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HFA3101
数据表
2004年9月
FN3663.5
Gilbert单元超高频晶体管阵列
该HFA3101是配置为全NPN晶体管阵列
乘法器单元。基于Intersil的键合晶片UHF- 1 SOI
过程中,这个数组实现了非常高F
T
( 10GHz的),而
保持优良
FE
和V
BE
匹配特性
已经通过仔细注意电路被最大化
设计和布局,使得这款产品非常适合
通信电路。在混频器应用中,
电池可提供高增益和良好的取消2次
失真项。
特点
无铅可作为一种选择
高增益带宽积(F
T
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10GHz的
高功率增益带宽积。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5GHz的
电流增益(H
FE
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
低噪声系数(晶体管) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5分贝
优秀
FE
和V
BE
匹配
低集电极漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <0.01nA
引脚对引脚兼容UPA101
订购信息
产品型号
(品牌)
HFA3101B
(H3101B)
HFA3101BZ
( H3101B ) (注)
HFA3101B96
(H3101B)
HFA3101BZ96
( H3101B ) (注)
温度。
范围(° C)
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
(无铅)
8 Ld的SOIC带
和卷轴
PKG 。
DWG 。 #
M8.15
M8.15
M8.15
应用
平衡混频器
- 乘
解调器/调制器
自动增益控制电路
相位检测器
光纤信号处理
- 无线通信系统
宽带放大级
无线电和卫星通信
高性能仪器仪表
8 Ld的SOIC带
M8.15
和卷轴(无铅)
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类,可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求。
引脚
HFA3101
( SOIC )
顶视图
8
7
6
Q
6
3
4
5
Q
1
Q
2
Q
5
1
2
Q
3
Q
4
注:Q
5
和Q
6
- 2并联3μm的X 50μm的晶体管
Q
1
, Q
2
, Q
3
, Q
4
- 单3μm的X 50μm的晶体管
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲1998年, 2004年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HFA3101
绝对最大额定值
V
首席执行官
,集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0V
V
CBO
,集电极 - 基极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.0V
V
EBO
,发射器基极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5V
I
C
,集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
185
最高结温(死亡)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
( SOIC - 只会提示)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
T
A
= 25
o
C
(注2 )
TEST
水平
A
A
A
A
A
A
C
参数
测试条件
12
8
5.5
-
-
40
-
-
典型值
18
12
6
0.1
-
70
0.300
0.600
0.200
0.400
10
10
5
5
17.5
11.9
1.7
2.0
2.25
2.5
1.0
1.5
5
0.5
0.01
最大
-
-
-
10
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.1
5
25
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
集电极基极击穿电压,V
( BR ) CBO
, Q
1
直通Q
6
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
集电极到发射极击穿电压,V
( BR ) CEO
,
Q
5
和Q
6
发射器基极击穿电压,V
( BR ) EBO
, Q
1
直通Q
6
集电极截止目前,我
CBO
, Q
1
直通Q
4
发射极截止目前,我
EBO
, Q
5
和Q
6
直流电流增益,H
FE
, Q
1
直通Q
6
集电极基极电容,C
CB
Q
1
直通Q
4
Q
