微波公司
v01.0700
HMC221
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
特点
低插入损耗： 0.4分贝
超小型封装： SOT26
输入IP3 ： +45 dBm的
阳性对照： 0 / + 3V @ 10微安
典型应用
该HMC221是理想的：
ISM应用
PCMCIA无线网卡
手机应用
工作原理图
概述
该HMC221是在6引脚的低成本SPDT开关
SOT26塑料包装一般采用开关
应用需要非常低的插入损耗
和非常小的尺寸。该装置可以控制信号
从DC到3.0 GHz和特别适用于
900兆赫， 1.8 - 2.2 GHz的，和2.4 GHz的ISM应用程序
阳离子与小于1dB的损失。设计亲
国际志愿组织出色的插入损耗性能，理想
对于滤波器和接收器的开关。 RF1和RF2是
再FL ective短裤的时候“关闭” 。两个控制电压
年龄要求直流电流的最小量和
与大多数CMOS & TTL逻辑兼容性报价
家庭。见HMC197用于在相同的性能
备用SOT26引脚输出。
14
开关 - SMT
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25°C ， VCTL = 0 / + 3到8伏直流电
参数
频率
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
3
10
ns
ns
24
24
21
14
20
17
16
11
25
23
40
38
分钟。
典型值。
0.4
0.45
0.6
0.8
28
28
25
18
23
22
20
15
30
29
45
43
马克斯。
0.7
0.8
0.9
1.1
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
插入损耗
隔离
回波损耗
输入功率为1 dB压缩
（ VCTL = 0 / + 5V ）
输入三阶截
（ VCTL = 0 / + 5V ） （双音输入功率= +7 dBm的每个音）
开关特性
14 - 66
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
微波公司
v01.0700
HMC221
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
砷化镓MMIC
插入损耗
0
-0.5
SUB-谐
隔离
MIXER 17 - 25 GHz的
PUMPED
0
插入损耗（dB ）
-10
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
回波损耗
0
-5
14
开关 - SMT
8
9
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
输入0.1和1.0分贝
压缩与控制电压
35
输入三阶
截取点与控制电压
48
输入功率0.1 1分贝
压缩（ dBm的）
1分贝在1900兆赫
1分贝在900MHz
30
900兆赫
输入三阶
截距（ DBM）
46
44
25
0.1分贝在900MHz
20
0.1分贝在1900兆赫
15
3
4
5
6
7
8
9
控制输入（VDC ）
42
1900兆赫
40
38
2
3
4
5
6
7
控制输入（VDC ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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14 - 67
微波公司
v01.0700
HMC221
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
压缩与控制电压
载波频率为900MHz
控制
输入
（ VDC）的
+3
+5
+8
输入功率
对于0.1分贝
压缩
（ dBm的）
17
25
31
输入功率
对于1.0分贝
压缩
（ dBm的）
20
30
33
运营商在1900 MHz的
输入功率
对于0.1分贝
压缩
（ dBm的）
17
24
30
输入功率
对于1.0分贝
压缩
（ dBm的）
20
29
32
注意：不要在1dB压缩操作时
功率水平超过31 dBm的（ VCTL = +5 VDC ），并做
不“热切换”的功率电平大于+20 dBm的
（ VCTL = + 5V直流） 。
DC模块都需要在港口RFC ， RF1和RF2 。
失真与控制电压
控制
输入
三阶截取（ DBM）
+7 dBm的每一个音
900兆赫
41
45
46
1900兆赫
39
43
44
14
开关 - SMT
（ VDC）的
+3
+5
+8
真值表
*控制输入电压容差为± 0.2伏。
控制输入*
A
（ VDC）的
0
+3
0
+5
0
+7
0
+8
B
（ VDC）的
+3
0
+5
0
+7
0
+8
0
控制电流
Ia
（ UA）
-10
10
-55
55
-210
210
-280
280
Ib
（ UA）
10
-10
55
-55
210
-210
280
-280
信道
射频到
RF1
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
射频到
RF2
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
14 - 68
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v01.0700
HMC221
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
绝对最大额定值
控制电压范围（A & B）
储存温度
工作温度
-0.2 + 12VDC
-65至+150°C
-40至+85 C
外形绘图
14
开关 - SMT
14 - 69
注意事项：
1.包装体材质：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.引线框架材料：铜合金
3.电镀引脚框：锡/铅焊接
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
