【HAT2028R ， HAT2028RJ硅N沟道功率MOS FET高速电源开关REJ03G1163-】,IC型号HAT2028RJ,HAT2028RJ PDF资料,HAT2028RJ经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2028R ， HAT2028RJ

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

REJ03G1163-0500

（上一个： ADE- 208-524C ）

Rev.5.00

2005年9月7日

特点

对于汽车上的应用（在类型代码“J” ）

低导通电阻

能够4 V栅极驱动

高密度安装

概要

瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D

（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）

7 8

D D

5 6

D D

65

87

12

34

2

G

4

G

1, 3

2, 4

5, 6, 7, 8

来源

门

漏

S1

MOS1

S3

MOS2

Rev.5.00 2005年9月7日第1页7

HAT2028R ， HAT2028RJ

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注：1 。

2.

3.

4.

HAT2028R

HAT2028RJ

HAT2028R

HAT2028RJ

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

I

AP

E

AR

注1

价值

60

±20

4

32

4

—

4

—

1.37

2

3

150

-55到+150

单位

V

A

—

A

—

mJ

W

°C

注4

PCH

注3

PCH

总胆固醇

TSTG

注2

PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

在总胆固醇值= 25 ° C， RG

≥

50

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅压漏

当前

零栅压漏

当前

HAT2028R

HAT2028RJ

HAT2028R

HAT2028RJ

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

I

DSS

I

DSS

I

DSS

V

GS （关闭）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

60

±20

—

1.3

—

3.3

—

典型值

—

0.08

0.12

5

280

150

55

15

100

35

45

0.88

40

最大

—

±10

1

0.1

—

10

2.3

0.1

0.16

—

1.15

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0

V

DS

= 48 V, V

GS

= 0

TA = 125°C

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

注5

I

D

= 2 A，V

GS

= 10 V

I

D

= 2 A，V

GS

= 4 V

注5

I

D

= 2 A，V

DS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

GS

= 4 V，I

D

= 2 A,

V

DD

30 V

注5

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

5.脉冲测试

I

F

= 4 A，V

GS

= 0

I

F

= 4 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 50 A / μs的

注5

Rev.5.00 2005年9月7日第2 7

HAT2028R ， HAT2028RJ

主要特点

功率与温度降额

4.0

100

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

10

s

最高安全工作区

P沟（W）的

30

I

D

(A)

3.0

10

3

1

0.3

0.1

0.03

DC

PW

10

0

散热通道

漏电流

Op

=

1m

s

2.0

1

Dr

香港专业教育学院

er

10

s

2

Dr

at

1.0

Op

er

at

io

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

TA = 25°C

1次脉冲

1驱动器操作

0.3

1

3

离子

ms

香港专业教育学院

er

Op

io

at

n

(P

W

≤

1

No

te

0

6

s)

n

0

50

100

150

200

0.01

0.1

10

30

100

环境温度

的Ta （℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

注6 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

典型的输出特性

20

10 V

8V

6V

脉冲测试

20

典型的传输特性

(A)

5V

4.5 V

–25°C

16

25°C

12

TC = 75℃

16

I

D

12

4V

8

3.5 V

3V

V

GS

= 2.5 V

0

2

4

6

8

10

漏电流

I

D

8

4

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0

2

4

6

8

10

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

0.4

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

1

脉冲测试

0.5

漏源极电压

0.3

0.2

0.1

0.05

V

GS

= 4 V

0.2

I

D

= 2 A

1A

0.5 A

0

2

4

6

8

10

10 V

0.1

0.02

0.01

0.1

0

0.2

0.5

1

2

5

10

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

Rev.5.00 2005年9月7日第3页7

HAT2028R ， HAT2028RJ

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.25

脉冲测试

0.20

I

D

= 0.5 A, 1 A, 2 A

0.15

V

GS

= 4 V

0.10

0.5 A, 1 A, 2 A

0.05

10 V

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

20

10

5

75°C

TC = -25°C

25°C

2

1

0.5

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.2

0.5

1

2

5

10

20

0

–40

0

40

80

120

160

外壳温度

Tc

(°C)

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

500

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

西塞

200

100

50

CRSS

20

10

科斯

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

500

100

50

20

10

5

0.1

的di / dt = 50A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.2

0.5

1

2

5

10

电容C （PF ）

200

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

I

D

= 4 A

16

开关特性

V

GS

(V)

20

1000

300

100

30

10

3

1

0.1

tr

tf

TD （关闭）

TD （上）

100

80

漏源极电压

60

V

DS

40

V

DD

= 10 V

25 V

50 V

V

GS

12

8

20

0

2

4

V

DD

= 50 V

25 V

10 V

6

8

10

4

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

0

V

GS

= 4 V, V

DD

= 30 V

PW = 3

s,

税

≤

1 %

0.2

0.5

1

2

5

10

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

I

D

(A)

Rev.5.00 2005年9月7日第4 7

HAT2028R ， HAT2028RJ

反向漏电流 -

源极到漏极电压

20

重复性雪崩能量ê

AR

（兆焦耳）

最大雪崩能量 -

通道温度降额

2.5

I

AP

= 4 A

V

DD

= 25 V

L = 100

H

值班< 0.1 ％

Rg

≥

50

反向漏电流I

DR

(A)