5
和Q
6
发射器基电容,C
EB
Q
1
直通Q
4
Q
5
和Q
6
电流增益带宽积,女
T
Q
1
直通Q
4
Q
5
和Q
6
功率增益带宽积,女
最大
Q
1
直通Q
4
Q
5
和Q
6
可用增益的最小噪声系数,G
NFmin
,
Q
5
和Q
6
最小噪声系数, NF
, Q
5
和Q
6
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5V
I
C
= 20mA时, V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5V
I
C
= 20mA时, V
CE
= 5V
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 3V
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 3V
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 3V
F = 0.5GHz
F = 1.0GHz的
F = 0.5GHz
F = 1.0GHz的
F = 0.5GHz
F = 1.0GHz的
V
EB
= 0中,f = 1MHz的
I
C
= 100μA ,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CB
= 8V ,我
E
= 0
V
EB
= 1V ,我
C
= 0
I
C
= 10毫安,V
CE
= 3V
V
CB
= 5V , F = 1MHz的
pF
pF
pF
pF
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
B
-
-
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
A
A
A
C
B
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.9
-
-
-
-
50Ω噪声系数, NF
50
, Q
5
和Q
6
直流电流增益匹配,H
FE1
/h
FE2
, Q
1
和Q
2
,
Q
3
和Q
4
和Q
5
和Q
6
输入失调电压,V
OS
, (Q
1
和Q
2
), (Q
3
和Q
4
),
(Q
5
和Q
6
)
输入失调电流I
C
, (Q
1
和Q
2
), (Q
3
和Q
4
),
(Q
5
和Q
6
)
输入失调电压TC ,DV
OS
/ DT ( Q1和Q2 , Q3和Q
4
,
Q
5
和Q
6
)
收集器收集泄漏,我
TRENCH泄漏
注意:
I
C
= 10毫安,V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 3V
V
TEST
= 5V
mV
A
V/
o
C
nA
2.测试等级:A,生产测试, B.典型或保证限额以表征C.设计典型仅供参考。
2
HFA3101
对于3 PSPICE模型
m
x 50
m
晶体管
.MODEL NUHFARRY NPN
+ ( IS = 1.840E - 16
+ VAR = 4.500E + 00
+ IKF = 5.400E -02
+ NC = 1.800E + 00
+ MJC = 2.400E -01
+ MJE = 5.100E -01
+ ITF = 3.500E -02
+ XCJC = 9.000E -01
+ RE = 1.848E + 00
+ AF = 1.000E + 00 )
XTI = 3.000E + 00
BF = 1.036E + 02
XTB = 0.000E + 00
IKR = 5.400E -02
VJC = 9.700E -01
VJE = 8.690E -01
XTF = 2.300E + 00
CJS = 1.689E - 13
RB = 5.007E + 01
EG = 1.110E + 00
ISE = 1.686E -19
BR = 1.000E + 01
RC = 1.140E + 01
FC = 5.000E -01
TR = 4.000E -09
VTF = 3.500E + 00
VJS = 9.982E -01
RBM = 1.974E + 00
VAF = 7.200E + 01
NE = 1.400E + 00
ISC = 1.605E - 14
CJC = 3.980E - 13
CJE = 2.400E - 13
TF = 10.51E - 12
PTF = 0.000E + 00
MJS = 0.000E + 00
KF = 0.000E + 00
3共射S参数
m
x 50
m
晶体管
频率。 (赫兹)
|S
11
|
PHASE (S
11
)
|S
12
|
PHASE (S
12
)
|S
21
|
PHASE (S
21
)
|S
22
|
PHASE (S
22
)
V
CE
= 5V和我
C
= 5毫安
1.0E+08
2.0E+08
3.0E+08
4.0E+08
5.0E+08
6.0E+08
7.0E+08
8.0E+08
9.0E+08
1.0E+09
1.1E+09
1.2E+09
1.3E+09
1.4E+09
1.5E+09
1.6E+09
1.7E+09
1.8E+09
1.9E+09