6.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
7.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v01.0700
HMC221
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
典型应用电路
14
开关 - SMT
注意事项：
1.设置逻辑门和开关VDD = + 3V至+ 5V和使用HCT系列逻辑提供TTL驱动器接口。
2.控制输入端的A / B可以被直接驱动的CMOS逻辑（HC）与Vdd的5到8伏施加到CMOS
逻辑门。
3.隔直流电容器所需要的每个RF端口，如图所示。电容值决定最低频率
的操作。
4.最高的射频信号功率能力与VDD = + 8V和A / B设置为0 / + 8V实现。
14 - 70
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC221
/
221E
v02.0700
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
典型应用
该HMC221 & HMC221E是理想的：
ISM应用
PCMCIA无线网卡
手机应用
特点
符合RoHS标准的产品
低插入损耗： 0.4分贝
超小型封装： SOT26
输入IP3 ： +45 dBm的
阳性对照： 0 / + 3V @ 10微安
包括在HMC- DK005设计师的工具箱
工作原理图
概述
该HMC221和HMC221E是低成本的SPDT
采用6引脚SOT26塑料包装交换机
在一般的开关应用中需要使用
非常低的插入损耗和非常小的尺寸。这些
设备可以从直流控制信号以3千兆赫和是
特别适用于900兆赫， 1.8 - 2.2千兆赫，并且
2.4GHz的ISM应用的小于1dB的损失。
该设计提供了出色的插入损耗per-
formance ，理想的过滤器和接收器的开关。 RF1
和RF2是反射短裤的时候“关闭” 。两
控制电压要求的直流最小量的电流
与大多数CMOS & TTL租金，并提供兼容性
逻辑系列。见HMC197在相同的性能
备用SOT26引脚out.The HMC221E是RoHS-
符合标准的产品。
10
开关 - SMT
电气电源规格，
T
A
= + 25°C ， VCTL = 0 / + 3到8伏直流电
参数
频率
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
3
10
ns
ns
24
24
21
14
20
17
16
11
25
23
40
38
分钟。
典型值。
0.4
0.45
0.6
0.8
28
28
25
18
23
22
20
15
30
29
45
43
马克斯。
0.7
0.8
0.9
1.1
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
插入损耗
隔离
回波损耗
输入功率为1 dB压缩
（ VCTL = 0 / + 5V ）
输入三阶截
（ VCTL = 0 / + 5V ） （双音输入功率= +7 dBm的每个音）
开关特性
10 - 42
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC221
/
221E
v02.0700
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
插入损耗
0
-0.5
插入损耗（dB ）
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
隔离
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
10
开关 - SMT
回波损耗
0
-5
隔离度（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
输入0.1和1.0分贝
压缩与控制电压
35
输入功率0.1 1分贝
压缩（ dBm的）
1分贝在1900兆赫
1分贝在900MHz
30
输入三阶
截取点与控制电压
48
输入三阶
截距（ DBM）
46
44
25
0.1分贝在900MHz
20
0.1分贝在1900兆赫
42
40
900兆赫
1900兆赫
15
3
4
5
6
7
8
9
控制输入（VDC ）
38
2
3
4
5
6
7
8
9
控制输入（VDC ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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10 - 43
HMC221
/
221E
v02.0700
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
压缩与控制电压
载波频率为900MHz
控制
输入
（ VDC）的
+3
+5
+8
输入功率
对于0.1分贝
压缩
（ dBm的）
17
25
31
输入功率
对于1.0分贝
压缩
（ dBm的）
20
30
33
运营商在1900 MHz的
输入功率
对于0.1分贝
压缩
（ dBm的）
17
24
30
输入功率
对于1.0分贝
压缩
（ dBm的）
20
29
32
注意：不要在1dB压缩在电源工作
上述+31 dBm的（ VCTL = +5 VDC ），并没有“热级别
开关“的功率电平大于+20 dBm的（ VCTL = + 5V直流） 。
10
开关 - SMT
DC模块都需要在港口RFC ， RF1和RF2 。
失真与控制电压
控制
输入
（ VDC）的
+3
+5
+8
三阶截取（ DBM）
+7 dBm的每一个音
900兆赫
41
45
46
1900兆赫
39
43
44
真值表
*控制输入电压容差为± 0.2伏。
控制输入*
A
（ VDC）的
0
+3
0
+5
0
+7
0
+8
B
（ VDC）的
+3
0
+5
0
+7
0
+8
0
控制电流
Ia
（ UA）
-10
10
-55
55
-210
210
-280
280
Ib
（ UA）
10
-10
55
-55
