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HYS64/72D16x01/32x00/64x20GU-6/7/8-B
无缓冲DDR- SDRAM我模块
2.5 V 184针无缓冲DDR- SDRAM我模块
128MByte , 256兆字节& 512兆字节模块
PC1600 , PC2100 , PC2700
初步数据表修订0.94
184针无缓冲8字节双列直插式
DDR- SDRAM我非奇偶校验和ECC模块
用于PC和服务器主内存的应用
一个银行16M ×64 , 32M
×
64 , 32M X 72和
两张银行64M ×64 , 64M
×
72组织
JEDEC标准的双倍数据速率
同步DRAM ( DDR -I SDRAM )
单+ 2.5 V (
±
0.2 V )电源
内置有256兆的DDR - SDRAM的我在66-
导致TSOPII封装
可编程CAS延迟,突发长度,
和包裹序列(序列&
交错)
性能:
-6
组件速度等级
模块速度等级
f
CK
f
CK
自动刷新( CBR)和自刷新
所有输入和输出SSTL_2兼容
串行存在检测为E
2
舞会
JEDEC标准MO- 206外形尺寸:
133.35 mm
×
31.75 mm
×
4.00毫米最大。
JEDEC标准参考设计
镀金触点
-7/-7F
PC2100
143
133
-8
PC1600
125
100
单位
DDR333B DDR266A /女DDR200
PC2700
166
133
兆赫
兆赫
时钟频率(最大)@ CL = 2.5
时钟频率(最大)@ CL = 2
该HYS64 / 72D32000GU和HYS64 / 72D64020GU是行业标准的184针8字节双IN-
直插内存模块( DIMM)的组织为32M
×
64和64M
×
64非奇偶校验和32M X 72
和64M X 72 ECC主内存的应用程序。存储器阵列被设计用的256Mbit
双数据速率同步DRAM 。各种去耦电容被安装在PC上
板。该功能的DIMM串行存在检测基于串行é
2
使用2针PROM设备
I
2
C协议。前128字节被编程的配置数据和第二128字节
提供给客户。
在网络连接霓虹灯技术
1
2002-10-24 ( REV 。 0.94 )
HYS64/72D16x01/32x00/64x20GU-6/7/8-B
无缓冲DDR- SDRAM我模块
订购信息
TYPE
PC2700 (CL = 2) :
HYS64D16301GU-6-B
HYS64D32300GU-6-B
HYS72D32300GU-6-B
HYS64D64320GU-6-B
HYS72D64320GU-6-B
PC2100 (CL = 2) :
HYS64D16301GU-7-B
HYS64D32000GU-7-B
HYS72D32000GU-7F-B
HYS72D32000GU-7-B
HYS64D64020GU-7-B
HYS72D64020GU-7F-B
HYS72D64020GU-7-B
PC1600 (CL = 2) :
HYS64D16301GU-8-B
HYS64D32000GU-8-B
HYS72D32000GU-8-B
HYS64D64020GU-8-B
HYS72D64020GU-8-B
注意:
PC2100-20330-C0
PC1600-20220-A1
PC1600-20220-A1
PC1600-20220-B1
PC1600-20220-B1
一家银行128 MB DIMM
一家银行256 MB DIMM
一家银行256 MB ECC -DIMM
两家银行512 MB DIMM
两家银行512 MB ECC -DIMM
256兆
256兆
256兆
256兆
256兆
PC2100-20330-C0
PC2100-20330-A1
PC2100-20220-A1
PC2100-20330-A1
PC2100-20330-B1
PC2100-20220-B1
PC2100-20330-B1
一家银行128 MB DIMM
一家银行256 MB DIMM
一家银行256 MB ECC -DIMM
一家银行256 MB ECC -DIMM
两家银行512 MB DIMM
两家银行512 MB ECC -DIMM
两家银行512 MB ECC -DIMM
256兆
256兆
256兆
256兆
256兆
256兆
256兆
PC2700-20330-C0
PC2700-20330-A0
PC2700-20330-A0
PC2700-20330-B0
PC2700-20330-B0
一家银行128 MB DIMM
一家银行256 MB DIMM
一家银行256 MB ECC -DIMM
两家银行512 MB DIMM
两家银行512 MB ECC -DIMM
256兆
256兆
256兆
256兆
256兆
合规守则
描述
SDRAM
技术
所有的部件号结束与一个地方的代码,指定硅芯片版本。参考信息
可根据要求提供。例如: HYS 72D32000GU -8 -B中,指示Rev.B的模具被用于SDRAM的
组件。
合规守则印在模块标签和描述的速度排序为铁。 “ PC2100 ”,则
潜伏期( FE“ 20330 ”是指CAS延时= 2 , tRCD的延迟= 3和TRP延时= 3)和原卡
用于该模块。
在网络连接霓虹灯技术
2
2002-10-24 ( REV 。 0.94 )
HYS64/72D16x01/32x00/64x20GU-6/7/8-B
无缓冲DDR- SDRAM我模块
引脚定义和功能
A0 - A12
BA0 , BA1
DQ0 - DQ63
CB0 - CB7
RAS
CAS
WE
CKE0 - CKE1
DQS0 - DQS8
CLK0 - CLK2 ,
CLK0 - CLK2
DM0 - DM8
DQS9 - DQS17
地址输入
银行选择
数据输入/输出
校验位( X72组织只)
行地址选通
列地址选通
读/写输入
时钟使能
SDRAM的低数据选通信号
SDRAM的时钟(正线)
SDRAM的时钟(负线)
SDRAM的低数据掩码/
高数据选通信号
S0, S1
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
DDID
V
REF
V
DDSPD
SCL
SDA
SA0 - SA2
NC
芯片选择
电源( + 2.5V)
I / O驱动器电源
VDD评判识别标志
