCT7000MTXV

特点

200毫安我

D

超小型表面贴装封装

R

DS （ ON）

＆ LT ;

5

引脚输出与大多数SOT23封装兼容

MOSFET的

绝对最大额定值

漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 V

栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±40

V

漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安

功率耗散（T

A

= 25

o

C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦

功率耗散（T

S(1)

= 25

o

C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦

(2)

工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55

o

C至+150

o

C

热阻R

JC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

100

o

C / W

热阻R

JA

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 583

o

C / W

注意事项：

(1) T

S

=使载片安装在基片上的温度。

（ 2 ）该评级是作为一种辅助的设计师。它取决于安装材料及

的方法，是不能测定作为出试验。

描述

该HCT7000M是一种高性能

增强型N沟道MOS

晶体管芯片封装在超

小3针陶瓷LCC封装。

电特性类似于

那些JEDEC 2N7000的。该引脚

出来，足迹匹配的最

增强型MOS晶体管

建于SOT23塑料封装。

该HCT7000M可经过加工

为TX和TXV每MIL- PRF-水平

19500订购HCT7000MTX或

HCT7000MTXV 。典型的筛选和

提供对大量的验收测试

第13-4页。 TX和热力膨胀阀产品

收到一个V

GS

HTRB 24 V时为48小时。

在150

o

C和一个V

DS

HTRB在48 V的

260小时。在150

o

C.

欧思科技公司

1215 W.克罗斯比路

卡罗尔顿，德克萨斯州75006

15-36

(972) 323-2200

传真：（ 972 ） 323-2396

类型HCT7000M ， HCT7000MTX ， HCT7000MTXV

电气特性

(T

A

= 25

o

C除非另有说明）

符号

V

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

G

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

吨（ON）的

参数

漏源电压

栅极阈值电压

栅极泄漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

漏源电压

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

最小值最大值单位

60

.8

3.0

±10

1

75

5

2.5

100

60

25

5

10

10

V

V

nA

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 10

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 1毫安

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±15

V

V

GS

= 0 V, V

DS

= 48 V

V

DS

= 10 V, V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 0.5 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 0.5 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 0.2 A

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V ， F = 1mHz的

A

mA

V

mS

pF

pF

pF

ns

ns

V

DD

= 15 V，I

D

= 0.5 A ，V

根

= 10 V ，R

g

= 25

t

（关闭）

欧思保留对以改进设计和提供最好的产品可能在任何时候更改的权利。

欧思科技公司

1215 W.克罗斯比路

卡罗尔顿，德克萨斯州75006

(972)323-2200

传真(972)323-2396

15-37

产品公告HCT7000M

1996年1月

N沟道增强型MOS晶体管

类型HCT7000M ， HCT7000MTX ， HCT7000MTXV

特点

200毫安我

D

超小型表面贴装封装

R

DS （ ON）

＆ LT ;

5

引脚输出与大多数SOT23封装兼容

MOSFET的

绝对最大额定值

漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 V

栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±40

V

漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安

功率耗散（T

A

= 25

o

C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦

功率耗散（T

S(1)

= 25

o

C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦

(2)

工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55

o

C至+150

o

C

热阻R

JC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

100

o

C / W

热阻R

JA

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 583

o

C / W

注意事项：

(1) T

S

=使载片安装在基片上的温度。

（ 2 ）该评级是作为一种辅助的设计师。它取决于安装材料及

的方法，是不能测定作为出试验。

描述

该HCT7000M是一种高性能

增强型N沟道MOS

晶体管芯片封装在超

小3针陶瓷LCC封装。

电特性类似于

那些JEDEC 2N7000的。该引脚

出来，足迹匹配的最

增强型MOS晶体管

建于SOT23塑料封装。

该HCT7000M可经过加工

为TX和TXV每MIL- PRF-水平

19500订购HCT7000MTX或

HCT7000MTXV 。典型的筛选和

提供对大量的验收测试

第13-4页。 TX和热力膨胀阀产品

收到一个V

GS

HTRB 24 V时为48小时。

在150

o

C和一个V

DS

HTRB在48 V的

260小时。在150

o

C.

欧思科技公司

1215 W.克罗斯比路

卡罗尔顿，德克萨斯州75006

15-36

(972) 323-2200

传真：（ 972 ） 323-2396

类型HCT7000M ， HCT7000MTX ， HCT7000MTXV

电气特性

(T

A

= 25

o

C除非另有说明）

符号

V

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

G

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

吨（ON）的

参数

漏源电压

栅极阈值电压

栅极泄漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

漏源电压

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

最小值最大值单位

60

.8

3.0

±10

1

75

5

2.5

100

60

25

5

10

10

V

V

nA

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 10

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 1毫安

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±15

V

V

GS

= 0 V, V

DS

= 48 V

V

DS

= 10 V, V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 0.5 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 0.5 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 0.2 A

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V ， F = 1mHz的

A

mA

V

mS

pF

pF

pF

ns

ns

V

DD

= 15 V，I

D

= 0.5 A ，V

根

= 10 V ，R

g

= 25

t

（关闭）

欧思保留对以改进设计和提供最好的产品可能在任何时候更改的权利。

欧思科技公司

1215 W.克罗斯比路

卡罗尔顿，德克萨斯州75006

(972)323-2200

传真(972)323-2396

15-37