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HCS157MS
1995年9月
抗辐射
四2输入多路复用器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16 ,铅涂层
顶视图
S 1
1I0 2
1I1 3
1Y 4
2I0 5
16 VCC
15 E
14 4I0
13 4I1
12 4Y
11 3I0
10 3I1
9 3Y
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/位天
(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) /秒, 20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
军用温度范围:-55
o
C
to
+125
o
C
2I1 6
2Y 7
GND 8
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = VCC最大值的30%
- VCC敏VIH = 70 %
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
描述
Intersil的HCS157MS是抗辐射四2输入
这两个来源选择在四比特的数据多路复用器
一个共同的选择输入(S )的控制。使能输入(E
不)是低电平有效。当使能引脚为高电平时所有的输出
( 1Y - 4Y )被迫低而与所有其他输入条件。
移动从两组寄存器的数据,四种常见的输出
总线是一种常见的这些装置的使用。选择的状态
输入确定从该数据来源于该特定寄存器。
它们也可以用作函数发生器。
该HCS157MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。此设备是辐射中的一员
化硬化,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS157MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
S
1I0
1I1
1Y
2I0
2I1
2Y
GND
16引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F16 ,铅涂层
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
E
4I0
4I1
4Y
3I0
3I1
3Y
订购信息
产品型号
HCS157DMSR
HCS157KMSR
HCS157D/Sample
HCS157K/Sample
HCS157HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
DB NA
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
173
518833
3561.1
HCS157MS
功能框图
S
1
E
15
4I1
13
12
14
10
11
6
5
3
2
3电路相同的电路
在上面虚线轮廓
7
4
2Y
1Y
9
3Y
4Y
4I0
3I1
3I0
2I1
2I0
1I1
1I0
真值表
SELECT
输入
S
X
L
L
H
H
I0
X
L
H
X
X
启用
E
H
L
L
L
L
H =高电平
L =低电平
X =非物质
数据输入
I1
X
X
X
L
H
产量
Y
L
L
H
L
H
规格编号
174
518833
特定网络阳离子HCS157MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间在4.5V VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 .100ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC到VCC的70 %
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V到VCC的30%
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V ,
(注2 )
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC - 0.4V ,
VIL = 0V , (注2 )
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
7.2
6.0
-7.2
-6.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
电源电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电流
(来源)
IOH
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
注意事项:
FN
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
VIL = 1.35V , (注3 )
7,图8A ,8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.力/测量功能可以互换。
3.对于功能测试,VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
175
518833
特定网络阳离子HCS157MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
传播延迟
使能到输出
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
传播延迟
选择输出
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
26
30
20
24
22
25
22
25
31
37
25
29
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
数据输出
符号
的TPH1
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , VIH = 5.0V ,
VIL = 0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , VIH = 5.0V ,
VIL = 0V , F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
TTHL ,
tTLH
VCC = 4.5V VIH = 4.5V ,
VIL = 0V
1
1
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
最大
68
84
10
10
15
22
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
规格编号
176
518833
特定网络阳离子HCS157MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
电源电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15 ,
VIL = 1.35V , IOL = 50μA
VCC = 5.5V , VIH = 3.85 ,
VIL = 1.65V , IOL = 50μA
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15 ,
VIL = 1.35V , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIH = 3.85 ,
VIL = 1.65V , IOH = -50μA
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
传播延迟
数据输出
IIN
FN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V , VIL = 1.35V ,
(注3)
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
6.0
最大
0.75
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-6.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
+25
o
C
-
0.1
V
+25
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
V
+25
o
C
-
V
+25
o
C
+25
o
C
±5
-
A
-
的TPH1
TPLH
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
2
2
2
2
2
2
30
24
25
25
37
29
ns
ns
ns
ns
ns
ns
传播延迟
使能到输出
的TPH1
TPLH
传播延迟
选择输出
的TPH1
TPLH
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
参数
ICC
IOL / IOH
B组
小组
5
5
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
规格编号
177
518833
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCS157DMSR
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
7954
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