2.0E+09
2.1E+09
2.2E+09
2.3E+09
2.4E+09
2.5E+09
2.6E+09
2.7E+09
0.83
0.79
0.73
0.67
0.61
0.55
0.50
0.46
0.42
0.39
0.36
0.34
0.32
0.30
0.28
0.27
0.25
0.24
0.23
0.22
0.21
0.20
0.20
0.19
0.18
0.18
0.17
-11.78
-22.82
-32.64
-41.08
-48.23
-54.27
-59.41
-63.81
-67.63
-70.98
-73.95
-76.62
-79.04
-81.25
-83.28
-85.17
-86.92
-88.57
-90.12
-91.59
-92.98
-94.30
-95.57
-96.78
-97.93
-99.05
-100.12
1.41E-02
2.69E-02
3.75E-02
4.57E-02
5.19E-02
5.65E-02
6.00E-02
6.27E-02
6.47E-02
6.63E-02
6.75E-02
6.85E-02
6.93E-02
7.00E-02
7.05E-02
7.10E-02
7.13E-02
7.17E-02
7.19E-02
7.21E-02
7.23E-02
7.25E-02
7.27E-02
7.28E-02
7.29E-02
7.30E-02
7.31E-02
78.88
68.63
59.58
51.90
45.50
40.21
35.82
32.15
29.07
26.45
24.19
22.24
20.53
19.02
17.69
16.49
15.41
14.43
13.54
12.73
11.98
11.29
10.64
10.05
9.49
8.96
8.47
11.07
10.51
9.75
8.91
8.10
7.35
6.69
6.11
5.61
5.17
4.79
4.45
4.15
3.89
3.66
3.45
3.27
3.10
2.94
2.80
2.68
2.56
2.45
2.35
2.26
2.18
2.10
168.57
157.89
148.44
140.36
133.56
127.88
123.10
119.04
115.57
112.55
109.91
107.57
105.47
103.57
101.84
100.26
98.79
97.43
96.15
94.95
93.81
92.73
91.70
90.72
89.78
88.87
88.00
0.97
0.93
0.86
0.79
0.73
0.67
0.62
0.57
0.53
0.50
0.47
0.45
0.43
0.41
0.40
0.39
0.38
0.37
0.36
0.35
0.35
0.34
0.34
0.33
0.33
0.33
0.33
-11.05
-21.35
-30.44
-38.16
-44.59
-49.93
-54.37
-58.10
-61.25
-63.96
-66.31
-68.37
-70.19
-71.83
-73.31
-74.66
-75.90
-77.05
-78.12
-79.13
-80.09
-80.99
-81.85
-82.68
-83.47
-84.23
-84.97
3-3
HFA3101
3共射S参数
m
x 50
m
晶体管
频率。 (赫兹)
2.8E+09
2.9E+09
3.0E+09
|S
11
|
0.17
0.16
0.16
PHASE (S
11
)
-101.15
-102.15
-103.11
|S
12
|
7.31E-02
7.32E-02
7.32E-02
PHASE (S
12
)
8.01
7.57
7.16
|S
21
|
2.02
1.96
1.89
(续)
PHASE (S
21
)
87.15
86.33
85.54
|S
22
|
0.33
0.33
0.33
PHASE (S
22
)
-85.68
-86.37
-87.05
V
CE
= 5V和我
C
= 10毫安
1.0E+08
2.0E+08
3.0E+08
4.0E+08
5.0E+08
6.0E+08
7.0E+08
8.0E+08
9.0E+08
1.0E+09
1.1E+09
1.2E+09
1.3E+09
1.4E+09
1.5E+09
1.6E+09
1.7E+09
1.8E+09
1.9E+09
2.0E+09
2.1E+09
2.2E+09
2.3E+09
2.4E+09
2.5E+09
2.6E+09
2.7E+09
2.8E+09
2.9E+09
3.0E+09
0.72
0.67
0.60
0.53
0.47
0.42
0.37
0.34
0.31
0.29
0.27
0.25
0.24
0.22
0.21
0.20
0.20
0.19
0.18
0.18
0.17
0.17
0.16
0.16
0.16
0.15
0.15
0.15
0.15
0.14
-16.43
-31.26
-43.76
-54.00
-62.38
-69.35
-75.26
-80.36
-84.84
-88.83
-92.44
-95.73
-98.75
-101.55
-104.15
-106.57
-108.85
-110.98
-113.00
-114.90
-116.69
-118.39
