HEF4053B
三重单刀双掷模拟开关
启10 - 2011年11月17日
产品数据表
1.概述
该HEF4053B是一个三重单刀双掷（SPDT）模拟开关，适合使用
作为模拟或数字信号多路复用器/多路分用器。每个交换机有一个数字输入选择
（Sn）的，两个独立的输入/输出（ NY0和NY1 ）和一个共同的输入/输出（ NZ） 。所有
三个开关共用一个使能输入（E）。在E A HIGH导致所有交换机到
高阻关断状态，独立的Sn。
V
DD
和V
SS
是电源电压连接的数字控制输入（锡和E）。
在V
DD
到V
SS
范围为3 V至15 V的模拟输入/输出（ NY0 ， NY1和NZ ）可以
V之间摇摆
DD
作为一个积极的极限和V
EE
作为负限。 V
DD
V
EE
不得
超过15五，未使用的输入必须连接到V
DD
, V
SS
或另一个输入。为
操作作为一个数字多路复用器/多路分离器，V
EE
连接到V
SS
（一般
接地）。 V
EE
和V
SS
是电源电压连接的开关。
2.特点和好处科幻TS
全静态操作
5 V ， 10 V和15 V额定参数
标准化对称的输出特性
从指定的
40 C
+125
C
符合JEDEC标准JESD 13 -B
3.应用
模拟多路复用和多路分解
数字复用和去复用
信号门
4.订购信息
表1中。
订购信息
所有类型的操作
40
C至+ 125
C.
类型编号
HEF4053BP
HEF4053BT
HEF4053BTT
包
名字
DIP16
SO16
TSSOP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;体宽4.4毫米
VERSION
SOT38-4
SOT109-1
SOT403-1
恩智浦半导体
HEF4053B
三重单刀双掷模拟开关
NYN
V
DD
V
DD
来自译码器
并启用逻辑
V
EE
nZ
001aae644
图4 。
原理图（ ONE SWITCH ）
6.管脚信息
6.1钢钉
HEF4053B
2Y1
2Y0
3Y1
3Z
3Y0
E
V
EE
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
001aae643
16 V
DD
15 2Z
14 1Z
13 1Y1
12 1Y0
11 S1
10 S2
9
S3
1
2
3
4
5
6
7
8
001aaj899
HEF4053B
2Y1
2Y0
3Y1
3Z
3Y0
E
V
EE
V
SS
16 V
DD
15 2Z
14 1Z
13 1Y1
12 1Y0
11 S1
10 S2
9
S3
图5 。
为SOT38-4 （ DIP16 ）和引脚配置
SOT109-1 （ SO16 ）
图6 。
引脚CON组fi guration为SOT403-1 （ TSSOP16 ）
6.2引脚说明
表2中。
符号
E
V
EE
V
SS
S1, S2, S3
1Y0, 2Y0, 3Y0
1Y1, 2Y1, 3Y1
1Z, 2Z, 3Z
V
DD
引脚说明
针
6
7
8
11, 10, 9
12, 2, 5
13, 1, 3
14, 15, 4
16
描述
使能输入（低电平有效）
电源电压
地面电源电压
选择输入
独立的输入或输出
独立的输入或输出
独立的输出或输入
电源电压
HEF4053B
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HEF4053B
三重单刀双掷模拟开关
7.功能描述
表3中。
输入
E
L
L
H
[1]
功能表
[1]
通道上
Sn
L
H
X
NY0到新西兰
NY1到新西兰
关闭
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考V
SS
= 0V （接地） 。
符号
V
DD
V
EE
I
IK
V
I
I
I / O
I
DD
T
英镑
T
AMB
P
合计
参数
电源电压
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输入/输出电流
电源电流
储存温度
环境温度
总功耗
T
AMB
=
40 C
+125
C
DIP16封装
SO16封装
TSSOP16封装
P
[1]
[2]
条件
参考V
DD
销锡和E ;
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
DD
+ 0.5 V
[1]
民
0.5
18
-
0.5
-
-
65
40
-
-
-
-
最大
+18
+0.5
10
V
DD
+ 0.5
10
50
+150
+125
750
500
500
100
单位
V
V
mA
V
mA
mA
C
C
mW
mW
mW
mW
功耗
每路输出
为了避免绘制V
DD
电流输出端子Z ，当开关电流流入端子Y，横跨双向的电压降的
开关不得超过0.4 V.如果开关电流FL OWS到终端Z，没有V
DD
电流将流出的端子Y，和在此情况下，有
不存在限制开关两端的电压降，但在Y和Z上的电压可能不会超过V
DD
或V
EE
.
对于DIP16封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
C.
对于SO16封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于TSSOP16封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
[2]
9.推荐工作条件
表5 。
符号
V
DD
V
I
T
AMB
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
环境温度
在自由空气
条件
SEE
图7
民
3
0
40
典型值
-
-
-
最大
15
V
DD
+125
单位
V
V
C
HEF4053B
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