HD74HCT1G00
二输入NAND门
REJ03D0191–0500Z
（上ADE - 205-301C （ Z） ）
Rev.5.00
Jan.28.2004
描述
该HD74HCT1G00是高速CMOS 2输入与非门采用硅栅CMOS工艺。同
CMOS的低功耗，它提供了相当于LS -TTL系列高速。的内部电路
三个阶段的建设与缓冲器可提供广泛的噪声容限和稳定的输出。
特点
基本门功能一字排开，为瑞萨单向逻辑系列。
提供的浮雕录音的高速自动安装。
TTL兼容的输入电平。
电源电压范围： 4.5 5.5 V
工作温度范围： -40 + 85°C
|I
OH
| = I
OL
= 2 MA（分钟）
订购信息
部件名称
套餐类型
封装代码
CMPAK-5V
包
缩写
CM
大坪缩写
（数量）
E（ 3000个/卷）
HD74HCT1G00CME CMPAK - 5针
Rev.5.00 ， Jan.28.2004 ，页7 1
HD74HCT1G00
大纲和指示条
HD74HCT1G00
指数波段
记号
F
1
CMPAK–5
=控制代码
功能表
输入
A
L
L
H
H
H：高层
L：低电平
B
L
H
L
H
输出y
H
H
H
L
管脚配置
IN B
1
5
V
CC
IN A
2
GND
3
4
输出Y
（ TOP VIEW ）
Rev.5.00 ， Jan.28.2004 ， 7个2页
HD74HCT1G00
绝对最大额定值
项
电源电压范围
输入电压范围
*1
输出电压范围
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
*1, 2
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
评级
-0.5 7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±20
±20
±25
±25
200
-65到150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
测试条件
输出： H或L
V
I
＆ LT ; 0或V
I
＆ GT ; V
CC
V
O
＆ LT ; 0或V
O
＆ GT ; V
CC
V
O
= 0至V
CC
连续电流通过I
CC
还是我
GND
V
CC
或GND
最大功率耗散P
T
*3
在TA = 25 ° C（在静止空气中）
储存温度
注意事项：
TSTG
绝对最大额定值是价值观，它不能单独被超过，而且
此外，任何两个，其中可以同时实现。
1.输入和输出电压的评分可以在输入和输出钳位电流超过
评级观察。
2.该值被限制为5.5 V，最大。
3.最大包装功耗，使用150 ℃的结温进行计算。
推荐工作条件
项
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
输出电流
输入的上升/下降时间
（ 0.3 V至2.7 V ）
工作温度
符号
V
CC
V
I
V
O
I
OL
I
OH
t
r
, t
f
Ta
民
4.5
0
0
—
—
0
–40
最大
5.5
5.5
V
CC
2
–2
500
85
ns
°C
单位
V
V
V
mA
V
CC
= 4.5 5.5 V
V
CC
= 4.5 5.5 V
V
CC
= 4.5 5.5 V
测试条件
注：未使用的或浮动的输入必须保持为高或低。
Rev.5.00 ， Jan.28.2004 ， 7 3页
HD74HCT1G00
电气特性
V
CC
项
输入电压
符号（ V）
V
IH
V
IL
输出电压V
OH
V
OL
输入电流
操作
当前
静
电源电流
I
IN
I
CC
I
CCT
T
a
= 25°C
民
典型值
—
—
4.5
4.31
0.0
0.17
—
—
—
最大
—
0.8
—
—
0.1
0.26
±0.1
1.0
2.0
T
a
= -40 85 ℃下
民
2.0
—
4.4
4.13
—
—
—
—
—
最大
—
0.8
—
—
0.1
0.33
±1.0
10.0
2.9
单位测试条件
V
4.5 2.0
5.5
4.5 -
5.5
4.5
4.5
4.5
4.5
5.5
5.5
5.5
4.4
4.18
—
—
—
—
—
V
V
IN
=
I
OH
= –20
A
I
OL
= 20
A
I
OL
= 2毫安
V
IH
或V
IL
I
OH
= -2毫安
A
A
mA
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
或GND
一个输入V
IN
= 2.4 V,
其他输入V
CC
或GND
Rev.5.00 ， Jan.28.2004 ， 7第4页
HD74HCT1G00
开关特性
TA = 25°C
项
输出上升/下降时间
传播延迟时间
符号最小值
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
—
—
—
典型值
5
6.9
9.8
最大
10
12
17
单位
ns
ns
测试条件
测试电路
测试电路
(C
L
= 15 pF的，T
r
= t
f
= 6纳秒，V
CC