-120.01
-121.54
-122.99
-124.37
-125.69
-126.94
-128.14
-129.27
1.27E-02
2.34E-02
3.13E-02
3.68E-02
4.05E-02
4.31E-02
4.49E-02
4.63E-02
4.72E-02
4.80E-02
4.86E-02
4.90E-02
4.94E-02
4.97E-02
4.99E-02
5.01E-02
5.03E-02
5.05E-02
5.06E-02
5.07E-02
5.08E-02
5.09E-02
5.10E-02
5.11E-02
5.12E-02
5.12E-02
5.13E-02
5.13E-02
5.14E-02
5.15E-02
75.41
62.89
52.58
44.50
38.23
33.34
29.47
26.37
23.84
21.75
20.00
18.52
17.25
16.15
15.19
14.34
13.60
12.94
12.34
11.81
11.33
10.89
10.50
10.13
9.80
9.49
9.21
8.95
8.71
8.49
15.12
13.90
12.39
10.92
9.62
8.53
7.62
6.86
6.22
5.69
5.23
4.83
4.49
4.19
3.93
3.70
3.49
3.30
3.13
2.98
2.84
2.72
2.60
2.49
2.39
2.30
2.22
2.14
2.06
1.99
165.22
152.04
141.18
132.57
125.78
120.37
116.00
112.39
109.36
106.77
104.51
102.53
100.75
99.16
97.70
96.36
95.12
93.96
92.87
91.85
90.87
89.94
89.06
88.21
87.39
86.60
85.83
85.09
84.36
83.66
0.95
0.88
0.79
0.70
0.63
0.57
0.51
0.47
0.44
0.41
0.39
0.37
0.35
0.34
0.33
0.32
0.31
0.31
0.30
0.30
0.30
0.29
0.29
0.29
0.29
0.29
0.29
0.29
0.29
0.29
-14.26
-26.95
-37.31
-45.45
-51.77
-56.72
-60.65
-63.85
-66.49
-68.71
-70.62
-72.28
-73.76
-75.08
-76.28
-77.38
-78.41
-79.37
-80.27
-81.13
-81.95
-82.74
-83.50
-84.24
-84.95
-85.64
-86.32
-86.98
-87.62
-88.25
4
HFA3101
应用信息
该HFA3101阵列是一种用途很广的射频构建模块。它
经过精心布置,以提高其匹配
性能,使失真,由于面积不匹配,
热分布,贝塔和欧姆电阻到
最低限度。
该细胞是相当于建为两个2差动级
“可变跨导乘法器”平行,其
输出交叉耦合的。这种配置是公知的
被业界称为一个吉尔伯特单元使四象限
乘法运算。
由于对于输入的输入动态范围限制
在上四晶体管的水平和下尾晶体管
该HFA3101细胞已限制使用的线性四象限
乘数。但是,它的配置是非常适合的用途
其中,它的线性响应被限制为仅一个输入端,
在调制器或混频器电路应用。示例
这些电路上变频器,下变频器,变频
倍增器和频率/相位检测器。
虽然线性化仍是一个问题对于下对输入
射极负反馈可以用于改善动态
范围和随之而来的线性度。该HFA3101具有较低
一对发射器带到外部管脚用于此目的。
在调制器的应用中,上四晶体管都是
在开关模式的情况下对Q用
1
/Q
2
和Q
3
/Q
4
充当非饱和高速开关。这些开关
通过通常被称为载波的信号被控制
输入。驱动下对Q的信号
5
/Q
6
通常是
用作调制输入。这个信号可以是线性
不论是由使用低信号电平的传输给输出
(远低于为26mV的热电压),或通过使用
射极负反馈。切碎的波形出现在
在上一对的输出(Q
1
以Q
4
)类似的信号
即在的每半个周期乘以+1或-1
开关波形。
载波信号
+1
图1示出了典型的输入波形,其中
载波的频率低于调制信号更高。
输出波形示出了一个典型的抑制载波
输出的升压转换器或AM信号发生器。
载波抑制能力是众所周知的一个属性
平衡调制器,其中输出必须为零时
一个或另一个输入(载波或调制信号)等于
到零。然而,在非常高的频率,高频
错配和AC偏移量总是存在的
抑制能力往往下降引起的载体和
调节馈通出席。
作为一个频率变换电路,平衡调制器
有翻译调制频率的特性
M
)给载波频率( ω
C
) ,生成所述两个侧
乐队
ω
U
=
ω
C
+
ω
M
ω
L
= ω
C
-
ω
M
。图2示出了
正在使用的平衡混频器的一些翻译计划。
ω
C
-
ω
M
ω
C
ω
C
+
ω
M
图2A 。 UP转换或抑制载波调幅
如果(
ω
C
-
ω
M)
折回
ω
M
ω
C
-1
调制信号
图2B 。折算下来
ω
C
基带
迪FF erential输出
ω
M
图1:典型的调制信号的
图2C 。零中频还是直接降频转换
图2.调制器频率谱
3-5
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