H11F1M ， H11F2M ， H11F3M照片FET光电耦合器
2007年5月
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M
PHOTO FET光耦合器
特点
作为一个远程可变电阻器：
■
≤
100
to
≥
300M
■
≥
99.9 ％线性
■
≤
15pF的并联电容
■
≥
100G
I / O绝缘电阻
作为模拟开关：
■
极低的失调电压
■
60 V
PK- PK
信号的能力
■
无电荷注入或闭锁
■
t
on
, t
关闭
≤
15S
■
UL认证（文件号E90700 ）
tm
概述
该H11FXM系列包括镓，含铝的
耦合到对称的砷化IRED的发光二极管
双边硅光检测器。该检测器是electri-
美云分离从输入并执行像一个理想
隔离FET设计用于低失真的控制
电平的交流和直流模拟信号。该H11FXM系列
装置被安装在双列直插式封装。
应用
作为一个远程可变电阻器：
■
隔离式可变衰减器
■
自动增益控制
■
有源滤波器FINE TUNING /频段切换
作为模拟开关：
■
分离的采样和保持电路
■
复用，光隔离的A / D转换
套餐
概要
阳极1
6
产量
期限。
阴极2
5
3
4
产量
期限。
2007仙童半导体公司
H11FXM版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M照片FET光电耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
辐射源
I
F
V
R
I
F（ PK）
P
D
探测器
P
D
BV
4-6
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 10 μs的脉冲， 1 ％占空比）
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
击穿电压（任一极性）
设备
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
价值
-55到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
60
5
1
100
1.33
单位
°C
°C
°C
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
所有
H11F1M,
H11F2M
H11F3M
所有
300
4.0
±30
±15
±100
I
4-6
连续检测电流（任一极性）
2007仙童半导体公司
H11FXM版本1.0.0
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2
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M照片FET光电耦合器
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
I
R
C
J
BV
4-6
I
4-6
输入正向电压
反向漏电流
电容
击穿电压
任一极性
关闭状态暗电流
I
F
= 16毫安
V
R
= 5V
V = 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
4-6
= 10μA ，我
F
= 0
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0,
T
A
= 100°C
R
4-6
C
4-6
断通状态电阻
电容
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0,
F = 1MHz的
所有
所有
所有
H11F1M ， H11F2M
H11F3M
所有
所有
所有
所有
300
15
30
15
50
50
nA
A
M
pF
50
1.3
1.75
10
V
A
pF
V
参数
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
输出检测
传输特性
符号
R
4-6
特征
导通状态电阻
测试条件
I
F
= 16毫安，
I
4-6
= 100A
设备
H11F1M
H11F2M
H11F3M
H11F1M
H11F2M
H11F3M
所有
民
典型*
最大
200
330
470
200
330
470
0.1
单位
DC特性
R
6-4
导通状态电阻
I
F
= 16毫安，
I
6-4
= 100A
电阻，非线性
和的对称性
AC特性
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
I
F
= 16毫安，
I
4-6
= 25μA RMS ，
F = 1kHz时
R
L
= 50
, I
F
= 16毫安，
V
4-6
= 5V
R
L
= 50
, I
F
= 16毫安，
V
4-6
= 5V
%
所有
所有
25
25
S
S
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
F = 1MHz的
设备
所有
所有
所有
分钟。
7500
10
11
TYP 。 *
马克斯。
单位
V
AC
PEAK
0.2
pF
*在T所有典型值
A
= 25°C
2007仙童半导体公司
H11FXM版本1.0.0
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3
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M照片FET光电耦合器
典型性能曲线
图1.电阻与输入电流
800
600
I
46
- 输出电流（ μA ）
R（上） - 归一化电阻
10
400
200
0
-200
-400
-600
-800
1
0
100
-0.2
-0.1
0.0
0.1
0.2
I
F
= 2毫安
I
F
= 6毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 14毫安