210
-210
280
-280
信道
射频到RF1
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
射频到RF2
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
10 - 44
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC221
/
221E
v02.0700
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
绝对最大额定值
控制电压范围（A & B）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
-0.2 + 12VDC
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
10
开关 - SMT
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC221
HMC221E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
H221
221E
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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10 - 45
HMC221
/
221E
v02.0700
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
典型应用电路
10
开关 - SMT
注意事项：
1.设置逻辑门和开关VDD = + 3V至+ 5V和使用HCT系列逻辑提供TTL驱动器接口。
2.控制输入端的A / B可以直接驱动CMOS逻辑（HC）与施加到CMOS逻辑门电路5至8伏特的Vdd 。
3.隔直流电容器所需要的每个RF端口，如图所示。电容值决定了操作的最低频率。
4.最高的射频信号功率能力与VDD = + 8V和A / B设置为0 / + 8V实现。
10 - 46
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC221
/
221E
v02.0700
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
设计者工具包
可用的
典型应用
该HMC221 & HMC221E是理想的：
ISM应用
PCMCIA无线网卡
手机应用
特点
符合RoHS标准的产品
低插入损耗： 0.4分贝
超小型封装： SOT26
输入IP3 ： +45 dBm的
阳性对照： 0 / + 3V @ 10微安
包括在HMC- DK005设计师的工具箱
8
开关 - SMT
工作原理图
概述
该HMC221和HMC221E是低成本的SPDT
采用6引脚SOT26塑料包装交换机
在一般的开关应用中需要使用
非常低的插入损耗和非常小的尺寸。这些
设备可以从直流控制信号以3.0 GHz和是
特别适用于900兆赫， 1.8 - 2.2千兆赫，并且
2.4GHz的ISM应用的小于1dB的损失。
该设计提供了出色的插入损耗per-
formance ，理想的过滤器和接收器的开关。 RF1
和RF2是反射短裤的时候“关闭” 。两
控制电压要求的直流最小量的电流
与大多数CMOS & TTL租金，并提供兼容性
逻辑系列。见HMC197在相同的性能
备用SOT26引脚out.The HMC221E是RoHS-
符合标准的产品。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25°C ， VCTL = 0 / + 3到8伏直流电
参数
频率
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
3
10
ns
ns
24
24
21
14
20
17
16
11
25
23
40
38
分钟。
典型值。
0.4
0.45
0.6
0.8
28
28
25
18
23
22
20
15
30
29
45
43
马克斯。
0.7
0.8
0.9
1.1
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
插入损耗
隔离
回波损耗
输入功率为1 dB压缩
（ VCTL = 0 / + 5V ）
输入三阶截
（ VCTL = 0 / + 5V ） （双音输入功率= +7 dBm的每个音）
开关特性
8 - 36
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC221
/
221E
v02.0700
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
插入损耗
0
-0.5
插入损耗（dB ）
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
隔离
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
-40
-50
回波损耗
0
-5
隔离度（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
输入0.1和1.0分贝
压缩与控制电压
35
输入功率0.1 1分贝
压缩（ dBm的）
1分贝在1900兆赫
1分贝在900MHz
30
输入三阶
截取点与控制电压
48
输入三阶
截距（ DBM）
46
44
25
0.1分贝在900MHz
20
0.1分贝在1900兆赫
42
40
900兆赫
1900兆赫
15
3
4
5
6
7
8
9
控制输入（VDC ）
38
2
3
4
5
6
7
8
9
控制输入（VDC ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
8 - 37
开关 - SMT
HMC221
/
221E
v02.0700
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
