【集成电路数据表对于一个完整的数据资料，也请下载：该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑系列规格】,IC型号HEF40245,HEF40245 PDF资料,HEF40245经销商,ic,电子元器件-51电子网

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF40245B

缓冲器

八路总线收发器具有三态

输出

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

八路总线收发器与3态输出

描述

该HEF40245B是一个八进制总线发送器/接收器

设计为8行异步，双向数据

数据总线之间的通信。它具有输出

与适合于大电流输出能力的阶段

驱动高电容性负载。

的方向输入（DR）的控制，从发送数据的

总线A总线B或总线B总线A，这取决于它的逻辑

的水平。 3态输出的使能控制

输入EO 。关于EO一高，会使输出假设

高阻关断状态。该器件还具有

滞后的所有输入，以提高抗噪声能力。

在输入施密特触发器动作使电路高度

容忍较慢的输入上升和下降时间。

该HEF40245B是引脚和功能兼容

在TTL ' 245 '设备。

钉扎

A

0

到A

7

B

0

到B

7

DR

EO

HEF40245B

缓冲器

数据输入/输出

方向输入

输出使能输入（低电平有效）

HEF40245BP （ N）： 20引脚DIL ;塑料（ SOT146-1 ）

HEF40245BD （ F）：在20引脚DIL ;陶瓷（陶瓷浸渍）（ SOT152 ）

HEF40245BT （D）： 20引线SO ;塑料（ SOT163-1 ）

（）：封装标识北美

Fig.2

逻辑图;对于功能图看

Fig.3.

系列数据，我

DD

极限类缓冲区

见家庭规范。

图1钢钉图。

1995年1月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

八路总线收发器与3态输出

功能表

输入

EO

L

H

笔记

DR

L

H

X

HEF40245B

缓冲器

输入/输出

A

n

A-B

输入

Z

B

n

输入

B-A

Z

1. H =高电平状态（更多的正电压）

L =低电平状态（不积极的电压）

X =状态是无关紧要

Z =高阻关断状态

（1）的P沟道MOS晶体管导通。

（2）的P沟道MOS晶体管和双极型

N-P -N晶体管导通。

图4典型的输出源电流特性。

图3的功能框图。

Fig.5

输出级的示意图。

1995年1月

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

八路总线收发器与3态输出

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

见家庭音响特定的阳离子，除：

直流电流为任何输入

直流源或吸收电流到任何输出

直流电流转换为电源端

DC特性

V

SS

= 0 V

V

DD

V

OH

V

OL

V

符号

T

AMB

(°C)

40

分钟。

输出电流

高

输出电流

高

输出电流

低

迟滞

电压

（任何输入）

三态输入/输出

漏电流

引脚

n

或B

n

记

在关断状态1.相关输出;一

n

在V

SS

或V

DD

; B

n

在V

SS

或V

DD

.

15

I

OZ(1)

