汕头华汕电子器件有限公司。
HCR1C60
可控硅整流器
█特点
*重复峰值断态电压： 600V
* R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
=1A)
*低导通电压（ 1.2V （典型值） @我
TM
)
General
描述
敏感触发可控硅适合于应用程序，其中
栅极电流的限制，例如小型电动机的控制，栅极驱动器
对于大型可控硅，传感和检测电路。
█
绝对最大额定值
（T
a
=25
℃
½½½½½½ ½½½½½½½½½ ½½½½½½½½½）
T
S T摹
--storage
温度------------------------------------------------- -----
－40~150℃
T
j
■工作
结温------------------------------------------------ --- 125 ℃
V
DRM
--Repetitive
峰值断态电压--------------------------------------------- ----------------------- 600V
I
T
（
RMS
） - R.M.S
通态电流（ 180°
导通角） ------------------------------------------ 1.0A
I
T（ AV ）
- 面积达
通态电流（半正弦波：T已
C
= 45 ° ------------------------------------------0.8A
C)
I
TSM
■浪涌
通态电流（1/2周期， 60Hz的正弦波，不重复） -------------------------
余吨
--Circuit
熔断注意事项（T = 8.3ms的） ------------------------------------------ -----------------
P
GM
--Forward
栅极峰值功率耗散（T
a
=25℃）
-------------------------------------------------
2
10A
0.9A s
0.5W
2
P
G（ AV ）
--Forward
平均门功耗（T
a
=25℃，½＝８．３½½） ---------------------------------0.1W
I
FGM
--Forward
栅极峰值电流----------------------------------------------- ------------------------------- 0.2A
V
RGM
--reverse
峰值栅极电压----------------------------------------------- -------------------------------- 5V
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█
电气特性
（T
a
=25
℃
½½½½½½ ½½½½½½½½½ ½½½½½½½½½）
符号
I
DRM
项
重复峰值断态
当前
峰值通态电压（ 1 ）
门极触发电流（ 2 ）
200
500
V
克叔
门极触发电压（ 2 ）
0.8
1.2
V
GD
I
H
非触发栅极电压
保持电流
2.0
RTH （J -C ）
Rth的第（j-一）
dv / dt的
热阻
热阻
兴起关闭状态的爆击率
电压
200
5.0
10
50
160
0.2
V
1.2
分钟。
典型值。
马克斯。
10
200
1.7
单位
V
AK
=V
DRM
uA
V
uA
条件
T
a
=25
℃
T
a
=125
℃
I
TM
=1A,PEAK
V
AK
= 6V （DC ）中，R
L
= 100欧姆
V
TM
I
GT
T
a
=25
℃
T
a
= -40
℃
V
AK
= 6V （DC ）中，R
L
= 100欧姆
T
a
=25
℃
T
a
= -40
℃
V
V
AK
= 12V ，R
L
= 100欧姆
T
a
=125
℃
I
T=100mA,
门打开，
mA
T
a
=25
℃
T
a
= -40
℃
℃/W
℃/W
V/
s
结到外壳
结到环境
V
D
=V
DRM
67 ％的指数
波形RJK = 1千欧姆TJ = 125
℃
1.正向电流申请1 ms的最长期限，占空比
≤1%.
2. R
GK
当前不包含在测量。
性能
曲线
图1 - 门特点
马克斯。允许外壳温辐射（ °
c)
图2 - 最大CaseTemperture
栅极电压（ V）
栅极电流（毫安）
通态平均电流（mA ）
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