压缩与控制电压
载波频率为900MHz
控制
输入
（ VDC）的
+3
输入功率
对于0.1分贝
压缩
（ dBm的）
17
25
31
输入功率
对于1.0分贝
压缩
（ dBm的）
20
30
33
运营商在1900 MHz的
输入功率
对于0.1分贝
压缩
（ dBm的）
17
24
30
输入功率
对于1.0分贝
压缩
（ dBm的）
20
29
32
8
开关 - SMT
+5
+8
注意：不要在1dB压缩在电源工作
上述+31 dBm的（ VCTL = +5 VDC ），并没有“热级别
开关“的功率电平大于+20 dBm的（ VCTL = + 5V直流） 。
DC模块都需要在港口RFC ， RF1和RF2 。
失真与控制电压
控制
输入
（ VDC）的
+3
+5
+8
三阶截取（ DBM）
+7 dBm的每一个音
900兆赫
41
45
46
1900兆赫
39
43
44
真值表
*控制输入电压容差为± 0.2伏。
控制输入*
A
（ VDC）的
0
+3
0
+5
0
+7
0
+8
B
（ VDC）的
+3
0
+5
0
+7
0
+8
0
控制电流
Ia
（ UA）
-10
10
-55
55
-210
210
-280
280
Ib
（ UA）
10
-10
55
-55
210
-210
280
-280
信道
射频到RF1
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
射频到RF2
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
8 - 38
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC221
/
221E
v02.0700
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
绝对最大额定值
控制电压范围（A & B）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
-0.2 + 12VDC
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
静电敏感器件
观察处理注意事项
8
开关 - SMT
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
外形绘图
包装信息
产品型号
HMC221
HMC221E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
H221
221E
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8 - 39
HMC221
/
221E
v02.0700
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
典型应用电路
8
开关 - SMT
注意事项：
1.设置逻辑门和开关VDD = + 3V至+ 5V和使用HCT系列逻辑提供TTL驱动器接口。
2.控制输入端的A / B可以直接驱动CMOS逻辑（HC）与施加到CMOS逻辑门电路5至8伏特的Vdd 。
3.隔直流电容器所需要的每个RF端口，如图所示。电容值决定了操作的最低频率。
4.最高的射频信号功率能力与VDD = + 8V和A / B设置为0 / + 8V实现。
8 - 40
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC221
/
221E
v02.0700
典型应用
ISM应用
该HMC221 & HMC221E是理想的：
PCMCIA无线网卡
手机应用
工作原理图
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
特点
符合RoHS标准的产品
低插入损耗： 0.4分贝
超小型封装： SOT26
输入IP3 ： +45 dBm的
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
s
IGN
阳性对照： 0 / + 3V @ 10
es
D
uA
包括在HMC- DK005设计师的工具箱
新
为
概述
DED
MEN
HMC221和HMC221E是低成本的SPDT
该
COM
采用6引脚SOT26塑料包装交换机
牛逼RE
o
N
在一般的开关应用中需要使用
非常低的插入损耗和非常小的尺寸。这些
设备可以从直流控制信号以3千兆赫和是
特别适用于900兆赫， 1.8 - 2.2千兆赫，和2.4
GHz的ISM应用具有小于1dB的损失。该
设计提供了出色的插入损耗perfor-
曼斯，理想的过滤器和接收器的开关。 RF1和
RF2是经过深思熟虑的短裤时， “关闭” 。这两个CON-
控制电压，需要直流电流的最小量
与大多数CMOS & TTL逻辑兼容性报价
家庭。见HMC197用于在相同的性能
备用SOT26引脚输出。该HMC221E是RoHS-
符合标准的产品。
14
开关 - SPDT - SMT
电气电源规格，
T
A
= + 25°C ， VCTL = 0 / + 3到8伏直流电
参数
频率
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
3
10
ns
ns
24
24
21
14
20
17
16
11
25
23
40
38
分钟。
典型值。
0.4
0.45
0.6
0.8
28
28
25
18
23
22
20
15
30
29
45
43
马克斯。
0.7
0.8
0.9
1.1
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
插入损耗
隔离
回波损耗
输入功率为1 dB压缩
（ VCTL = 0 / + 5V ）
输入三阶截
（ VCTL = 0 / + 5V ） （双音输入功率= +7 dBm的每个音）
开关特性
14 - 1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC221
/
221E
v02.0700
插入损耗
0
-0.5
插入损耗（dB ）