I
F
= 18毫安
图2.输出特性
I
F
= 18毫安
I
F
= 14毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 6毫安
I
F
= 2毫安
1
0.1
1
标准化为：
I
F
= 16毫安
I
46
= 5
A
RMS
I
F
- 输入电流 - 毫安
V
46
- 输出电压（V ）
图3. LED正向电压与正向电流
2.0
图4.断态电流与环境温度
10000
标准化为：
V
46
= 15V
I
F
= 0毫安
T
A
= 25°C
1.8
I
46
- 归一化暗电流
V
F
- 正向电压（ V）
1000
1.6
1.4
T
A
= -55°C
T
A
= 25°C
100
1.2
10
1.0
T
A
= 100°C
°
0.8
0.1
1
10
100
I
F
- LED正向电流 - 毫安
1
0
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
图5.电阻与温度
3
V4-6 - 最大RMS信号电压 - 毫伏
归一
I
F
= 16毫安
I
4-6
= 25μA RMS
T
A
= 25°C
图6.地区线性电阻
100
80
60
40
I4-6 - 最大RMS电流信号 -
A
最大
RMS
电压
100
80
60
40
R（上） - 归一化电阻
2
观察
范围
n
迪亚
我冰
v
De
20
20
1K
1
0.8
0.6
10
8
6
4
最大
RMS
当前
10
8
6
4
2
2
0.4
-50
-25
0
25
50
75
T
A
- 环境温度 -
°C
100
1
100
1000
10K
100K
R（ ON）电阻 -
2007仙童半导体公司
H11FXM版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
4
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M照片FET光电耦合器
图7电阻的非线性与直流偏置
5
R（上） - 电阻变化 - ％
4
3
2
I
4-6
= 10μA RMS
R（ ON） = 200Ω
1
0
1
50
100
150
200
250
300
350
V
4-6
- 直流偏置电压 - 电流
2007仙童半导体公司
H11FXM版本1.0.0
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5
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M - 图片FET光电耦合器
2012年5月
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M
PHOTO FET光耦合器
特点
作为一个远程可变电阻器：
■
≤
100
Ω
to
≥
300M
Ω
■
≤
15pF的并联电容
■
≥
100G
Ω
I / O绝缘电阻
作为模拟开关：
■
极低的失调电压
■
60 V
PK- PK
信号的能力
■
无电荷注入或闭锁
■
UL认证（文件号E90700 ）
概述
该H11FXM系列包括镓，含铝的
耦合到对称的砷化IRED的发光二极管
双边硅光检测器。该检测器是electri-
美云分离从输入并执行像一个理想
隔离FET设计用于低失真的控制
电平的交流和直流模拟信号。该H11FXM系列
装置被安装在双列直插式封装。
应用
作为一个远程可变电阻器：
■
隔离式可变衰减器
■
自动增益控制
■
有源滤波器FINE TUNING /频段切换
作为模拟开关：
■
分离的采样和保持电路
■
复用，光隔离的A / D转换
概要
阳极1
6
产量
期限。
包装纲要
阴极2
5
3
4
产量
期限。
2007仙童半导体公司
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M版本1.0.5
www.fairchildsemi.com
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M - 图片FET光电耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
辐射源
I
F
V
R
I
F（ PK）
P
D
探测器
P
D
BV
4-6
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 10μs的脉冲， 1 ％占空比）
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
击穿电压（任一极性）
设备
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
价值
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
60
5
1
100
1.33
单位
°C
°C
°C
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
所有
H11F1M,
H11F2M
H11F3M
所有
300
4.0
±30
±15
±100
I
4-6
连续检测电流（任一极性）
2007仙童半导体公司
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M版本1.0.5
www.fairchildsemi.com
2
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M - 图片FET光电耦合器
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
I
R
C
J
BV
4-6
I
4-6
输入正向电压
反向漏电流
电容
击穿电压
任一极性
关闭状态暗电流
I
F
= 16毫安
V
R
= 5V
V = 0 V ， F = 1.0MHz的
I
4-6
= 10μA ，我
F
= 0
