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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4030B
门
四倍异或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异或门
描述
该HEF4030B提供了积极的四倍
异或函数。输出是完全缓冲的
高抗噪性和输出的模式不敏感
阻抗。
HEF4030B
门
图2钢钉图。
HEF4030BP （ N） ：
HEF4030BD （F ） ：
HEF4030BT （D）：
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图1的功能框图。
图2的逻辑图（ 1栅极） 。
真值表
I
1
L
H
L
H
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
I
2
L
L
H
H
O
1
L
H
H
L
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异或门
HEF4030B
门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
85
35
30
75
30
25
60
30
20
60
30
20
175
75
55
150
65
50
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
57纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
47纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
符号
典型值。
马克斯。
典型的外推
公式
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1 100 f
i
+ ∑(f
o
CL ）
×
V
DD2
4 900 f
i
+ ∑(f
o
CL ）
×
V
DD2
14 400 f
i
+ ∑(f
o
CL ）
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4030B
门
四倍异或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异或门
描述
该HEF4030B提供了积极的四倍
异或函数。输出是完全缓冲的
高抗噪性和输出的模式不敏感
阻抗。
HEF4030B
门
图2钢钉图。
HEF4030BP （ N） ：
HEF4030BD （F ） ：
HEF4030BT （D）：
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图1的功能框图。
图2的逻辑图（ 1栅极） 。
真值表
I
1
L
H
L
H
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
I
2
L
L
H
H
O
1
L
H
H
L
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异或门
HEF4030B
门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
85
35
30
75
30
25
60
30
20
60
30
20
175
75
55
150
65
50
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
57纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
47纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
符号
典型值。
马克斯。
典型的外推
公式
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1 100 f
i
+ ∑(f
o
CL ）
×
V
DD2
4 900 f
i
+ ∑(f
o
CL ）
×
V
DD2
14 400 f
i
+ ∑(f
o
CL ）
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4030B
门
四倍异或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异或门
描述
该HEF4030B提供了积极的四倍
异或函数。输出是完全缓冲的
高抗噪性和输出的模式不敏感
阻抗。
HEF4030B
门
图2钢钉图。
HEF4030BP （ N） ：
HEF4030BD （F ） ：
HEF4030BT （D）：
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图1的功能框图。
图2的逻辑图（ 1栅极） 。
真值表
I
1
L
H
L
H
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
I
2
L
L
H
H
O
1
L
H
H
L
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异或门
HEF4030B
门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
85
35
30
75
30
25
60
30
20
60
30
20
175
75
55
150
65
50
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
57纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
47纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
符号
典型值。
马克斯。
典型的外推
公式
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1 100 f
i
+ ∑(f
o
CL ）
×
V
DD2
4 900 f
i
+ ∑(f
o
CL ）
×
V
DD2
14 400 f
i
+ ∑(f
o
CL ）
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
WWW.ALLDATASHEET.COM
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HIP6602A
HLMP-1651ODB1
HDSP-B09G-00200
HD6437041ACF
HCTS153KMSR
HDSP-7651-B0000
HFA1115883
HIP6501EVAL1
HDSP-5558-EG000
HDSP-7623-0E400
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    联系人：杨小姐
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    HEF4030BP
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DIP
全新原装正品/质量有保证
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