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HAT2192WP
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
特点
低导通电阻
低驱动电流
高密度安装
REJ03G0533-0200
Rev.2.00
2009年10月9日
概要
瑞萨封装代码: PWSN0008DA -A
(包名称: WPAK )
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
G
4 3 2 1
1, 2, 3
来源
4
5,6, 7,8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
μs,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C,总胆固醇
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)注1
I
DR
I
DR (脉冲)注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
250
±30
10
20
10
20
5
1.5
25
5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
REJ03G0533-0200 Rev.2.00 2009年10月9日
第1页6
HAT2192WP
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注: 4.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| YFS |
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
TRR
250
3.0
5
典型值
8
0.2
710
110
8
26
18
54
8
15
4
6
0.85
110
最大
1
±0.1
4.5
0.23
1.4
单位
V
μA
μA
V
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 5 A,V
DS
= 10 V
Note4
I
D
= 5 A,V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 25
Ω
RG = 10
Ω
V
DD
= 200 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
I
F
= 10 A,V
GS
= 0
Note4
I
F
= 10 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
REJ03G0533-0200 Rev.2.00 2009年10月9日
第2 6
HAT2192WP
主要特点
最大
安全
手术
区域
100
10
典型的输出特性
10
V
10
6
V
6.2
V
7.5
V
电流I
D
(A)
=
电流I
D
(A)
10
PW
μ
s
TA =
25°C
脉冲
TEST
8
10
0
5.7
V
1
操作
区域
受限制
R
DS ( ON)
μ
s
6
0.1
4
5.4
V
0.01
TA =
25°C
1
镜头
1
10
100
1000
2
V
GS
=
5.1
V
0.001
0.1
0
0
2
4
6
8
10
漏极至源极
电压V
DS
(V)
漏极至源极
电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
当前
(典型值)
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
1
典型的传输特性
15
V
DS
=
10
V
脉冲
TEST
电流I
D
(A)
10
TC =
75°C
5
25°C
0.1
25°C
0
0
2
4
6
8
10
0.01
1
V
GS
=
10
V
TA =
25°C
脉冲
TEST
10
100
门源
电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
(典型值)
1.0
脉冲
TEST
V
GS
=
10
V
10000
电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
典型的电容比。
漏极至源极
电压
TA =
25°C
电容C
(PF )
0.8
1000
西塞
0.6
I
D
=
10 A
100
科斯
0.4
0.2
5A
10
V
GS
=
0
f =
1
兆赫
CRSS
0
-25
1
0
25
50
75
100 125 150
0
50
100
150
壳温度
(°C)
漏极至源极
电压V
DS
(V)
REJ03G0533-0200 Rev.2.00 2009年10月9日
第3页6
HAT2192WP
反向漏
电流 -
源极到漏极
电压
(典型值)
门源
电压V
GS
(V)
20
动态输入
特征
(典型值)
漏极至源极
电压V
DS
(V)
400
反向漏
当前
I
DR
(A)
I
D
= 10 A
TA = 25
°C
V
DD
= 200
V
100
V
50
V
16
V
GS
12
300
V
DS
16
V
GS
= 0
V
TA = 25
°C
脉冲测试
12
200
8
8
4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
100
V
DD
= 200
V
100
V
50
V
4
8
12
16
4
0
0
0
20
收费
QG ( NC )
源极到漏极
电压V
SD
(V)
门源
截止电压V
GS ( OFF )
(V)
门源
截止电压
与案例
温度(典型值)
5
V
DS
= 10
V
4
I
D
= 10毫安
1毫安
0.1毫安
3
2
1
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
温度
TC ( ℃)
REJ03G0533-0200 Rev.2.00 2009年10月9日
第4 6
HAT2192WP
归瞬态热阻抗
脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
s
(t)
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C ( T) =
γ
s
(t)
θ
CH - C
θ
CH - C = 5 ° C / W ,TC = 25°C
PDM
0.03
0.02
1
0.0
D=
PW
T
PW
T
0.01
10
μ
h
o
1
s
u
t
p
l
s
e
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试
电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10
V
V
DD
= 125
V
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
10%
10%
波形
90%
10%
90%
TD (上)
90%
TD (关闭)
t
f
tr
REJ03G0533-0200 Rev.2.00 2009年10月9日
分页: 5 6
HAT2192WP
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G0533-0100
Rev.1.00
Feb.23.2005
特点
低导通电阻
低驱动电流
高密度安装
概要
瑞萨封装代码: PWSN0008DA -A
(包名称: WPAK )
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
G
1, 2, 3
来源
4
5,6, 7,8排水
4 3 2 1
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C,总胆固醇
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)注1
I
DR
I
DR (脉冲)注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
250
±30
10
20
10
20
5
1.5
25
5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
Rev.1.00 , Feb.23.2005 ,第1页3
HAT2192WP
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注: 4.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| YFS |
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
TRR
250
3.0
5
典型值
8
0.2
710
110
8
26
18
54
8
15
4
6
0.85
110
最大
1
±0.1
4.5
0.23
1.4
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 5 A,V
DS
= 10 V
Note4
I
D
= 5 A,V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 25
RG = 10
V
DD
= 200 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
I
F
= 10 A,V
GS
= 0
Note4
I
F
= 10 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
Rev.1.00 , Feb.23.2005 , 3个2页
HAT2192WP
包装尺寸
JEITA封装代码
瑞萨代码
PWSN0008DA-A
包名称
WPAK
质量[典型值]
0.085g
单位:mm
0.5 ± 0.15
4.21Typ
1.27Typ
5.1 ± 0.2
0.8Max
3.9 ± 0.2
6.1
5.9
0.04Min
0.7Typ
0.635Max
1.27Typ
0.2Typ
0.5 ± 0.15
3.8 ± 0.2
+0.1
-0.3
+0.1
-0.2
0.4 ± 0.06
0.05Max
0Min
对峙
4.9 ± 0.1
(镍/钯/镀金)
订购信息
部件名称
HAT2192WP-EL-E
QUANTITY
2500件
TAPING
中海集装箱
注:对于某些牌号,产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处,检查状态
订购产品之前生产。
Rev.1.00 , Feb.23.2005 ,第3第3页
销售战略规划事业部。
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有限公司
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后记3.2.0
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    HAT2192WP
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23919407
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HAT2192WP
RENESAS
17+
4550
QFN8
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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HAT2192WP
RENESAS/瑞萨
2443+
23000
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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HAT2192WP
RENESAS/瑞萨
21+
16750
QFN8
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HAT2192WP
RENESAS/瑞萨
20+
26000
DFN56
全新原装 货期两周
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RENESAS
20+
3968
QFN8
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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