【HAT2092R硅N沟道功率MOS FET高速电源开关REJ03G0511-0300（上ADE - 】,IC型号HAT2092R,HAT2092R PDF资料,HAT2092R经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2092R

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

REJ03G0511-0300

（上ADE - 208-1236A （ Z））

Rev.3.00

Jan.13.2005

特点

低导通电阻

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

概要

SOP-8

7 6

7 8

D D

5 6

D D

1 2

1, 3

来源

2, 4

门

5，6， 7，8排水

MOS1

MOS2

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

符号

DSS

GSS

D(pulse)Note1

PCH

Note2

PCH

Note3

评级

±20

单位

°C

通道温度

总胆固醇

150

储存温度

TSTG

-55到+150

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

1 %

2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW

≤

10s

3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW

≤

10s

Rev.3.00 2005年1月13日第1页7

HAT2092R

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

±20

—

1.0

—

典型值

—

1400

340

190

0.85

最大

—

±10

2.5

—

1.10

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±16

V, V

= 0

= 30 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 5.5 A，V

= 10 V

Note4

= 5.5 A，V

= 4.5 V

Note4

= 5.5 A，V

= 10 V

Note4

= 10V

= 0

F = 1MHz的

= 10 V

= 11 A

= 10 A，I

= 5.5 A

10 V

= 1.83

= 4.7

IF = 11A ，V

= 0

Note4

IF = 11A ，V

= 0

DIF / DT = 50A / μs的

Rev.3.00 2005年1月13日第2 7

HAT2092R

主要特点

功率与温度降额

4.0

P沟（W）的

(A)

最高安全工作区

500

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

3.0

100

散热通道

漏电流

ERA

2.0

TIO

＆ LT ; 1

OTE

)

香港专业教育学院

1.0

香港专业教育学院

操作

这个区域是

0.1限制由R

DS （ ON）

TA = 25°C

1次脉冲

TIO

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

0.01

0.1 0.3

100

漏极至源极电压V

(V)

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

典型的输出特性

10 V

4.5 V

(A)

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

(A)

漏电流

脉冲测试

3.5 V

漏电流

TC = 75℃

25°C

-25°C

= 3 V

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

(V)

0.20

脉冲测试

0.16

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

DS （ ON）

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

100

脉冲测试

0.1 0.2 0.5 1 2

5 10 20

漏电流I

(A)

= 4.5 V

10 V

漏源极电压

0.12

= 10 A

0.08

0.04

栅极至源极电压

(V)

50 100

Rev.3.00 2005年1月13日第3页7

HAT2092R

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

脉冲测试

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(m)

100

0.3

0.1

= 10 V

脉冲测试

0.3

100

25°C

TC = -25°C

= 4.5 V

= 2 A, 5 A

75°C

10 A

10 V

-40

2 A, 5 A, 10 A

120

160

壳温度（ ° C）

体漏二极管的反向

恢复时间

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

3000

1000

300

100

= 0

F = 1 MHz的

科斯

CRSS

西塞

100

反向恢复时间trr （ NS ）

的di / dt = 50A / μs的

= 0 ， TA = 25℃

5 10 20

(A)

0.1 0.2

0.5 1

反向漏电流

电容C （PF ）

漏极至源极电压V

(V)

开关特性

200

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

= 11 A

100

开关时间t（ NS ）

TD （关闭）

= 10 V, V

= 10 V

RG = 4.7

值班< 1 ％

0.5 1

5 10

漏电流I

(A)

TD （上）

= 25 V

10 V 8

= 25 V

10 V

栅极电荷Qg （ NC ）

栅极至源极电压

0.1 0.2

Rev.3.00 2005年1月13日第4 7

HAT2092R

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

(A)

10 V

= 0

脉冲测试

0.4

0.8

1.2

源极到漏极电压

1.6

2.0

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 1驱动器操作）

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

D=1

0.1

0.05

0.02

0.01

LS ê

沟道 - F（T） =

秒（吨）×

CH - F

CH - F = 125°C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

PDM

0.001

0.0001

100

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

100

1000

10000

归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 2驱动器操作）

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

沟道 - F（T） =

秒（吨）×

CH - F

CH - F = 166 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

PDM

0.001

0.0001

100

10 m

100 m

100

1000

10000

脉冲宽度PW （S ）

Rev.3.00 2005年1月13日第5页7

HAT2092R

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-1236A （ Z）

第2位。版

2001年1月

特点

低导通电阻

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

概要

SOP-8

7 6

1 2

7 8

D D

5 6

D D

1, 3

来源

2, 4

门

5，6， 7，8排水

MOS1

MOS2

HAT2092R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

符号

DSS

GSS

D(pulse)Note1

PCH

Note2

PCH

Note3

总胆固醇

TSTG

评级

±20

150

-55到+150

单位

°C

体漏二极管的反向漏电流I

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

HAT2092R

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

民

± 20

—

1.0

—

典型值

—

1400

340

190

0.85

最大

—

±10

2.5

—

1.10

—

单位

测试条件

= 10毫安，V

= 0

= ±100

= 0

= ±16V, V

= 0

= 30 V, V

= 0

= 10V ，我

= 1毫安

= 5.5A ，V

= 10V

Note4

= 5.5A ，V

= 4.5V

Note4

= 5.5A ，V

= 10V

Note4

= 10V

= 0

F = 1MHz的

= 10 V

= 11 A

= 10A ，我

= 5.5A

10V

= 1.83

= 4.7

IF = 11A ，V

= 0

Note4

IF = 11A ，V

= 0

DIF / DT = 50A / μs的

零门voltege漏电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管

reverserecovery时间

注意：

4.脉冲测试

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

HAT2092R

包装尺寸

至于， 2001年1月

单位：mm

4.90

5.3最大

3.95

*0.22

0.03

0.20

0.03

1.75最大

0.75最大

6.10

– 0.30

+ 0.10

1.08

0° – 8°

+ 0.11

0.14

– 0.04

1.27

*0.42

0.08

0.40

0.06

+ 0.67

0.60

– 0.20

0.15

0.25

*尺寸包括电镀厚度

基材尺寸

日立代码

JEDEC

EIAJ

质谱（参考值）

FP-8DA

符合

—

0.085 g

HAT2092R

注意事项

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本文档中包含的信息，版权，商标或其他知识产权。

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收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。

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使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处

质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险

人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，

交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。

4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用特别

对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装

条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时

超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期

失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -

保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它

间接损失是由于日立产品的操作。

5，本产品不设计成抗辐射。

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书面批准日立。

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产品。

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海港城，广东道

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D- 85622克恩，慕尼黑

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版权

后记2.0