【HAT2240C硅N沟道MOS FET电源开关REJ03G1241-0400Rev.4.002006】,IC型号HAT2240C-EL-E,HAT2240C-EL-E PDF资料,HAT2240C-EL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2240C

硅N沟道MOS FET

电源开关

REJ03G1241-0400

Rev.4.00

2006年4月5日

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 75毫欧（典型值）。（在V

= 4.5 V)

低驱动电流

高密度安装

2.5 V门极驱动器

概要

瑞萨封装代码： PWSF0006JA -A

（包名称： CMFPAK - 6 ）

Indexband

2 3 4 5

DDD D

1.源

2.漏

3.排水

4.漏

5.排水

6.门

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

符号

漏源极电压

DSS

栅极至源极电压

GSS

漏电流

Note1

漏电流峰值

D（脉冲）

体 - 漏二极管的反向漏电流

散热通道

PCH

Note2

通道温度

总胆固醇

储存温度

TSTG

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）

评级

±12

2.5

900

150

-55到+150

单位

°C

Rev.4.00 2006年4月5日第1页6

HAT2240C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

漏极至源极漏电流

门源截止电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

身体 - 漏极二极管的正向电压

注： 3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

| YFS |

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

民

±12

—

0.4

—

3.3

—

典型值

—

590

1.2

1.4

0.8

最大

—

±10

1.4

119

—

1.1

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±10

V, V

= 0

= 60 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 1.3 A，V

= 4.5 V

Note3

= 1.3 A，V

= 2.5 V

Note3

= 1.3 A，V

= 10 V

Note3

= 10 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

= 1.3 A

= 4.5 V, V

= 10 V

= 7.7

RG = 4.7

= 10 V, V

= 4.5 V

= 2.5 A

= 2.5 A，V

= 0

Note3

Rev.4.00 2006年4月5日第2 6

HAT2240C

主要特点

功率与温度降额

1.6

测试条件。

当使用玻璃环氧基板。

（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）

100

最高安全工作区

当使用FR4板。

1次脉冲， TA = 25℃

功耗P沟道（W ）

1.2

漏电流I

(A)

0.8

0.1

0.4

0.01

在这一领域是

限于由R

DS （ ON）

100

150

200

0.001

0.01

0.1

100

环境

温度Ta （ ° C）

漏源电压V

(V)

典型的输出特性

2.2 V

2.5 V

10 V

脉冲测试

2.1 V

1.9 V

1.8 V

1.7 V

1.6 V

1.5 V

= 0 V

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

–25°C

25°C

TC = 75℃

漏极至源极电压V

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

（毫伏）

400

脉冲测试

300

栅极至源极电压V

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

1000

脉冲测试

2.5 V

100

= 4.5 V

200

= 2.5 A

100

1.3 A

0.5 A

0.1

100

栅极至源极电压V

(V)

漏电流I

(A)

Rev.4.00 2006年4月5日第3页6

HAT2240C

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳主场迎战

漏电流

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(m)

正向转移导纳| YFS | （ S）

200

100

160

0.5 A, 1.3 A, 2.5 A

120

= 2.5 V

4.5 V

脉冲测试

–25

100 125

150

= 0.5 A, 1.3 A, 2.5 A

TC = -25°C

25°C

75°C

0.1

= 10 V

脉冲测试

0.3

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

动态输入特性

典型的电容比。

漏源极电压

漏极至源极电压V

(V)

= 2.5 A

= 50 V

25 V

10 V

栅极至源极电压V

(V)

10000

3000

1000

西塞

300

100

科斯

CRSS

= 0

F = 1 MHz的

= 50 V

25 V

10 V

栅极电荷Qg （ NC ）

电容C （PF ）

漏极至源极电压V

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

开关特性

1000

= 4.5 V, V

= 10 V

= 4.7

TA = 25°C

100

TD （关闭）

TD （上）

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

4.5 V

2.5 V

= 0 V

开关时间t（ NS ）

0.8

1.0

0.2

0.4

0.6

0.1

0.3

源极到漏极电压V

(V)

漏电流I

(A)

Rev.4.00 2006年4月5日第4 6

HAT2240C

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

4.7

VIN

4.5 V

= 10 V

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

10%

波形

90%

TD （上）

90%

TD （关闭）

Rev.4.00 2006年4月5日第5 6

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