1,6

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

V

H

4,6

9,5

13,5

3,6

8,4

13,2

0,4

0,5

1,5

I

OL

I

OH

I

OH

0,75

1,85

14,5

9,3

14,4

19,5

2,9

9,5

30,0

MAX 。 MIN 。

0,6

1,5

15

10

15

20

2,3

7,6

25

+

25

典型值。

1,2

3,0

50

24

46

62

5,4

17

45

220

250

320

马克斯。

±

I

±

I

O

±

I

马克斯。

HEF40245B

缓冲器

10毫安

25毫安

百毫安

+

85

分钟。

0,45

1,1

15,5

10,7

15,0

19,8

1,75

5,50

19,0

马克斯。

mA

mV

12

A

1995年1月

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

八路总线收发器与3态输出

AC特性

V

SS

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

C

L

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

V

DD

V

传播延迟

A

n

→

B

n

前高后低

A

n

→

B

n

从低到高

输出转换

时

前高后低

从低到高

三态传输延迟

输出禁用时间

EO

→

A

n

, B

n

高

5

10

15

5

低

输出使能时间

EO

→

A

n

, B

n

高

5

10

15

5

低

10

15

t

PZL

t

PZH

100

45

35

115

55

45

200

90

70

230

110

90

ns

10

15

t

PLZ

t

PHZ

100

50

40

100

60

50

200

100

80

200

120

100

ns

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

t

TLH

t

THL

t

PLH

t

PHL

95

40

30

85

40

30

40

20

15

30

20

15

190

80

60

170

80

60

80

40

30

60

40

30

ns

见图6

符号

分钟。典型值。马克斯。

HEF40245B

缓冲器

典型的外推

公式

83纳秒

+

（ 0,24 NS / PF ）C

L

35纳秒

+

（ 0,10 NS / PF ）C

L

26纳秒

+

（ 0.07纳秒/ PF ）C

L

82纳秒

+

（ 0,06 NS / PF ）C

L

38纳秒

+

（ 0,03 NS / PF ）C

L

29纳秒

+

（ 0.02纳秒/ PF ）C

L

所有的缓冲区

开关

动态功耗

每消耗

包（P）的

V

DD

V

5

10

15

典型公式P（ μW ）

4 250 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

17 000 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

46 000 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

哪里

f

i

=输入频率。（兆赫）

f

o

=输出频率。（兆赫）

C

L

=负载电容（PF ）

∑

(f

o

C

L

） =产出的总和

V

DD

- 电源电压（ V）

1995年1月

5

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF40245B

缓冲器

八路总线收发器具有三态

输出

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

八路总线收发器与3态输出

描述

该HEF40245B是一个八进制总线发送器/接收器

设计为8行异步，双向数据

数据总线之间的通信。它具有输出

与适合于大电流输出能力的阶段

驱动高电容性负载。

的方向输入（DR）的控制，从发送数据的

总线A总线B或总线B总线A，这取决于它的逻辑

的水平。 3态输出的使能控制

输入EO 。关于EO一高，会使输出假设

高阻关断状态。该器件还具有

滞后的所有输入，以提高抗噪声能力。

在输入施密特触发器动作使电路高度

容忍较慢的输入上升和下降时间。

该HEF40245B是引脚和功能兼容

在TTL ' 245 '设备。

钉扎

A

0

到A

7

B

0

到B

7

DR

EO

HEF40245B

缓冲器

数据输入/输出

方向输入

输出使能输入（低电平有效）

HEF40245BP （ N）： 20引脚DIL ;塑料（ SOT146-1 ）

HEF40245BD （ F）：在20引脚DIL ;陶瓷（陶瓷浸渍）（ SOT152 ）

HEF40245BT （D）： 20引线SO ;塑料（ SOT163-1 ）

（）：封装标识北美

Fig.2

逻辑图;对于功能图看

Fig.3.

系列数据，我

DD

极限类缓冲区

见家庭规范。

图1钢钉图。

1995年1月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

八路总线收发器与3态输出

功能表

输入

EO

L

H

笔记

DR

L

H

X

HEF40245B

缓冲器

输入/输出

A

n

A-B

输入

Z

B

n

输入

B-A

Z

1. H =高电平状态（更多的正电压）

L =低电平状态（不积极的电压）

X =状态是无关紧要

Z =高阻关断状态

（1）的P沟道MOS晶体管导通。

（2）的P沟道MOS晶体管和双极型

N-P -N晶体管导通。

图4典型的输出源电流特性。

图3的功能框图。

Fig.5

输出级的示意图。

1995年1月

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

八路总线收发器与3态输出

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

见家庭音响特定的阳离子，除：

直流电流为任何输入

直流源或吸收电流到任何输出

直流电流转换为电源端

DC特性

V

SS

= 0 V

V

DD

V

OH

V

OL

V

符号

T

AMB

(°C)

40

分钟。

输出电流

高

输出电流

高

输出电流

低

迟滞

电压

（任何输入）

三态输入/输出

漏电流

引脚

n

或B

n

记

在关断状态1.相关输出;一

n

在V

SS

或V

DD

; B

n

在V

SS

或V

DD

.

15

I

OZ(1)

1,6

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

V

H

4,6

9,5

13,5

3,6

8,4

13,2

0,4

0,5

1,5

I

OL

I

OH

I

OH

0,75

1,85

14,5

9,3

14,4

19,5

2,9

9,5

30,0

MAX 。 MIN 。

0,6

1,5

15

10

15

20

2,3

7,6

25

+

25

典型值。

1,2

3,0

50

24

46

62

5,4

17

45

220

250

320

马克斯。

±

I

±

I

O

±

I

马克斯。

HEF40245B

缓冲器

10毫安

25毫安

百毫安

+

85

分钟。

0,45

1,1

15,5

10,7

15,0

19,8

1,75

5,50

19,0

马克斯。

mA

mV

12

A

1995年1月

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

八路总线收发器与3态输出

AC特性

V

SS

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

C

L

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

V

DD

V

传播延迟

A

n

→

B

n

前高后低

A

n

→

B

n

从低到高

输出转换

时

前高后低

从低到高

三态传输延迟

输出禁用时间

EO

→

A

n

, B

n

高

5

10

15

5

低

输出使能时间

EO

→

A

n

, B

n

高

5

10

15

5

低

10

15

t

PZL

t

PZH

100

45

35

115

55

45

200

90

70

230

110

90

ns

10

15

t

PLZ

t

PHZ

100

50

40

100

60

50

200

100

80

200

120

100

ns

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

t

TLH

t

THL

t

PLH

t

PHL

95

40

30

85

40

30

40

20

15

30

20

15

190

80

60

170

80

60

80

40

30

60

40

30

ns

见图6

符号

分钟。典型值。马克斯。

HEF40245B

缓冲器

典型的外推

公式

83纳秒

+

（ 0,24 NS / PF ）C

L

35纳秒

+

（ 0,10 NS / PF ）C

L

26纳秒

+

（ 0.07纳秒/ PF ）C

L

82纳秒

+

（ 0,06 NS / PF ）C

L

38纳秒

+

（ 0,03 NS / PF ）C

L

29纳秒

+

（ 0.02纳秒/ PF ）C

L

所有的缓冲区

开关

动态功耗

每消耗

包（P）的

V

DD

V

5

10

15

典型公式P（ μW ）

4 250 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

17 000 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

46 000 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

哪里

f

i

=输入频率。（兆赫）

f

o

=输出频率。（兆赫）

C

L

=负载电容（PF ）

∑

(f

o

C

L

） =产出的总和

V

DD

- 电源电压（ V）

1995年1月

5