= 5 V)
V
CC
项
输出上升/下降时间
传播延迟时间
输入电容
等效电容
符号（ V）
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
C
IN
C
PD
4.5
4.5
4.5
—
—
TA = 25°C
民
—
—
—
—
—
典型值
14
10.5
16.0
2.5
10
最大
25
16
27
5
—
TA = -40 85°C
民
—
—
—
—
—
最大
31
20
31
5
—
单位测试条件
ns
ns
pF
pF
测试电路
测试电路
(C
L
= 50 pF的，T
r
= t
f
= 6纳秒）
注：C
PD
是从没有负载的工作电流计算出的集成电路的内部等效电容（见
测试电路） 。无负载的平均工作电流是根据下式计算
下文。
I
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
Rev.5.00 ， Jan.28.2004 ， 7 5页
HD74HCT1G00
二输入NAND门
ADE - 205-301B （ Z）
3 。版
2001年4月
描述
该HD74HCT1G00是高速CMOS 2输入与非门采用硅栅CMOS工艺。同
CMOS的低功耗，它提供了相当于LS -TTL系列高速。的内部电路
三个阶段的建设与缓冲器可提供广泛的噪声容限和稳定的输出。
特点
基本门功能一字排开，日立单向逻辑系列。
提供的浮雕录音高速自动安装。
TTL兼容的输入电平。
电源电压范围： 4.5 5.5 V
工作温度范围： -40 + 85°C
|I
OH
| = I
OL
= 2 MA（分钟）
大纲和指示条
HD74HCT1G00
指数波段
记号
F
1
CMPAK–5
=控制代码
(
或空白）
HD74HCT1G00
绝对最大额定值
项
电源电压范围
输入电压范围
*1
*1, 2
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
评级
-0.5 7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±20
±20
±25
±25
200
-65到150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
测试条件
输出电压范围
输入钳位电流
输出钳位电流
输出： H或L
V
I
＆ LT ; 0或V
I
＆ GT ; V
CC
V
O
＆ LT ; 0或V
O
＆ GT ; V
CC
V
O
= 0至V
CC
连续输出电流
连续电流通过I
CC
还是我
GND
V
CC
或GND
最大功率耗散P
T
在TA = 25 ° C（在静止空气中）
*3
储存温度
注意事项：
TSTG
绝对最大额定值是一定不能单独超标值，
此外，任何两个，其中可以同时实现。
1.输入和输出电压的评分可以在输入和输出钳位电流超过
评级观察。
2.该值被限制为5.5 V，最大。
3.最大封装功耗使用的结温caluculated
150°C.
推荐工作条件
项
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
输出电流
符号
V
CC
V
I
V
O
I
OL
I
OH
输入的上升/下降时间
（ 0.3 V至2.7 V ）
工作温度
t
r
, t
f
Ta
民
4.5
0
0
—
—
0
–40
最大
5.5
5.5
V
CC
2
–2
500
85
ns
°C
单位
V
V
V
mA
V
CC
= 4.5 5.5 V
V
CC
= 4.5 5.5 V
V
CC
= 4.5 5.5 V
测试条件
注：未使用的或浮动的输入必须保持为高或低。
3
HD74HCT1G00
开关特性
项
符号为T
a
= 25°C
民
输出上升/下降时间
传播延迟时间
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
(C
L
= 15 pF的，T
r
= t
f
= 6纳秒，V
CC
= 5 V)
项
符号
V
CC
输出上升/下降时间
传播延迟时间
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
输入电容
等效电容
C
IN
C
PD
4.5
4.5
4.5
—
—
T
a
= 25°C
民
—
—
—
—
—
典型值
14
10.5
16.0
2.5
10
最大
25
16
27
5
—
T
a
= -40 85 ℃下
单位测试条件
单位
典型值
5
6.9
9.8
最大
10
12
17
ns
ns
测试条件
—
—
—
测试电路
测试电路
民
—
—
—
—
—
最大
31
20
31
5
—
pF
pF
ns
ns
测试电路
测试电路
(C
L
= 50 pF的，T
r
= t
f
= 6纳秒）
注：C
PD
是从没有负载的工作电流计算出的集成电路的内部等效电容（见
测试电路） 。无负载的平均工作电流是根据下式计算
下文。
I
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
5
QQ：2880707522 复制