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0,
T
A
= 100°C
R
4-6
C
4-6
断通状态电阻
电容
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0
V
4-6
= 15 V，I
F
= 0,
F = 1MHz的
所有
所有
所有
H11F1M ， H11F2M
H11F3M
所有
所有
所有
所有
300
15
30
15
50
50
nA
A
M
Ω
pF
50
1.3
1.75
10
V
A
pF
V
参数
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
输出检测
传输特性
符号
R
4-6
特征
导通状态电阻
测试条件
I
F
= 16毫安，
I
4-6
= 100A
设备
H11F1M
H11F2M
H11F3M
H11F1M
H11F2M
H11F3M
所有
民
典型*
最大
200
330
470
200
330
470
单位
Ω
DC特性
R
6-4
导通状态电阻
I
F
= 16毫安，
I
6-4
= 100A
Ω
电阻，非线性
和的对称性
AC特性
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
I
F
= 16毫安，
I
4-6
= 25μA RMS ，
F = 1kHz时
R
L
= 50
Ω
, I
F
= 16毫安，
V
4-6
= 5V
R
L
= 50
Ω
, I
F
= 16毫安，
V
4-6
= 5V
2
%
所有
所有
45
45
s
s
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
F = 1MHz的
设备
所有
所有
所有
分钟。
7500
10
11
TYP 。 *
马克斯。
单位
V
AC
PEAK
Ω
0.2
pF
*在T所有典型值
A
= 25°C
2007仙童半导体公司
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M版本1.0.5
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3
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M - 图片FET光电耦合器
安全性和绝缘等级
按照IEC 60747-5-2 ，这是光电耦合器适用于仅在安全限制数据“安全的电气绝缘” 。
符合安全等级，由保护电路装置来保证。
符号
参数
根据DIN VDE 0110安装分类网络阳离子/ 1.89
表1
额定主电压< 150Vrms
额定电压主要< 300Vrms
气候分类科幻阳离子
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ⅰ-Ⅳ
Ⅰ-Ⅳ
55/100/21
2
175
1594
V
PEAK
CTI
V
PR
漏电起痕指数
输入到输出的测试电压，方法B ，V
IORM
x 1.875
= V
PR
， 100 ％生产测试与TM = 1秒，局部
放电< 5PC
输入到输出的测试电压，方法A，V
IORM
x 1.5 =
V
PR
，类型和样品测试与TM = 60秒，局部
放电< 5PC
1275
V
PEAK
V
IORM
V
IOTM
马克斯。工作绝缘电压
最高允许过电压
外部爬电距离
外部间隙
绝缘厚度
850
6000
7
7
0.5
10
9
V
PEAK
V
PEAK
mm
mm
mm
Ω
RIO
在TS ，V绝缘电阻
IO
= 500V
2007仙童半导体公司
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M版本1.0.5
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4
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M - 图片FET光电耦合器
典型性能曲线
图1.电阻与输入电流
800
600
I
46
- 输出电流（ μA ）
10
400
200
0
-200
-400
-600
-800
1
0
100
-0.2
-0.1
0.0
0.1
0.2
I
F
= 2毫安
I
F
= 6毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 14毫安
I
F
= 18毫安
图2.输出特性
I
F
= 18毫安
I
F
= 14毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 6毫安
I
F
= 2毫安
R（上） - 归一化电阻
1
0.1
1
标准化为：
I
F
= 16毫安
I
46
= 5μA RMS
I
F
- 输入电流（mA）
V
46
=输出电压（V）的
图3. LED正向电压与正向电流
2.0
图4.断态电流与环境温度
10000
标准化为：
V
46
= 15V
I
F
= 0毫安
T
A
= 25°C
I
46
- 归一化暗电流
1.8
V
F
- 对于WARD电压（ V）
1000
1.6
1.4
T
A
= -40°C
T
A
= 25°C
100
1.2
10
1.0
°
T
A
= 100°C
0.8
0.1
1
10
100
I
F
- LED FOR WARD电流（mA）
1
0
20
40
60
80
100
T
A
=环境温度（℃）
图5.电阻非线性与直流偏压
5
R（上） - 电阻变化（ ％ ）
4
3
2
I
4-6
= 10μA RMS
R（ ON） = 200Ω
1
0
1
50
100
150
200
250
300
350
V
4-6
- 直流偏置电压（毫伏）
2007仙童半导体公司
H11F1M ， H11F2M ， H11F3M版本1.0.5
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5
QQ：2881677436 复制
