H5N3003P
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G0007-0200Z
（上ADE - 208-1547A （ Z） ）
Rev.2.00
Aug.01.2003
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
TO-3P
D
G
1
S
2
3
1.门
2.漏（法兰）
3.源
Rev.2.00 ， Aug.01.2003 ，页9 1
H5N3003P
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏
当前
体漏二极管的反向
漏电流峰值
雪崩电流
散热通道
通道到外壳热
阻抗
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
（脉冲）
Note1
I
DR
I
DR
（脉冲）
Note1
I
APNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
300
±30
40
160
40
160
30
150
0.833
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
/W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.总胆固醇
≤
150°C
Rev.2.00 ， Aug.01.2003 ， 9 2页
H5N3003P
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
300
—
—
3.0
20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
35
0.058
5150
560
90
60
185
220
150
130
25
60
1.0
280
2.5
最大
—
1
±0.1
4.0
—
单位
V
A
A
V
S
测试条件
I
D
= 10毫安，V
GS
= 0
V
DS
= 300V, V
GS
= 0
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
I
D
= 20A ，V
DS
= 10V
Note4
I
D
= 20A ，V
GS
= 10V
Note4
V
DS
= 25V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
I
D
= 20A
R
L
= 7.5
V
GS
= 10V
Rg=10
V
DD
= 240V
V
GS
= 10V
I
D
= 40A
I
F
= 40A ，V
GS
= 0
I
F
= 40A ，V
GS
= 0
diF/dt=100A/s
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
V
DF
0. 069
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
—
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
体漏二极管的反向恢复TRR
时间
体漏二极管反向恢复的Qrr
收费
注： 4.脉冲测试
Rev.2.00 ， Aug.01.2003 ， 9 3页
H5N3003P
主要特点
功率与温度降额
200
最高安全工作区
1000
300
P沟（W）的
150
100
30
10
3
1
这个区域是
0.3
0.1
PW
DC
Op
散热通道
=
漏电流
10
(T
1
10 0
s
0
1m
s
s
m
s(
25
100
I
D
(A)
er
at
离子
50
操作
限于由R
DS （ ON）
c=
1s
ho
t)
°
C
)
TA = 25°C
1
30
3
10
100 300 1000
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
典型的输出特性
100
10 V
8V
100
7V
脉冲测试
6V
60
5.5 V
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
I
D
(A)
漏电流
80
80
60
漏电流
40
40
TC = 75℃
20
25°C
–25°C
2
4
6
栅极至源极电压
8
10
V
GS
(V)
20
V
GS
= 5 V
0
4
8
12
漏源极电压
16
20
V
DS
(V)
0
Rev.2.00 ， Aug.01.2003 ， 9 4页
H5N3003P
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
4
3
I
D
= 40 A
2
20 A
1
10 A
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
5
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
0.2
脉冲测试
V
GS
= 10 V,15 V
0.1
0.05
0.02
0
0.01
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
1
2
5
10 20
50
漏电流I
D
(A)
100
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.2
脉冲测试
0.16
V
GS
= 10 V
I
D
= 40 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
50
TC = -25°C
20
10
5
75°C
2
1
0.5
0.2
0.2
0.5 1
2
5
V
DS
= 10 V
脉冲测试
10 20
I
D
(A)
50 100
25°C
0.12
20 A
0.08
10 A
0.04
0
–40
0
40
80
120
壳温度（ ° C）
160
漏电流
Rev.2.00 ， Aug.01.2003 ， 9 5页
H5N3003P
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G0007-0200Z
（上ADE - 208-1547A （ Z） ）
Rev.2.00
Aug.01.2003
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
TO-3P
D
G
1
S
2
3
1.门
2.漏（法兰）
3.源
Rev.2.00 ， Aug.01.2003 ，页9 1
H5N3003P
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏
当前
体漏二极管的反向
漏电流峰值
雪崩电流
散热通道
通道到外壳热
阻抗
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
（脉冲）
Note1
I
DR
I
DR
（脉冲）
Note1
I
APNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
300
±30
40
160
40
160
30
150
0.833
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
/W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.总胆固醇
≤
150°C
Rev.2.00 ， Aug.01.2003 ， 9 2页
H5N3003P
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
300
—
—
3.0
20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
35
0.058
5150
560
90
60
185
220
150
130
25
60
1.0
280
2.5
最大
—
1
±0.1
4.0
—
单位
V
A
A
V
S
测试条件
I
D
= 10毫安，V
GS
= 0
V
DS
= 300V, V
GS
= 0
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
I
D
= 20A ，V
DS
= 10V
Note4
I
D
= 20A ，V
GS
= 10V
Note4
V
DS
= 25V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
I
D
= 20A
R
L
= 7.5
V
GS
= 10V
Rg=10
V
DD
= 240V
V
GS
= 10V
I
D
= 40A
I
F
= 40A ，V
GS
= 0
I
F
= 40A ，V
GS
= 0
diF/dt=100A/s
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
V
DF
0. 069
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
—
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
体漏二极管的反向恢复TRR
时间
体漏二极管反向恢复的Qrr
收费
注： 4.脉冲测试
Rev.2.00 ， Aug.01.2003 ， 9 3页
H5N3003P
主要特点
功率与温度降额
200
最高安全工作区
1000
300
P沟（W）的
150
100
30
10
3
1
这个区域是
0.3
0.1
PW
DC
Op
散热通道
=
漏电流
10
(T
1
10 0
s
0
1m
s
s
m
s(
25
100
I
D
(A)
er
at
离子
50
操作
限于由R
DS （ ON）
c=
1s
ho
t)
°
C
)
TA = 25°C
1
30
3
10
100 300 1000
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
典型的输出特性
100
10 V
8V
100
7V
脉冲测试
6V
60
5.5 V
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
I
D
(A)
漏电流
80
80
60
漏电流
40
40
TC = 75℃
20
25°C
–25°C
2
4
6
栅极至源极电压
8
10
V
GS
(V)
20
V
GS
= 5 V
0
4
8
12
漏源极电压
16
20
V
DS
(V)
0
Rev.2.00 ， Aug.01.2003 ， 9 4页
H5N3003P
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
4
3
I
D
= 40 A
2
20 A
1
10 A
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
5
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
0.2
脉冲测试
V
GS
= 10 V,15 V
0.1
0.05
0.02
0
0.01
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
1
2
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10 20
50
漏电流I
D
(A)
100
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.2
脉冲测试
0.16
V
GS
= 10 V
I
D
= 40 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
50
TC = -25°C
20
10
5
75°C
2
1
0.5
0.2
0.2
0.5 1
2
5
V
DS
= 10 V
脉冲测试
10 20
I
D
(A)
50 100
25°C
0.12
20 A
0.08
10 A
0.04
0
–40
0
40
80
120
壳温度（ ° C）
160
漏电流
Rev.2.00 ， Aug.01.2003 ， 9 5页
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