HMC756
v01.0709
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放， 16 - 24 GHz的
典型应用
该hmC756是理想的：
点至点收音机
特点
饱和输出功率： +33 dBm的@ 28 ％的PAE
高输出IP3 ： +41 dBm的
高增益： 23分贝
DC电源： + 7V @ 790毫安
DC封锁RF输入/输出
无需外部匹配
芯片尺寸： 2.4 ×1.6× 0.1毫米
3
线性&功率放大器 - CHIP
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
军事&空间
工作原理图
概述
该hmC756是一个三阶段的GaAs PHEMT MMIC
1瓦放大器16之间运行
和24千兆赫。该hmC756提供增益23分贝，
和+33 dBm的饱和输出功率的28％ PAE
由+ 7V电源。该RF I / O是DC阻塞，
匹配到50欧姆，易于集成到
多芯片模块（ MCMS） 。所有数据是用
经由0.025连接在一个50欧姆的测试夹具的芯片
毫米（ 1密耳）的长度0.31毫米直径的引线键合
（12密耳）。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD = VDD1 ， VDD2 = = + 7V ，国际长途= 790毫安
[1]
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取
总电源电流（ IDD ）
[1 ]调整VGG -2之间为0V ，实现电流IDD = 790毫安典型。
[2] + 7V采取@ 790毫安，引脚/音= +17 dBm测量
(IP3)
[2]
29
19
分钟。
典型值。
16 - 20
22
0.026
16
18
31
33
41
790
30
20
马克斯。
分钟。
典型值。
20 - 24
23
0.03
15
16
32
33
40
790
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
3 - 126
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC756
v01.0709
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放， 16 - 24 GHz的
宽带增益&
回波损耗与频率的关系
30
20
响应（ dB）的
10
0
-10
-20
-30
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
24
26
28
增益与温度
30
28
26
增益（dB ）
+25C
+85C
-55C
S21
S11
S22
24
22
3
线性&功率放大器 - CHIP
3 - 127
20
18
16
14
14
16
18
20
22
24
26
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-55C
输出回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-55C
-4
回波损耗（分贝）
-5
回波损耗（分贝）
20
22
24
26
-8
-10
-12
-15
-16
-20
-20
14
16
18
频率（GHz ）
-25
14
16
18
20
22
24
26
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
36
+25C
+85C
-55C
PSAT与温度的关系
37
34
P1dB的（ DBM）
35
PSAT （ DBM）
32
33
30
31
+25C
+85C
-55C
28
29
26
16
18
20
频率（GHz ）
22
24
27
16
18
20
频率（GHz ）
22
24
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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v01.0709
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放， 16 - 24 GHz的
P1dB为与电流
36
PSAT与电流
37
34
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
720mA
790mA
840mA
35
3
线性&功率放大器 - CHIP
32
33
30
31
720mA
790mA
840mA
28
29
26
16
18
20
频率（GHz ）
22
24
27
16
18
20
频率（GHz ）
22
24
输出IP3主场迎战
温度，噘/音= +17 dBm的
47
输出IP3主场迎战
电源电流，噘/音= +17 dBm的
47
42
IP3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
42
37
37
720mA
790mA
840mA
32
+25C
+85C
-55C
32
27
16
18
20
频率（GHz ）
22
24
27
16
18
20
频率（GHz ）
22
24
输出IP3主场迎战
电源电压，噘/音= +17 dBm的
47
输出IM3
80
70
42
IP3 （ dBm的）
IM3 （ DBC）
60
50
40
30
16GHz
18GHz
20GHz
22GHz
24GHz
37
6.5V
7.0V
7.5V
32
20
10
27
16
18
20
频率（GHz ）
22
24
0
10
12
14
16
18
20
22
24
26
噘嘴/ TONE （ DBM）
3 - 128
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v01.0709
砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放， 16 - 24 GHz的
功率压缩@ 20 GHz的
35
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
30
25
20
15
10
5
0
-15
噘
收益
PAE
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
-10
-20
-30
-40
-50
-60
+25C
+85C
-55C
3
线性&功率放大器 - CHIP
3 - 129
-10
-5
0
5
10
15
14
16
18
20
22
24
26
输入功率（dBm ）
频率（GHz ）
获得&功率与
电源电流@ 20 GHz的
40
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
获得&功率与
电源电压@ 20 GHz的
40
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
35
35
30
增益（ dB）的
P1dB(dBm)
PSAT （ DBM）
30
增益（dB ）
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
25
25
20
20
15
720
740
760
780
IDD （VDC ）
800
820
840
15
5.5
6
6.5
VDD （VDC ）
7
7.5
功耗
6
功耗（ W）
5.5
5
16GHz
18GHz
20GHz
22GHz
24GHz
4.5
4
-15
-12
-9
-6
-3
0
3
6
9
12
15
输入功率（dBm ）
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砷化镓pHEMT的MMIC 1瓦
功放， 16 - 24 GHz的
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VD ）
RF输入功率（ RFIN ）
+7V
+26 dBm的
150 °C
5.6 W
11.7 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+6.5
+7.0
+7.5
IDD （MA ）
757
790
832
3
线性&功率放大器 - CHIP
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免86 MW / ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
注：功率放大器ER将工作在显示全电压范围
上述VGG调整，以达到电流IDD = 790毫安在+ 7V
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
标准
GP - 2 （胶装）
[1]
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的焊盘是0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
8.全面DIE SIZE ± 0.002
3 - 130
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