HAT2050T
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关
REJ03G1171-0300
（上一个： ADE- 208-660A ）
Rev.3.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
瑞萨封装代码： PTSP0008JB -A
（包名称： TSSOP - 8 <TTP - 8D> ）
1
D
8
D
87
65
12
34
4
G
5
G
1, 8
2, 3, 6, 7
4, 5
S S
6 7
MOS2
漏
来源
门
S S
2 3
MOS1
Rev.3.00 2005年9月7日第1页7
HAT2050T
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
100
±20
1
4
1
1.0
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
PCH
注3
PCH
总胆固醇
TSTG
注2
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
100
±20
—
—
1.3
—
—
0.7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.56
0.72
1.1
90
42
20
11
24
14
11
0.84
85
最大
—
—
±10
1
2.3
0.75
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
1.1
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 1 A，V
GS
= 0
I
F
= 1 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 20 A / μs的
注4
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 0.5 A ，V
GS
= 10 V
注4
I
D
= 0.5 A ，V
GS
= 4 V
I
D
= 0.5 A ，V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= 4 V，I
D
= 0.5 A,
V
DD
10 V
注4
注4
Rev.3.00 2005年9月7日第2 7
HAT2050T
反向漏电流 -
源极到漏极电压
5
反向漏电流I
DR
(A)
4
3
2
5V
V
GS
=
0
1
脉冲测试
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 1驱动器操作）
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
1s
ho
u
tp
0.01
LSE
θch
- F（T） =
γ
S（ T）
θch
– f
θch
- F = 166 ° C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
P
DM
PW
T
D=
PW
T
0.001
0.0001
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 2驱动器操作）
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
1
D=1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
ho
1s
u
tp
LSE
θch
- F（T） =
γ
S（ T）
θch
– f
θch
- F = 210 ° C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
P
DM
PW
T
D=
PW
T
0.001
0.0001
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
Rev.3.00 2005年9月7日第5 7
HAT2050T
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
PCH
Note2
PCH
Note3
总胆固醇
TSTG
评级
100
±
20
1
4
1
1.0
1.5
150
- 55至+ 150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
1. PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW≤ 10秒
3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW≤ 10秒
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
100
±
20
—
—
1.3
—
—
0.7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.56
0.72
1.1
90
42
20
11
24
14
11
0.84
85
最大
—
—
±
10
1
2.3
0.75
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
1.1
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 1 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 1 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 20 A / μs的
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±
100
A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±
16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 0.5 A ，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 0.5 A ，V
GS
= 4 V
Note4
I
D
= 0.5 A ，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
GS
= 4 V，I
D
= 0.5 A
V
DD
10 V
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
HAT2050T
主要特点
功率与温度降额
测试条件：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米） ， PW < 10秒
最高安全工作区
10
s
10
0
2.0
P沟（W）的
10
3
I
D
(A)
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1.5
DC
Op
e
PW
1
s
m
散热通道
漏电流
ra
ti
=
s
on
10
1.0
1
Dr
(P
m
s
0.5
香港专业教育学院
2
香港专业教育学院
Dr
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
W
N
＆ LT ;
OTE
10
5
s)
Op
er
at
er
Op
离子
io
at
n
0
50
100
150
的Ta （℃）
200
TA = 25°C
0.003 1次脉冲
1驱动器操作
0.001
3
1
10
0.2
漏源极电压
30
100 200
环境温度
V
DS
(V)
注5：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
5
典型的输出特性
脉冲测试
5
典型的传输特性
I
D
(A)
5V
3
6V
4.0 V
(A)
4
10V
8V
4
–25°C
3
25°C
TC = 75℃
漏电流
2
3.0 V
1
V
GS
= 2.5 V
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
漏电流
I
D
2
1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
2
4
6
栅极至源极电压
8
V
GS
(V)
10
3
QQ：2880707522 复制
