【HAF2007 （L） HAF2007 （S）硅N沟道MOS场效应管系列电源开关REJ03G1137】,IC型号HAF2007-90STL,HAF2007-90STL PDF资料,HAF2007-90STL经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAF2007 （L） HAF2007 （S）

硅N沟道MOS场效应管系列

电源开关

REJ03G1137-0400

（上一个： ADE- 208-706B ）

Rev.4.00

2005年9月7日

描述

此FET具有在整个温度范围内关断功能感测到的结温。

此FET具有内置的过温停机电路中的栅极区。与该电路操作以关断

在壳体的高结温的栅极电压一样施加过度的功耗，过电流等。

特点

逻辑电平操作（ 4 6 V闸驱动器）

对到短路的高续航能力

内置的过温关断电路

锁存型关机操作（需要0电压恢复）

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -B

（包名称： DPAK （ L） - （ 2 ））

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C

（包名称： DPAK （ S））

1.门

2.漏

3.源

4.漏

2, 4

Tempe-

叉涂抹

传感

电路

栅极电阻

LATCH

电路

门

关断模式

下

电路

Rev.4.00 2005年9月7日第1页8

HAF2007 （L） HAF2007 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.价值在Tc = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

注1

价值

–2.5

150

-55到+150

单位

°C

注2

PCH

总胆固醇

TSTG

典型的运行特性

项

输入电压

输入电流

（栅非关闭）

输入电流

（门关闭）

关机温度

门工作电压

符号

IH1

IH2

IH （ SD） 1

IH （ SD） 2

TSD

民

3.5

—

3.5

典型值

—

0.8

0.35

175

—

最大

—

1.2

100

—

单位

°C

测试条件

VI = 8 V ，V

= 0

VI = 3.5 V ，V

= 0

VI = 1.2 V ，V

= 0

VI = 8 V ，V

= 0

VI = 3.5 V ，V

= 0

通道温度

Rev.4.00 2005年9月7日第2页8

HAF2007 （L） HAF2007 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏电流

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS1

GSS2

GSS3

GSS4

输入电流（关闭）

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

正向转移导纳

静态漏极至源极通态电阻

输出电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

过载停机操作时间

Note4

民

—

–2.5

—

1.0

—

典型值

—

0.8

0.35

—

7.5

270

2.8

12.4

0.9

140

1.1

0.57

最大

—

100

–100

—

2.25

—

120

—

单位

测试条件

= 3.5 V, V

= 2 V

= 1.2 V, V

= 2 V

= 10 mA时， V

= 0

= 300

= 0

= –100

= 0

= 8 V, V

= 0

= 3.5 V, V

= 0

= 1.2 V, V

= 0

= –2.4 V, V

= 0

= 8 V, V

= 0

= 3.5 V, V

= 0

= 60 V, V

= 0

= 1毫安， V

= 10 V

= 2.5 A，V

= 10 V

注3

= 2.5 A，V

= 4 V

= 2.5 A，V

= 10 V

= 10 V, V

= 0

F = 1 MHz的

= 2.5 A

= 5 V

= 12

= 5 A，V

= 0

= 5 A，V

= 0

/ DT = 50 A / μs的

= 5 V, V

= 16 V

= 5 V, V

= 24 V

注3

GS （ OP ） 1

GS （ OP ） 2

DSS

GS （关闭）

DS （ ON）

科斯

D（上）

D（关闭）

os1

os2

注3

注： 3.脉冲测试

4.包括的过载条件下的结温升高。

Rev.4.00 2005年9月7日第3页8

HAF2007 （L） HAF2007 （S）

主要特点

功率与温度降额

500

200

热关机

作业区

最高安全工作区

P沟（W）的

(A)

漏电流

100

散热通道

100

150

200

2在操作

（ T O服务

C = PE

这个区域是

25慧慧

C对

限于由R

DS （ ON）

)

0.5 TA = 25℃

0.3

0.3 0.5 1

5 10 20

50 100

外壳温度

TC （ ℃）

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

10 V

典型的传输特性

(A)

脉冲测试

TC = -25°C

25°C

75°C

漏电流

= 3.5 V

= 10 V

脉冲测试

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

(V)

0.25

脉冲测试

0.20

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

500

200

100

= 4 V

0.15

= 2 A

0.10

0.05

0.5 A

10 V

脉冲测试

0.1 0.2

0.5

栅极至源极电压V

(V)

漏电流

(A)

Rev.4.00 2005年9月7日第4页8

HAF2007 （L） HAF2007 （S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

0.20

脉冲测试

100

TC = -25°C

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(m)

正向转移导纳主场迎战

漏电流

= 10 V

脉冲测试

0.16

0.5 A, 1 A

0.12

= 4 V

= 2 A

0.04

0.5 A, 1 A

10 V

= 2 A

25°C

75°C

0.08

0.5

–40

120

160

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

500

100

开关特性

= 5 V, V

= 30 V

PW = 300

税

≤

1 %

开关时间t（ NS ）

200

100

的di / dt = 50A /

= 0 ， TA = 25℃

TD （关闭）

TD （上）

0.5

反向漏电流

(A)

漏电流

(A)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

10000

脉冲测试

3000

1000

300

100

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

典型的电容比。

漏源极电压

反向漏电流I

(A)

= 5 V

电容C （PF ）

科斯

= 0

F = 1 MHz的

源极到漏极电压V

(V)

漏极至源极电压V

(V)

Rev.4.00 2005年9月7日第5页8

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