HY514400B
1Mx4 ，快速页模式
描述
这家是4M位动态RAM举办1,048,576 ×4位的配置与扩展数据输出模式CMOS
DRAM的。扩展数据输出模式是一种页面模式是用于读操作是有用的。该电路和工艺
设计允许该器件实现了高性能和低功耗。可选功能包括访问的时间（ 50 ， 60
或为70ns ）和封装类型（ SOJ或TSOP -II ）和功耗（正常或低功耗与自刷新） 。现代的
先进的电路设计和工艺技术允许该设备以实现高带宽，低功耗和
高可靠性。
特点
快速页模式操作
读 - 修改 - 写功能
TTL兼容的输入和输出
/ CAS先接后/ RAS ， / RAS -只，隐藏和
自刷新功能
马克斯。有源功率耗散
速度
50
60
70
刷新周期
产品型号
HY514400B
刷新
1K
正常
16ms
SL-部分
128ms
动力
550mW
495mW
440mW
JEDEC标准引脚
二十六分之二十零针SOJ （ 300MIL ）
二十六分之二十零针TSOP -II （ 300MIL ）
5V的单电源供电
±
10%
早期写或输出使能控制的写
快速的访问时间和周期时间
速度
50
60
70
TRAC
50ns
60ns
70ns
大隘社
15ns
15ns
20ns
TPC
35ns
40ns
45ns
订购信息
部件名称
HY514400BJ
HY514400BLJ
HY514400BSLJ
HY514400BT
HY514400BLT
HY514400BSLT
* SL ：低功耗与自刷新
刷新
1K
1K
1K
1K
1K
1K
动力
包
20 / 26PIN SOJ
L-部分
SL-部分
20 / 26PIN SOJ
20 / 26PIN SOJ
20 / 26PIN TSOP -II
L-部分
SL-部分
20 / 26PIN TSOP -II
20 / 26PIN TSOP -II
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担使用任何责任
电路描述。没有专利许可
韩国现代半导体公司
Rev.00 / Sep.97
1
HY514400B
引脚配置
（标记侧）
DQ0
DQ1
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
26
25
24
23
22
V
SS
DQ3
DQ2
CAS
OE
DQ0
DQ1
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
26
25
24
23
22
V
SS
DQ3
DQ2
CAS
OE
A0
A1
A2
A3
VCC
9
10
11
12
13
18
17
16
15
14
A8
A7
A6
A5
A4
A0
A1
A2
A3
VCC
9
10
11
12
13
18
17
16
15
14
A8
A7
A6
A5
A4
20/26引脚塑料SOJ （ 300MIL ）
20/26引脚塑料TSOP- II （ 300MIL ）
引脚说明
引脚名称
/ RAS
/ CAS
/ WE
/ OE
A0~A9
DQ0~DQ3
VCC
VSS
参数
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
IN / OUT数据
电源（5V）
地
1Mx4 ， FP DRAM
1版/ Jan.97
3
HY514400B
绝对最大额定值
符号
T
A
T
英镑
V
IN，
V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
T
SOLDER
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
焊接温度
时间
等级
0到70
-55到150
-1.0 7.0
-1.0 7.0
50
0.9
260
10
单位
°C
°C
V
V
mA
W
°C
美国证券交易委员会
记
：操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ℃至70 ℃）下
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
民
4.5
2.4
-1.0
典型值
5.0
-
-
最大
5.5
V
CC+
1.0
0.8
单位
V
V
V
记
：所有电压参考V
SS
.
直流工作特性
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
（任何输入）
输出漏电流
（任何输入）
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
SS
≤
V
IN
≤
V
CC +
1.0
所有其它引脚没有测试
=
V
SS
V
SS
≤
V
OUT
≤
V
CC
/ RAS和放大器; / CAS在V
IH
I
OL
= 4.2毫安
I
OH
= -5.0mA
民
-10
-10
-
2.4
最大
10
10
0.4
-
单位
A
A
V
V
V
OL
V
OH
1Mx4 ， FP DRAM
1版/ Jan.97
4
HY514400B
DC特性
(T
A
= 0℃至70℃ ，V
CC
= 5V
±
10%,
V
SS
= 0V时，除非另有说明。 ）
符号
I
CC1
参数
工作电流
测试条件
/ RAS ， / CAS自行车
t
RC =
t
RC （分钟）
/ RAS ， / CAS
≥
V
IH（分钟）
其他投入
≥
V
SS
50
60
70
50
60
70
速度
50
60
70
马克斯。
100
90
80
2
单位
mA
I
CC2
TTL待机
当前
mA
I
CC3
/ RAS只刷新
当前
/ RAS骑自行车， / CAS
=
V
IH
t
RC =
t
RC （分钟）
100
90
80
70
60
50
1
200
100
90
80
mA
I
CC4
快页模式电流
/ CAS骑自行车， / RAS
=
V
IL
t
HPC =
t
HPC （分钟）
/ RAS
=
/ CAS
≥
V
CC -
0.2V
/ RAS和放大器; / CAS = 0.2V
t
RC =
t
RC （分钟）
tRC=125s
/ CAS
=
CBR骑自行车或0.2V
/ OE和放大器; / WE
=
V
CC -
0.2V
地址
=
VCC- 0.2V或0.2V
DQ0~DQ3
=
VCC- 0.2 ， 0.2V或打开
/ RAS和放大器; / CAS
=
0.2V
其他引脚相同，因为我
CC7
mA
mA
A
mA
I
CC5
CMOS待机
当前
/ CAS先接后/ RAS
刷新当前
备用电池
电流（ SL-部分）
SL-部分
50
60
70
I
CC6
I
CC7
300
A
I
CC8
自刷新电流
（ SL -部分）
200
A
记
1. I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
取决于输出负载和循环率（T
RC
和T
PC
).
2.指定的值与输出空载获得。
3. I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
, I
CC3
, I
CC6
，地址只能更改一次，而/ RAS = V
IL
。在我
CC4
,
地址可以被改变最多一次，而/ CAS = V
IH
在一个周期内时间t
PC
.
4.只有tRAS的（最大） = 1μs的时间被加到刷新备用电池，但tRAS的（最大） = 10μs的被施加到正常功能
操作。
5. ICC5 （最大） ， Icc7和Icc8仅被施加到SL-一部分。
1Mx4 ， FP DRAM
1版/ Jan.97
5
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