I / O基准源
串行EEPROM电源
串行总线时钟
串行总线的数据线
从地址选择
无连接
注意: S1和CKE1上只有两行模块中使用
地址格式
密度
256 MB
256 MB
512 MB
512 MB
组织
32M ×64
32M X 72
64M
×
64
64M
×
72
内存
银行
1
1
2
2
SDRAM的
32M ×8
32M ×8
32M ×8
32M ×8
排名第
SDRAM的
8
9
16
18
#行/银行/
比特列
13/2/10
13/2/10
13/2/10
13/2/10
刷新
8k
8k
8k
8k
64毫秒
64毫秒
64毫秒
64毫秒
间隔
7.8
s
7.8
s
7.8
s
7.8
s
在网络连接霓虹灯技术
3
2002-10-24 ( REV 。 0.94 )
HYS64/72D16x01/32x00/64x20GU-6/7/8-B
无缓冲DDR- SDRAM我模块
引脚配置
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
正面
符号
VREF
DQ0
VSS
DQ1
DQS0
DQ2
VDD
DQ3
NC
NC
VSS
DQ8
DQ9
DQS1
VDDQ
CLK1
CLK1
VSS
DQ10
DQ11
CKE0
VDDQ
DQ16
DQ17
DQS2
VSS
A9
DQ18
A7
VDDQ
DQ19
A5
DQ24
VSS
DQ25
DQS3
A4
VDD
DQ26
DQ27
A2
VSS
A1
NC / CB0
NC / CB1
VDD
NC / DQS8
正面
针#
符号
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
A0
NC / CB2
VSS
NC / CB3
BA1
关键
DQ32
VDDQ
DQ33
DQS4
DQ34
VSS
BA0
DQ35
DQ40
VDDQ
WE
DQ41
CAS
VSS
DQS5
DQ42
DQ43
VDD
NC
DQ48
DQ49
VSS
CLK2
CLK2
VDDQ
DQS6
DQ50
DQ51
VSS
VDDID
DQ56
DQ57
VDD
DQS7
DQ58
DQ59
VSS
NC
SDA
SCL
背面
针#
符号
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
VSS
DQ4
DQ5
VDDQ
DM0/DQS9
DQ6
DQ7
VSS
NC
NC
NC
VDDQ
DQ12
DQ13
DM1/DQS10
VDD
DQ14
DQ15
CKE1
VDDQ
NC ( BA2 )
DQ20
NC / A12
VSS
DQ21
A11
DM2/DQS11
VDD
DQ22
A8
DQ23
VSS
A6
DQ28
DQ29
VDDQ
DM3/DQS12
A3
DQ30
VSS
DQ31
NC / CB4
NC / CB5
VDDQ
CK0
CK0
VSS
背面
针#
符号
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
NC / DM8 / DQS17
A10
NC / CB6
VDDQ
NC / CB7
关键
VSS
DQ36
DQ37
VDD
DM4/DQS13
DQ38
DQ39
VSS
DQ44
RAS
DQ45
VDDQ
S0
S1
DM5/DQS14
VSS
DQ46
DQ47
NC
VDDQ
DQ52
DQ53
NC ( A13 )
VDD
DM6/DQS15
DQ54
DQ55
VDDQ
NC
DQ60
DQ61
VSS
DM7/DQS16
DQ62
DQ63
VDDQ
SA0
SA1
SA2
VDDSPD
注:引脚44 , 45 , 47 , 49 , 51 , 134 , 135 , 140和144 NC ( “不 - 连接” )在x64组织的非ECC
模块。
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2002-10-24 ( REV 。 0.94 )
HYS64/72D16x01/32x00/64x20GU-6/7/8-B
无缓冲DDR- SDRAM我模块
CS 0
CS
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
DM5
D0
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
CS
D2
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
CS
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
CS
D1
D3
除非另有说明,电阻值为22欧姆为+/- 5%的容差
串行存在检测( SPD )
BA0-BA1
A0-AN
RAS
CAS
WE
CKE0
CKE1
SDRAM的D0 -D3
SDRAM的D0 -D3
SDRAM的D0 -D3
SDRAM的D0 -D3
SDRAM的D0 -D3
SDRAM的D0 -D3
北卡罗来纳州
CK0
CK 0
V
DD
SPD
V
REF
V
DD
V
SS
V
DD
ID
SPD
SDRAM的D0 -D3
CK1
CK 1
注意: DQ的布线可以不同于所描述
在该图中;然而, DQ / DM / DQS
关系得以维持,如图所示。
V
DD
ID腕带连接:
表带出来(开) : V
DD
= V
DD
Q
2载荷
SCL
SA0
SA1
SA2
A0
A1
A2
WP
SDA
2载荷
SDRAM的D0 -D3
V
DD
和V
DD
Q
SDRAM的D0 - D3 , SPD
框图:一是银行16M ×64 DDR- SDRAM我DIMM模块
使用HYS64D32001GU X16组织的SDRAM
在网络连接霓虹灯技术
5
2002-10-24 ( REV 。 0.94 )
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    HYS72D64020GU-8-A
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HYS72D64020GU-8-A
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