16

V

GS

= 5 V

12

0, –5 V

2.0

1.5

8

1.0

4

脉冲测试

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.5

0

25

50

75

100

125

150

源极到漏极电压

V

SD

(V)

沟道温度Tch （ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 1驱动器操作）

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

10

1

D=1

0.5

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

θch

- F（T） =

γ

S（ T）

θch

– f

θch

- F = 125°C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

0.01

0.001

1s

t

ho

ls

pu

e

P

DM

PW

T

1m

10 m

100 m

1

10

100

D=

PW

T

0.0001

10

100

1000

10000

脉冲宽度PW （S ）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 2驱动器操作）

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

10

1

D=1

0.5

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

θch

- F（T） =

γ

S（ T）

θch

– f

θch

- F = 166 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

0.01

0.001

h

1s

ot

p

e

ULS

P

DM

PW

T

1m

10 m

100 m

1

10

100

D=

PW

T

0.0001

10

100

1000

10000

脉冲宽度PW （S ）

Rev.5.00 2005年9月7日第5 7

HAT2028R/HAT2028RJ

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-524C （ Z）

4 。版

1999年2月

特点

对于汽车上的应用（在类型代码“J” ）

低导通电阻

能够4 V栅极驱动

高密度安装

概要

SOP–8

8

5

7 6

3

1 2

7 8

D D

5 6

D D

4

2

G

4

G

S1

S3

1, 3

来源

2, 4

门

5，6， 7，8排水

MOS1

MOS2

HAT2028R/HAT2028RJ

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

HAT2028R

HAT2028RJ

雪崩能量

HAT2028R

HAT2028RJ

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1.

2.

3.

4.

PCH

Note2

PCH

Note3

总胆固醇

TSTG

E

AR注4

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

I

注4 AP

评级

60

±

20

4

32

4

—

4

—

1.37

2

3

150

- 55至+ 150

单位

V

A

—

A

—

mJ

W

°C

PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

在总胆固醇值= 25 ° C， Rg≥50Ω

2

HAT2028R/HAT2028RJ

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏极至源极breakdownvoltage

门源breakdownvoltage

门源漏电流

零栅极电压

漏电流

零栅极电压

漏电流

HAT2028R

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

民

60

±

20

—

1.3

—

3.3

—

典型值

—

0.08

0.12

5

280

150

55

15

100

35

45

0.88

40

最大

—

±

10

1

0.1

—

10

2.3

0.1

0.16

—

1.15

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

IF = 4 A，V

GS

= 0

Note5

IF = 4 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 50 A / μs的

V

DS

= 48 V, V

GS

= 0

TA = 125°C

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 2 A，V

GS

= 10 V

Note5

I

D

= 2 A，V

GS

= 4 V

Note5

I

D

= 2 A，V

DS

= 10 V

Note5

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

GS

= 4 V，I

D

= 2 A

V

DD

30 V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±

100

A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±

16 V, V

DS

= 0

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0

HAT2028RJ我

DSS

HAT2028R

I

DSS

HAT2028RJ我

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管forwardvoltage

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

5.脉冲测试

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

3

HAT2028R/HAT2028RJ

主要特点

功率与温度降额

4.0

P沟（W）的

I

D

(A)

100

30

10

3

最高安全工作区

10 s

10

0

s

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

3.0

散热通道

漏电流

DC

PW

1m

=

s

2.0

1

0.3

0.1

Op

e

10

ra

1.0

Dr

香港专业教育学院

Op

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

TIO

n

ms

2

香港专业教育学院

Dr

er

at

离子

(P

W

离子

at

er

Op

N

＆ LT ;

OTE

10

6

s)

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

TA = 25°C

0.03 1次脉冲

1驱动器操作

0.01

0.1 0.3

1

3

10

30

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

注6 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

20

典型的输出特性

10V 8 V

6V

5V

4.5 V

4V

3.5 V

3V

脉冲测试

V

GS

= 2.5 V

(A)

典型的传输特性

20

–25°C

TC = 75℃

12

25°C

I

D

(A)

16

12

漏电流

8

漏电流

I

D

8

4

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

2

4

6

栅极至源极电压

8

V

GS

(V)

10

4

HAT2028R/HAT2028RJ

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

1

脉冲测试

0.5

0.2

V

GS

= 4 V

0.1

10 V

脉冲测试

0.4

0.3

0.2

I

D

=2A

1A

0.5 A

0.1

0

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

0.5

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

0.05

0.02

0.01

0.1

2

4

6

栅极至源极电压

8

V

GS

(V)

10

0.2

0.5

1

漏电流

2

5

I

D

(A)

10

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.25

脉冲测试

0.20

I

D

= 0.5, 1, 2 A

正向转移导纳主场迎战

漏电流

20

10

5

25 °C

TC = -25°C

0.15

V

GS

= 4 V

0.5, 1, 2 A

10 V

2

1

0.5

0.2

75 °C

0.10

0.05

0

–40

V

DS

= 10 V

脉冲测试

1

0.5

2

5

10

漏电流I

D

(A)

20

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

5