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HCS160MS
1995年9月
抗辐射
BCD十年同步计数器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16 ,铅涂层
顶视图
MR 1
CP 2
P0 3
P1 4
P2 5
P3 6
PE 7
GND 8
16 VCC
15 TC
14 Q0
13 Q1
12 Q2
11 Q3
10 TE
9 SPE
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效的让任何冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/位天
(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转: >10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出: 10输入通道负载
- 总线驱动器输出: 15输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
-VIL = VCC最高的30 %
VCC敏-VIH = 70 %
输入电流水平㈡
5μA @ VOL , VOH
描述
Intersil的HCS160MS是一种抗辐射的高速
可预置BCD十年同步计数器,其特点是
异步复位和先行进位逻辑。计数,
并行预置与所述的低同步完成
时钟到高的转变。在同步低水平
平行使能输入, SPE ,禁止计数,并允许数据在
预置输入, P0 - P3时,被加载到计数器。该
计数器在主复位输入,MR复位由低。两个计数
使得,提供了用于n位级联的PE和TE 。 TE还
控制终端计数输出, TC 。终端计数输出
表示最大计数一个时钟脉冲,并用于
使下一阶段的级联数。
该HCS160MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS160MS采用16引线陶瓷FL atpack (K SUF网络X)提供
或SBDIP封装(D SUF网络X )。
MR
CP
P0
P1
P2
P3
PE
GND
16引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F16 ,铅涂层
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
TC
Q0
Q1
Q2
Q3
TE
SPE
订购信息
产品型号
HCS160DMSR
HCS160KMSR
HCS160D/Sample
HCS160K/Sample
HCS160HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
DB NA
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
183
518834
2296.2
HCS160MS
功能框图
P0
3
P1
4
P2
5
P3
6
SPE
MR
Q3 Q0 Q3 Q0
CP
MR
D0
T0
Q0
CP Q0
P
MR
D1
T1
CP
Q1
P
MR
D2
T2
CP
Q2
P
MR
D3
T3
Q3
CP Q0
P
Q3 Q3
Q2 Q3 Q0 Q1
Q1
Q0 Q2 Q0 Q3
PE
TE
GND
8
VCC
16
Q0
14
TC
15
Q1
13
Q0
12
Q1
11
真值表
输入
经营模式
复位(清)
并行加载
MR
L
H
H
抑制
H
H
H
H =高电压等级
L =低电压等级
H =高压一级建立时间之前低到高时钟转换
L =低电压一级建立时间之前低到高时钟转换
X =非物质
Q =小写letterindicate引用输出之前低到高时钟过渡状态
=低到高的时钟跳变
注意事项:
1. TC输出为高电平时的TE为高电平,且计数器在终端计数( HHHH为161和华丽联合为160)
2.应该只出现PE或TE对74161分之54和七万四千一百六十○分之五十四高至低跳变,而CP是高的常规操作
3.只应出现SPE对74161分之54和七万四千一百六十零分之五十四低到高的转变,而CP是高常规操作
X
X
CP
X
PE
X
X
X
h
L(注2 )
X
TE
X
X
X
h
X
L(注2 )
SPE
X
l
l
H(注3 )
H(注3 )
H(注3 )
Pn
X
l
h
X
X
X
输出
Qn
L
L
H
qn
qn
TC
L
L
(注1 )
(注1 )
(注1 )
L
规格编号
184
518834
特定网络阳离子HCS160MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间在4.5V VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 .100ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 % VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC - 0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
注意事项:
FN
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
VIL = 1.35V , (注2 )
7,图8A ,8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
185
518834
特定网络阳离子HCS160MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
CP为TC
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
TE为TC
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
先生QN ,先生TC
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
27
33
24
29
19
23
32
39
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
CP到Qn
符号
的TPH1 ,
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
输入电容
CIN
VCC =开, F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
TTHL
tTLH
VCC = 4.5V
1
1
最大工作
频率
FMAX
VCC = 4.5V
1
1
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
30
20
最大
38
63
10
10
15
22
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
兆赫
兆赫
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K极限
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.75
-
单位
mA
mA
规格编号
186
518834
特定网络阳离子HCS160MS
表4.直流POST辐射的电气性能特性(续)
200K极限
参数
输出电流
(来源)
输出电压低
符号
IOH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
VIL = 1.35V , (注3 )
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
-4.0
最大
-
单位
mA
VOL
+25
o
C
-
-0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
-
V
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
CP到Qn
IIN
FN
+25
o
C
+25
o
C
±5
-
A
-
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1
+25
o
C
2
29
ns
CP为TC
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
33
ns
TE为TC
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
23
ns
先生QN ,先生TC
注意事项:
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
39
ns
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
规格编号
187
518834
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    HCS160K
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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