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
0.5
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
隔离
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
1
1.5
频率（GHz ）
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
回波损耗
0
-5
隔离度（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
0.5
1
1.5
新
为
DED
MEN
COM
输入0.1和1.0分贝
牛逼RE
No
压缩与控制电压
-40
-50
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
35
输入功率0.1 1分贝
压缩（ dBm的）
1分贝在1900兆赫
1分贝在900MHz
30
s
IGN
DES
2.5
3
14
0.1分贝在900MHz
25
20
0.1分贝在1900兆赫
15
2
2.5
3
3
4
5
6
7
8
9
频率（GHz ）
控制输入（VDC ）
输入三阶
截取点与控制电压
48
失真与控制电压
控制输入
（ VDC）的
三阶截取（ DBM） +7 dBm的每一个音
900兆赫
41
45
46
1900兆赫
39
43
44
输入三阶
截距（ DBM）
46
+3
+5
44
+8
42
900兆赫
1900兆赫
真值表
*控制输入电压容差为± 0.2伏。
控制输入*
A（伏）
0
2
3
4
5
6
7
8
9
40
控制电流
IA （ UA）
-10
10
-55
55
-210
210
-280
280
IB （ UA）
10
-10
55
-55
210
-210
280
-280
信道
射频到RF1
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
射频到RF2
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
B （VDC ）
+3
0
+5
0
+7
0
+8
0
38
控制输入（VDC ）
+3
0
+5
0
+7
0
+8
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
14 - 2
开关 - SPDT - SMT
HMC221
/
221E
v02.0700
压缩与控制电压
载波频率为900MHz
控制
输入
（ VDC）的
+3
+5
输入功率
对于0.1分贝
压缩
（ dBm的）
17
输入功率
对于1.0分贝
压缩
（ dBm的）
20
输入功率
对于0.1分贝
压缩
（ dBm的）
17
s
IGN
设备
静电敏感
DES
注意事项
OBSERVE
w
Ne
处理
为
注意：不要在1dB压缩时的功率水平以上运行
+31 dBm的（ VCTL = +5 VDC ），并没有“热切换”的功率水平
DED
大于+20 dBm的（ VCTL = + 5V直流） 。直流块都需要在
n
me
港口RFC ， RF1和RF2 。
COM
牛逼RE
No
20
25
31
30
33
24
29
+8
30
32
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
绝对最大额定值
控制电压范围（A & B）
储存温度
运营商在1900 MHz的
-0.2 + 12VDC
输入功率
对于1.0分贝
压缩
（ dBm的）
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
14
开关 - SPDT - SMT
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC221
HMC221E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
H221
221E
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
14 - 3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC221
/
221E
v02.0700
典型应用电路
注意事项：
1.设置逻辑门和开关VDD = + 3V至+ 5V和使用HCT系列
逻辑提供TTL驱动器接口。
2.控制输入A / B可直接驱动CMOS逻辑（ HC ）
随着施加到CMOS逻辑门5-8伏特的Vdd 。
新
为
4.最高的射频信号功率的能力，实现与VDD = + 8V
和A / B设置为0 / + 8V 。
DED
MEN
COM
牛逼RE
No
3.隔直流电容器所需要的每个RF端口，如图所示。
电容值决定了操作的最低频率。
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
s
IGN
DES
砷化镓MMIC SPDT SOT26
开关， DC - 3 GHz的
评估电路板
14
开关 - SPDT - SMT
材料的评价PCB 101675一览
[1]
项
J1 - J3
J4 - J7
C1 - C3
U1
PCB
[2]
描述
印刷电路板安装SMA射频连接器
DC引脚
330 pF的电容， 0402 PKG 。
HMC221 / HMC221E SPDT开关
101659 PCB评价
[1]订购完整的评估电路板时参考此号码
[ 2 ]电路板材质：罗杰斯4350
在网络连接最终应用中的电路板应
用适当的射频电路设计技产生
niques 。在RF端口的信号线应该有50
欧姆阻抗和封装地面动态
包底部应直接连接到所述
接地平面类似于上面所示。的进行评价，
如上所示uation电路板可以从
赫梯Microwave公司索取。
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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14 - 4
QQ：2880707522 复制
