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集成电路

数据表

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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4000B

门

双3输入NOR门和反相器

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双3输入NOR门和反相器

描述

该HEF4000B提供了积极的双3输入或非

功能。与标准的单级反相功能

输出性能，也可实现。的输出是

完全缓冲的最高抗噪性和图案

不敏感的输出阻抗。

HEF4000B

门

图2钢钉图。

HEF4000BP （ N）：

HEF4000BD （F ）：

HEF4000BT （D）：

14引脚DIL ;塑料

(SOT27-1)

14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT73)

14引脚SO ;塑料

(SOT108-1)

图1的功能框图。

（）：封装标识北美

系列数据，我

极限类GATES

见家庭音响特定阳离子

图3的逻辑图。

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双3输入NOR门和反相器

DC特性

对于单级逆变器（我

看到家庭的规格输入电压高，低（无缓冲阶段只）。

AC特性

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

传播延迟

到我

→

（输出缓冲）

输出转换时间

前高后低

从低到高

TLH

THL

PHL

; t

PLH

PHL

; t

PLH

符号

典型值。

马克斯。

140

120

HEF4000B

门

典型的外推

公式

43纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

24纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

22纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

18纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

14纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

12纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

10纳秒

（ 1,0 NS / PF ）C

9 NS

（ 0.42纳秒/ PF ）C

6纳秒

（ 0.28纳秒/ PF ）C

10纳秒

（ 1,0 NS / PF ）C

9 NS

（ 0.42纳秒/ PF ）C

6纳秒

（ 0.28纳秒/ PF ）C

动态功耗

每消耗

包（P）的

典型公式P（ μW ）

1 000 f

+ ∑

)

DD2

7 700 f

+ ∑

)

DD2

28 700 f

+ ∑

)

DD2

哪里

=输入频率。（兆赫）

=输出频率。（兆赫）

=负载电容（PF ）

∑

） =产出的总和

- 电源电压（ V）

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双3输入NOR门和反相器

应用信息

下面的信息（图4至图7）只对单个

倒相级（我

HEF4000B

门

Fig.4

电压增益（V

）作为电源的功能

电压。

Fig.5

电源电流与电源的功能

电压。

这也是一个模拟放大器的使用的例子

单个逆变器级（我

）的HEF4000B的。

Fig.6

测试设置用于测量图4图

5 。

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双3输入NOR门和反相器

HEF4000B

门

图7测试设置用于测量正向跨克

/ DV

在V

是恒定的（另见图表8所示）。

答：平均

B：平均+ 2秒，

C：平均

2秒，在“S”是观测的标准偏差。

图8典型正向跨导克

随着电源电压的在T的函数

AMB

= 25

°C.

1995年1月

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